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公开(公告)号：CN109898135A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910106987.8
申请日：2015-07-01
Abstract: 一种β－Ga2O3系单晶衬底的制造方法，包含以下工序：在包含惰性气体、以及与所述惰性气体的流量比为0～2％的氧的环境中，通过EFG法培养线状凹坑的密度的平均值为1000个/cm2以下的β－Ga2O3系单晶的工序；以及从所述β－Ga2O3系单晶截出β－Ga2O3系单晶衬底的工序，在培养所述β－Ga2O3系单晶的工序中，根据所述β－Ga2O3系单晶中的有效载流子浓度将所述流量比在0～2％的范围内设定为规定的值。
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公开(公告)号：CN104878449A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510089930.3
申请日：2015-02-27
CPC classification number: H01L33/16 , C30B15/34 , C30B29/16 , H01L33/02 , Y10T428/21
Abstract: 一种β-Ga2O3基单晶基板包括β-Ga2O3基单晶。所述β-Ga2O3基单晶具有小于75秒的X射线摇摆曲线的半高宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109898135B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910106987.8
申请日：2015-07-01
Abstract: 一种β－Ga2O3系单晶衬底的制造方法，包含以下工序：在包含惰性气体、以及与所述惰性气体的流量比为0～2％的氧的环境中，通过EFG法培养线状凹坑的密度的平均值为1000个/cm2以下的β－Ga2O3系单晶的工序；以及从所述β－Ga2O3系单晶截出β－Ga2O3系单晶衬底的工序，在培养所述β－Ga2O3系单晶的工序中，根据所述β－Ga2O3系单晶中的有效载流子浓度将所述流量比在0～2％的范围内设定为规定的值。
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公开(公告)号：CN107180906A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710400618.0
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Inventor： 渡边诚 , 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C09K11/7774 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/28 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/12044 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的目的之一，提供量子效率优异的荧光体构件以及使用该荧光体构件的发光装置。作为一实施方式，提供一种平板状的荧光体构件，激励光的波长为460nm、温度从25℃上升到100℃时的荧光强度的降低不到3％，包括以YAG晶体为母晶体的多个颗粒状的单晶，所述YAG晶体具有用Y3‑x‑yGdxCeyAl5O12‑w表示的组分，其中，0.03≤x≤0.2，0.003≤y≤0.2，‑0.2≤w≤0.2。
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公开(公告)号：CN104245883A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020816.4
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社光波 , 独立行政法人物质·材料研究机构
Inventor： 渡边诚 , 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C09K11/7774 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/28 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/12044 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 作为目的之一，提供量子效率优异的荧光体及其制造方法以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供激励光的波长为460nm时的25℃的量子效率是92％以上、包括以YAG晶体为母晶体的单晶的荧光体。
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公开(公告)号：CN104245883B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201380020816.4
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Inventor： 渡边诚 , 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C09K11/7774 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/28 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/12044 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的目的之一，提供量子效率优异的荧光体及其制造方法以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供激励光的波长为460nm时的25℃的量子效率是92％以上、包括以YAG晶体为母晶体的单晶的荧光体。
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公开(公告)号：CN107180906B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710400618.0
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Inventor： 渡边诚 , 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的目的之一，提供量子效率优异的荧光体构件以及使用该荧光体构件的发光装置。作为一实施方式，提供一种平板状的荧光体构件，激励光的波长为460nm、温度从25℃上升到100℃时的荧光强度的降低不到3％，包括以YAG晶体为母晶体的多个颗粒状的单晶，所述YAG晶体具有用Y3‑x‑yGdxCeyAl5O12‑w表示的组分，其中，0.03≤x≤0.2，0.003≤y≤0.2，‑0.2≤w≤0.2。
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