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公开(公告)号：CN102054670A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010500753.0
申请日：2010-10-09
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明是一种Ga束流低温辅助清理GaAs图形衬底表面氧化物的方法，采用低流量III族Ga束流在分子束外延中低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物。采用这种技术清理外延GaAs衬底，仅通过生长十几个纳米厚的GaAs缓冲层，能够重复地获得高质量低密度InAs量子点。本发明证实了Ga束流辅助清理衬底表面氧化物技术在外延生长中具有实际可应用性。这项技术在需要保持良好界面特性的器件结构外延再生长中将具有特别的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN102034887A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010510944.5
申请日：2010-10-19
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/055
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明新型复合结构高效硅薄膜光伏电池，涉及一种光电池结构。本发明提供一种新型复合结构高效硅薄膜光伏电池结构，包括：第一层为硅薄膜光伏电池板(11)，第二层为内增透膜层(12)，第三层为发光薄膜层(13)，第四层为宽波段增透膜层(14)。本发明将不能被硅基太阳能电池有效吸收的太阳光中高能光(300-700nm)转换为可被其有效吸收的红外光(750-950nm)，使更多的太阳光转变成为太阳能电池能够较好响应的光谱，进而提高非晶硅薄膜太阳能电池的光电转换效率，进而制备出高光电转换效率、高稳定性、成本低廉的硅薄膜光伏电池。该方法易于控制，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102013632A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010537319.X
申请日：2010-11-10
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明一种带有光子晶体结构的线阵式半导体激光器，属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用二维光子晶体材料的特定结构对特定光场的选模特性及特定方向的光隔离等特点，用二维光子晶体结构代替传统线阵式半导体激光器光隔离结构，增加了线阵式半导体激光器的发光面积，提高了器件输出功率，提高了器件水平方向输出的光束质量和发光效率，降低了器件的串联电阻，改善了器件的热稳定性和输出特性。该技术方案适用于各种波长的线阵式大功率半导体激光器的制造。
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公开(公告)号：CN101645577B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910067383.3
申请日：2009-08-10
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/343
Abstract: AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器属于第一类量子阱结构，材料和器件的研究存在相当的难度，锑化物材料存在很大的不互溶隙，在不互溶隙内的材料为亚稳态，优质材料生长难度十分大，是III-V族化合物中最复杂的材料之一，也是国际上主攻的科技关键之一。本发明提出了一种采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法。AlSb缓冲层，这种方法可以获得更高质量的晶体质量和表面平整度。AlSb缓冲层的作用是：(1)充当表面活化剂，降低了衬底与外延层之间的界面自由能，(2)充当了一个滤板的作用，抑制了位错的产生。本发明提出以AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法，制备高质量的AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器材料。
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公开(公告)号：CN101626143B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910066797.4
申请日：2009-04-10
Applicant: 长春理工大学
Abstract: III-V族锑化物以其特有的晶格参数、能带结构特性，在近、中红外半导体器件方面显示出越来越重要得研究价值和应用价值。GaAs基1.5μm的Sb基量子点激光器的研制将提供替代InP基材料器件的可能，克服InP基材料其间难以高密度集成，温度稳定性差等缺点，为光通讯提供一种价格低廉、功耗小、性能优良的新光源选择。本发明是关于采用InGaSb柱形量子点实现高效率1.5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法的，能够实现锑化物体系的低维外延生长的研制，将为替代InP基材料器件，克服InP基材料其间难以高密度集成，温度稳定性差等缺点，为光通讯提供一种价格低廉、功耗小、性能优良的新光源选择。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101645577A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910067383.3
申请日：2009-08-10
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/343
Abstract: AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器属于第一类量子阱结构，材料和器件的研究存在相当的难度，锑化物材料存在很大的不互溶隙，在不互溶隙内的材料为亚稳态，优质材料生长难度十分大，是III-V族化合物中最复杂的材料之一，也是国际上主攻的科技关键之一。本发明提出了一种采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法。AlSb缓冲层，这种方法可以获得更高质量的晶体质量和表面平整度。AlSb缓冲层的作用是：(1)充当表面活化剂，降低了衬底与外延层之间的界面自由能，(2)充当了一个滤板的作用，抑制了位错的产生。本发明提出以AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法，制备高质量的AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器材料。
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公开(公告)号：CN101556916A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910066885.4
申请日：2009-04-30
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/324 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种GaAs基InAs量子环材料的制备方法，属于半导体物理和固态量子信息材料领域。该领域已知技术制备量子环的方法，是使用复杂的光刻技术制备量子环或利用MBE(分子束外延)技术自组织方法制备量子环。利用光刻技术制备的量子环，制备工艺复杂，成本高，且容易引入缺陷。而采用MBE技术自组织方法制备量子环，相对来说比较简单，即首先生长自组织量子点，然后生长一层极薄的覆盖层将量子点部分覆盖，最后经过退火过程，量子点就会自发转变成纳米自组织量子环。利用该方法制备的量子环的优点是尺寸可以做得很小，且量子环中缺陷大大地降低。本发明采用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术生长各外延层，通过改变各外延层的生长参数，包括InAs量子点层和GaAs覆盖层的生长温度，生长速率，厚度，以及退火温度和时间等，获得了椭圆形InAs量子环。该方法易于控制，工艺稳定。量子环在纳米器件方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN1315234C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410004357.3
申请日：2004-02-17
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法属于半导体激光器电极制作技术领域。相关的现有技术为刻蚀环形沟槽法。该技术存在的主要问题是，由于最后要用聚酰亚胺填充环形沟槽，使得所制造的激光器散热不良。本发明采用刻蚀环形分布孔法，即在原刻蚀环形沟槽的位置刻蚀若干个环形分布、彼此孤立的孔，通过这些孔同样可以完成氧化物限制层工艺，之后不需将其填充，各个相邻孔之间的桥状通道使得激光器圆台台面各部分仍保持连接状态，仍与连接面、焊盘台面组成一个供蒸镀激光器上电极用的连续平面。本发明主要应用于垂直腔面发射半导体激光器制造领域。
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公开(公告)号：CN102664351B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210131283.4
申请日：2012-05-02
Applicant: 长春理工大学
Inventor： 李占国 , 尤明慧 , 刘国军 , 欧仁侠 , 魏志鹏 , 高欣 , 李林 , 史丹 , 王勇 , 乔忠良 , 邓昀 , 王晓华 , 辛德胜 , 张剑家 , 曲轶 , 薄报学 , 马晓辉
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提出了一种多层垂直耦合InAsSb量子点隧道结激光器结构，其基本思想是采用多层垂直耦合量子点作为隧道结，实现激光器的高效隧穿耦合，即通过多层垂直耦合量子点隧道结将两个或两个以上量子阱激光器串联起来。与采用薄层隧道结结构的激光器相比，多层垂直耦合量子点作为隧道结其效果在于多层耦合的量子点结构具有更高的耦合隧穿效率，可有效实现载流子的隧穿再生，并且减小隧道结带来的压降和电阻，提高隧道结的隧穿几率和光功率转换效率。
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