公开(公告)号：CN119053608A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202380035474.7

申请日：2023-04-24

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 山县拓也 ,  巳上幸一郎 ,  花村仁嗣 ,  胁冈正幸 ,  宫下真人 ,  渡边真人 ,  奥慎也

IPC: C07D513/04 ,  C08G61/12 ,  H01L29/786 ,  H10K85/10

Abstract: 本公开的化合物是由下述通式(1)表示的化合物。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN115210239B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202180017812.5

申请日：2021-03-04

Applicant: 东曹株式会社

Inventor： 宫下真人 ,  渡边真人 ,  奥慎也

IPC: C07D495/04 ,  H10K10/46 ,  H10K85/60 ,  H10D30/67

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种含有特定的取代基的芳香族化合物、使用它的有机半导体层和有机薄膜晶体管，所述含有特定的取代基的芳香族化合物是一种具有高载流子迁移率、高耐热性和适当的溶解性的涂布型有机半导体材料。上述目的通过下述式(1‑I)或(1‑II)所示的芳香族化合物实现。式(1‑I)和(1‑II)中，Ar表示单环等，X1、X2表示氧原子等，Y1、Y2表示CR6等，R1～R6表示氢原子等，R1～R6中的至少1个是下述式(2)所示的基团。式(2)中，A表示规定的烯基等，l、n表示0或1，m表示1～20的整数，Z1、Z2表示氢原子等。#imgabs0#

公开(公告)号：CN115210239A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202180017812.5

申请日：2021-03-04

Applicant: 东曹株式会社

Inventor： 宫下真人 ,  渡边真人 ,  奥慎也

IPC: C07D495/04 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种含有特定的取代基的芳香族化合物、使用它的有机半导体层和有机薄膜晶体管，所述含有特定的取代基的芳香族化合物是一种具有高载流子迁移率、高耐热性和适当的溶解性的涂布型有机半导体材料。上述目的通过下述式(1‑I)或(1‑II)所示的芳香族化合物实现。式(1‑I)和(1‑II)中，Ar表示单环等，X1、X2表示氧原子等，Y1、Y2表示CR6等，R1～R6表示氢原子等，R1～R6中的至少1个是下述式(2)所示的基团。式(2)中，A表示规定的烯基等，l、n表示0或1，m表示1～20的整数，Z1、Z2表示氢原子等。