公开(公告)号：CN109898135B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201910106987.8

申请日：2015-07-01

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 舆公祥 ,  渡边信也 ,  山冈优 ,  渡边诚

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34

Abstract: 一种β－Ga2O3系单晶衬底的制造方法，包含以下工序：在包含惰性气体、以及与所述惰性气体的流量比为0～2％的氧的环境中，通过EFG法培养线状凹坑的密度的平均值为1000个/cm2以下的β－Ga2O3系单晶的工序；以及从所述β－Ga2O3系单晶截出β－Ga2O3系单晶衬底的工序，在培养所述β－Ga2O3系单晶的工序中，根据所述β－Ga2O3系单晶中的有效载流子浓度将所述流量比在0～2％的范围内设定为规定的值。

公开(公告)号：CN106471164A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580032689.9

申请日：2015-06-29

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 渡边信也 ,  舆公祥 ,  山冈优 ,  饭塚和幸 ,  泷泽胜 ,  增井建和

IPC: C30B29/16

CPC classification number: C30B29/16 ,  C01G15/00 ,  C01P2002/77 ,  C30B15/34

Abstract: 提供一种晶体构造偏差小的高品质的β－Ga2O3系单晶衬底。在一个实施方式中，提供一种由β－Ga2O3系单晶构成的β－Ga2O3系单晶衬底通过所述主面的中心的所述主面上的任意直线上的Δω的最大值为0.7264以下。在如下情形时，Δω是从测定位置的各位置的ωs减去ωa后而得到的值的最大值与最小值之差，该情形为：将所述直线上的、X射线摇摆曲线的峰值位置的X射线的入射方向与所述主面所成的角度设为所述ωs，将采用最小二乘法对表示所述ωs与其所述测定位置之间的关系的曲线进行线性近似所求出的近似直线上的角度设为所述ωa。(1)，主面是平行于β－Ga2O3系单晶的b轴的面，

公开(公告)号：CN104878449B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201510089930.3

申请日：2015-02-27

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 舆公祥 ,  渡边信也 ,  泷泽胜 ,  山冈优 ,  胁本大树 ,  渡边诚

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34

Abstract: 一种β‑Ga2O3基单晶基板包括β‑Ga2O3基单晶。所述β‑Ga2O3基单晶具有小于75秒的X射线摇摆曲线的半高宽。

公开(公告)号：CN105229208A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201480026184.7

申请日：2014-05-02

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 舆公祥 ,  渡边信也

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34

CPC classification number: C30B15/34 ,  C30B15/36 ,  C30B29/16

Abstract: 提供能得到晶体质量高的平板状β-Ga2O3系单晶的β-Ga2O3系单晶的培育方法以及β-Ga2O3系单晶基板及其制造方法。在一实施方式中，提供一种β-Ga2O3系单晶(25)的培育方法，包含：使平板状的晶种(20)接触Ga2O3系熔融液(12)的工序；以及提拉晶种(20)，以不继承附着于晶种(20)的主面的Ga2O3系熔融液(12)的蒸发物(23)的晶体信息的方式使具有与(100)面相交的主面(26a)的平板状的β-Ga2O3系单晶(25)生长的工序，在使β-Ga2O3系单晶(25)生长时，仅在厚度方向(t)进行β-Ga2O3系单晶(25)的扩肩。

公开(公告)号：CN111534856A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN202010434224.9

申请日：2012-11-12

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 兴公祥 ,  松原春香 ,  渡边信也

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34

Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制双晶化的β-Ga2O3系单晶基板。本发明的一个实施方式提供一种β-Ga2O3系单晶基板，其中，主面上的与生长轴垂直的方向的每1cm的双晶的平均数小于30.7个。

公开(公告)号：CN104878449A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510089930.3

申请日：2015-02-27

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 舆公祥 ,  渡边信也 ,  泷泽胜 ,  山冈优 ,  胁本大树 ,  渡边诚

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34

CPC classification number: H01L33/16 ,  C30B15/34 ,  C30B29/16 ,  H01L33/02 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种β-Ga2O3基单晶基板包括β-Ga2O3基单晶。所述β-Ga2O3基单晶具有小于75秒的X射线摇摆曲线的半高宽。

公开(公告)号：CN104736748A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380054859.4

申请日：2013-10-09

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 渡边信也 ,  胁本大树 ,  饭冢和幸 ,  舆公祥 ,  增井建和

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34 ,  C30B15/36

CPC classification number: C30B15/34 ,  C30B15/30 ,  C30B15/36 ,  C30B29/16

Abstract: 提供一种β－Ga2O3系单晶的培养方法，能得到晶体品质高的板状的β－Ga2O3系单晶。在一实施方式中，提供β－Ga2O3系单晶的培养方法，其使用导模法，所述β－Ga2O3系单晶的培养方法包含：使板状的晶种(20)与Ga2O3系熔体(12)接触的工序和提拉晶种(20)使β－Ga2O3系单晶(25)生长的工序，所述板状的晶种(20)由全部区域的缺陷密度为5×105/cm2以下的β－Ga2O3系单晶构成。

公开(公告)号：CN105229208B

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201480026184.7

申请日：2014-05-02

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 舆公祥 ,  渡边信也

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34

Abstract: 在一实施方式中，提供一种β‑Ga2O3系单晶(25)的培育方法，包含：使平板状的晶种(20)接触Ga2O3系熔融液(12)的工序；以及提拉晶种(20)，以不继承附着于晶种(20)的主面的Ga2O3系熔融液(12)的蒸发物(23)的晶体信息的方式使具有与(100)面相交的主面(26a)的平板状的β‑Ga2O3系单晶(25)生长的工序，在使β‑Ga2O3系单晶(25)生长时，仅在厚度方向(t)进行β‑Ga2O3系单晶(25)的扩肩。

公开(公告)号：CN106661760A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580033965.3

申请日：2015-07-01

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 舆公祥 ,  渡边信也 ,  山冈优 ,  渡边诚

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34

CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B15/34

Abstract: 提供一种线状凹坑少的氧化镓衬底。能够获得单晶表面的线状凹坑的密度的平均值在1000个/cm2以下的氧化镓衬底。

公开(公告)号：CN105102694A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480020148.X

申请日：2014-03-31

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 渡边信也 ,  饭塚和幸 ,  土井冈庆 ,  松原春香 ,  增井建和

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34

CPC classification number: C30B15/34 ,  C30B15/04 ,  C30B29/16

Abstract: 提供一种β-Ga2O3系单晶的生长方法，其能够使晶体结构的偏差较小的高质量的β-Ga2O3系单晶朝b轴方向生长。在一实施方式中，提供一种β-Ga2O3系单晶的生长方法，其包括：使用晶种，使添加有Sn的平板状β-Ga2O3系单晶朝b轴方向生长的步骤。