公开(公告)号：CN107104146A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201610971959.9

申请日：2016-10-28

Applicant: 美格纳半导体有限公司 ,  ITM半导体有限公司

Inventor： 姜秀昌 ,  金圣昡 ,  李用元 ,  黄镐石 ,  安祥熏

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7804 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 本公开涉及功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。该功率金属氧化物半导体场效应晶体管包括：绝缘层；位于绝缘层的底部的第一导电类型掺杂层；位于第一导电类型掺杂层的底部的第二导电类型体；与绝缘层的底部相邻并且在其他区域中由绝缘膜覆盖的栅电极，该栅电极突出以穿透第二导电类型体；以及源电极，其包括位于绝缘层的顶部的第一区域和通过穿透绝缘层而与第一导电类型掺杂层接触的第二区域。