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公开(公告)号:CN119053608A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202380035474.7
申请日:2023-04-24
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07D513/04 , C08G61/12 , H01L29/786 , H10K85/10
Abstract: 本公开的化合物是由下述通式(1)表示的化合物。[化学式1]#imgabs0#
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公开(公告)号:CN118434793A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202280083897.1
申请日:2022-12-22
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C08G85/00 , C07D307/46 , C07D333/16 , C07D333/28 , C07D333/32 , C07D339/06 , C08G63/00 , C08G63/137 , C08G63/19 , C08G63/547 , C08G63/682 , C08G63/685 , C08G63/688 , C08G63/78 , C08G69/00 , C08G69/44 , C08K5/00 , C08L67/02 , C08L77/12 , C08L101/12 , G02B1/04 , G02B5/30 , H05B33/02 , H10K50/00
Abstract: 本实施方式的主链型聚合物是一种如下的主链型聚合物:在聚合物主链内具有表达光反应性及双折射的逆波长分散性的两种功能的光反应性逆波长分散单元,所述光反应性逆波长分散单元为下述化学式(1)所表示的结构。所述化学式(1)中,L1、L2可以相同或不同,表示羰基、酯键、酰胺键、醚键或单键;*表示与所述主链型聚合物中的其他结构的键合位置。Ar表示选自由单环式芳香环、多环式芳香环、以及缩环式芳香环组成的组中的环,其中将选自由碳原子、氮原子、氧原子、及硫原子组成的组中的原子作为环构成原子,这些单环式芳香环、多环式芳香环或缩环式芳香环可以具有取代基。R0、R1、R2、R3、及R4分别独立地表示氢原子、卤素原子或碳原子数1~8的烷基。[化学式1]#imgabs0#
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公开(公告)号:CN117836280A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202280057223.4
申请日:2022-08-16
Applicant: 奥加诺株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07D275/03
Abstract: 本发明提供以选择性和收率良好地制备高纯度的4‑溴代异噻唑啉酮衍生物的方法。4‑溴代异噻唑啉酮衍生物的制备方法为制备式(1)(式中,R表示氢原子或碳原子数1~12的烷基)所示的4‑溴代异噻唑啉酮衍生物的方法,在水溶剂中或水溶剂与有机溶剂的混合溶剂中利用溴化剂将式(2)(式中,R与式(1)相同)所示的异噻唑啉酮化合物或其化学上可接受的盐溴化。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN113924347B
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202080039347.0
申请日:2020-05-22
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C09D5/02
Abstract: 本发明涉及自乳化型多异氰酸酯组合物、包含该组合物的双组分型涂料组合物、以及能够由该涂料组合物得到的涂膜,所述自乳化型多异氰酸酯组合物包含下述物质的反应混合物:特定结构的阴离子性化合物(a)、特定结构的含有非离子性亲水基团的单官能醇(b)、有机多异氰酸酯(c)和叔胺(d)。
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公开(公告)号:CN109715800B
公开(公告)日:2022-08-23
申请号:CN201780058075.7
申请日:2017-09-21
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明的课题在于,提供不需要重折叠、并且生产率和热稳定性高的改良型重组FcγRIIb及FcγRIIa、以及其制造方法。通过改良型重组FcγRIIb来解决上述课题,所述改良型重组FcγRIIb至少含有人FcγRIIb的细胞外区域(UniProt No.P31994的第43位至第215位)的氨基酸残基,其中,在该氨基酸残基中,发生与UniProt No.P31994的第82位、第94位、第98位、第104位、第105位及第139位相当的位置的氨基酸置换中的至少一个以上。通过改良型重组FcγRIIa来解决上述课题,所述改良型重组FcγRIIa至少含有人FcγRIIa的细胞外区域(UniProt No.P12318‑1的第34位至第206位)的氨基酸残基,其中,在该氨基酸残基中,发生与UniProt No.P12318‑1的第73位、第85位、第89位、第95位、第96位及第130位相当的位置的氨基酸置换中的至少一个以上。
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公开(公告)号:CN114787130A
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN202180007071.2
