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公开(公告)号：CN104885258B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201380066245.8
申请日：2013-12-13
Applicant: ITM半导体有限公司
Inventor： 罗赫辉 , 黄镐石 , 金荣奭 , 朴成范 , 安商勋 , 郑太奂 , 朴丞旭 , 朴载邱 , 赵显睦 , 朴慜浩 , 尹宁根 , 朱成皓 , 池永男 , 文明基 , 李铉席 , 朴志英
CPC classification number: H02J7/0031 , H01L23/49575 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01M2/34 , H01M2200/00 , H02J7/0042 , H02J2007/0037 , H02J2007/0039 , H02J2007/004 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 公开的是一种电池保护模块封装(PMP)。根据本发明的实施例的电池PMP包括其上设置有多个外部端子的引线框，层叠在所述引线框上的印刷电路板，以及安置在所述印刷电路板上并且互相电连接的多个内部端子、保护集成芯片(IC)、场效应晶体管(FET)、电阻和电容器，其中，使用表面安装技术(SMT)，所述电阻和所述电容器被安装在所述印刷电路板的图案上，以及其中，所述多个内部端子被电连接到所述多个外部端子。
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公开(公告)号：CN107611936A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710545403.8
申请日：2017-07-06
Applicant: 三美电机株式会社 , ITM半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种二次电池保护电路，其具有：在二次电池和MOS晶体管之间与电源路径连接第1端子；在负载和MOS晶体管之间与电源路径连接的第2端子；与MOS晶体管的栅极连接的第3端子；与MOS晶体管的背栅连接的第4端子；基于二次电池的异常状态使第4端子和第1端子连接的第1开关；及基于二次电池的异常状态使第4端子和第2端子连接的第2开关。介由第1开关被连接了的第4端子和第1端子之间的电阻值或介由第2开关被连接了的第4端子和第2端子之间的电阻值大于MOS晶体管的开启电阻值。
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公开(公告)号：CN107466432A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201680017898.0
申请日：2016-02-25
Applicant: ITM半导体有限公司
CPC classification number: H01M2/34 , H01L2224/48145 , H01L2224/49175 , H01M2/30 , H01M2/345 , H01M10/425 , H01M2200/00 , H01M2200/10 , H01M2220/30 , H02H3/087 , H02H7/18 , H02J7/0029 , H02J2007/0037 , H02J2007/0039 , H02J2007/004 , H01M2/10
Abstract: 本发明涉及一种能够有效地防止过电流和过热，能够以低成本紧凑化实现的电池保护电路封装，其包括：第1保护电路模块，包括与电池裸单元的电极端子电连接的第1端子及第2端子、与充电器或者电子设备电连接的第3端子及第4端子、连接于所述第1端子或第2端子中的至少一个与所述第3端子及第4端子中的至少一个之间的至少一个第1晶体管以及用于控制所述至少一个第1晶体管的第1保护集成电路元件；至少一个第2晶体管，连接于所述第1端子或第2端子中的至少一个与所述第3端子及第4端子中的至少一个之间，并与所述至少一个第1晶体管串联连接；以及第2保护集成电路元件，用于控制所述第2晶体管。
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公开(公告)号：CN107104146A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201610971959.9
申请日：2016-10-28
Applicant: 美格纳半导体有限公司 , ITM半导体有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7804 , H01L27/0255 , H01L27/0266 , H01L29/1037 , H01L29/1095 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/66666 , H01L29/66734 , H01L29/66787 , H01L29/7813 , H01L29/7827
Abstract: 本公开涉及功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。该功率金属氧化物半导体场效应晶体管包括：绝缘层；位于绝缘层的底部的第一导电类型掺杂层；位于第一导电类型掺杂层的底部的第二导电类型体；与绝缘层的底部相邻并且在其他区域中由绝缘膜覆盖的栅电极，该栅电极突出以穿透第二导电类型体；以及源电极，其包括位于绝缘层的顶部的第一区域和通过穿透绝缘层而与第一导电类型掺杂层接触的第二区域。
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公开(公告)号：CN105184346A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510502072.0
申请日：2015-06-03
Applicant: ITM半导体有限公司
IPC: G06K19/07 , H04B1/3816
CPC classification number: H02J7/0029 , H02J2007/0037 , H02J2007/0039 , H02J2007/004
Abstract: 本发明提供一种可安装在便携式无线设备中的识别模块卡，通过接收从电池供给的电力工作，识别模块卡包括用于检测和阻止电池过度充电、过度放电和/或过载电流的电池保护电路模块，并且电池保护电路模块的至少一部分嵌入在识别模块卡中。
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