申请日:2021-03-24
Applicant: 捷恩智株式会社 , 捷恩智石油化学株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07D209/88 , C07D405/04 , C07D405/12 , C09K19/12 , C09K19/14 , C09K19/16 , C09K19/18 , C09K19/20 , C09K19/30 , C09K19/32 , C09K19/34 , C09K19/42 , G02F1/13
Abstract: 一种化合物,其由式(1)表示。R1及R2为碳数1至15的烷基等;Ra为氢等;环A1及环A2为1,4‑亚环己基、1,4‑亚苯基等;环N1及环N2为1,2‑亚环丙基、1,3‑亚环戊基等;Z1、Z2、Z3、及Z4为单键等;L1、L2、L3、L4、L5及L6为氟等;l及o为0或1,m及n为0、1、或2。
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公开(公告)号:CN104903337A
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201380069822.9
申请日:2013-12-06
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F15/00 , C23C16/18 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/28568 , C07F7/02 , C07F15/0046 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供一种通式(1a)、(2)、(3)等所示的钌络合物及该钌络合物的制造方法,其无论在使用氧化性气体作为反应气体的条件下还是在使用还原性气体作为反应气体的条件下均可用于制作含钌薄膜。(式中,R1a~R7a、R8~R9、R10~R18表示碳原子数1~6的烷基。n表示0~2的整数)。
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公开(公告)号:CN104024201A
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201280064814.0
申请日:2012-12-21
Applicant: 公益财团法人相模中央化学研究所 , 玛耐科股份有限公司
CPC classification number: C07C45/37 , B01J31/22 , B01J31/2273 , B01J2231/70 , B01J2531/56 , B01J2540/40 , C07C45/29 , C07C45/512 , C07F9/005 , C07C47/21
Abstract: 提供作为医药、农药及香料的制造中间体有用的金合欢醛的制造方法。具体而言,提供金合欢醛(3)的制造方法,其特征在于,在通式(2)(式中,R1-R7与说明书及权利要求书为相同含义)所示的钒络合物的存在下,使(E)-橙花叔醇(1)与氧化剂反应。
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公开(公告)号:CN103917487A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201280054346.9
申请日:2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C01B13/32 , C01B33/113 , C01G23/04 , C07F7/10 , C07F7/18 , C07F7/28 , H01L21/316
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/003 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面,进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理,从而制作IV族金属氧化物膜的方法中,作为制膜用材料,使用使具有特定结构的亚乙烯基二酰胺络合物与氧气、空气、臭氧、水、过氧化氢等氧化剂进行反应而得到的制膜用材料。
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公开(公告)号:CN103124734A
公开(公告)日:2013-05-29
申请号:CN201180036572.X
申请日:2011-05-30
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/02 , C07F7/10 , C23C16/42 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: C07F7/025 , C23C16/345 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271
Abstract: 本发明提供一种在500℃以下的低温下即使不使用等离子体等也可以高效地制作含硅薄膜的材料。本发明使氯硅烷衍生物(3)和化合物M2Z(4)进行反应,制造通式(1’)所示的含氢硅烷衍生物,并以该含氢硅烷衍生物作为材料制造含硅薄膜,在通式(1’)中,R1及R2分别独立地表示表示碳原子数3~12的烷基。在Z为异氰酸基或异硫氰酸基的情况下,M2表示钠原子等。在Z为氨基、NHR3所示的一取代氨基或NR4R5所示的二取代氨基的情况下,M2表示氢原子等。R3表示任选被氟原子取代的碳原子数1~12的烷基。R4及R5分别独立地表示表示碳原子数1~4的烷基。在Z为碳原子数2~6的链烯基的情况下,M2表示卤化镁基团。
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