通过像素级结合中的结合通孔形成的反馈电容器

    公开(公告)号:CN108400126B

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201711210139.9

    申请日:2017-11-27

    Abstract: 本申请案涉及一种通过像素级结合中的结合通孔形成的反馈电容器。图像传感器包含安置在第一半导体材料中的光电二极管,且所述光电二极管经定位以通过所述第一半导体材料的背侧吸收图像光。第一浮动扩散部安置为靠近所述光电二极管,并经耦合以响应于施加到安置在所述光电二极管与所述第一浮动扩散部之间的转移栅极的转移信号而从所述光电二极管接收图像电荷。包含第二浮动扩散部的第二半导体材料安置为靠近所述第一半导体材料的前侧。电介质材料安置在所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间,并且包含从所述第一浮动扩散部延伸到所述第二浮动扩散部的第一结合通孔,横向靠近所述第一结合通孔地安置的第二结合通孔,及横向靠近所述第一结合通孔地安置的第三结合通孔。

    具有经划分位线的CMOS图像传感器

    公开(公告)号:CN110191296A

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201910132572.8

    申请日:2019-02-22

    Abstract: 本发明涉及一种图像传感器和成像系统。图像传感器包含像素阵列,所述像素阵列包含多个像素。耦合到像素列的位线经分成多个电部分,所述多个电部分耦合到所述像素阵列的行的对应部分。读出电路的第一开关电路耦合到所述位线。第一开关电路经配置以将位线电流源耦合到所述位线以提供DC电流,所述DC电流经耦合以在耦合到所述位线的像素的读出操作期间流过所述位线且流过所述第一开关电路。第二开关电路经配置以在所述像素的所述读出操作期间将ADC耦合到所述位线。在所述像素的所述读出操作期间,由所述位线电流源提供的所述DC电流的基本上无一者流过所述第二开关电路。

    用于在图像传感器中实施H条带消除的方法及系统

    公开(公告)号:CN107347142B

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201710080190.6

    申请日:2017-02-15

    Abstract: 本申请案涉及一种用于在图像传感器中实施H条带消除的方法及系统。用于在图像传感器中实施H条带消除的所述方法以像素阵列捕获图像数据开始。像素阵列包含用以分别产生像素数据信号的多个像素。ADC电路获取所述像素数据信号。ADC电路包含比较器电路。在一个实施例中,比较器电路310包含多个比较器。包含于比较器电路中的比较器将所述像素数据信号分别与从斜波产生器接收的斜波信号进行比较以产生比较器输出信号。邻近比较器输出信号可为相反极性。本发明还描述其它实施例。

    通过像素级结合中的结合通孔形成的反馈电容器

    公开(公告)号:CN108400126A

    公开(公告)日:2018-08-14

    申请号:CN201711210139.9

    申请日:2017-11-27

    Abstract: 本申请案涉及一种通过像素级结合中的结合通孔形成的反馈电容器。图像传感器包含安置在第一半导体材料中的光电二极管,且所述光电二极管经定位以通过所述第一半导体材料的背侧吸收图像光。第一浮动扩散部安置为靠近所述光电二极管,并经耦合以响应于施加到安置在所述光电二极管与所述第一浮动扩散部之间的转移栅极的转移信号而从所述光电二极管接收图像电荷。包含第二浮动扩散部的第二半导体材料安置为靠近所述第一半导体材料的前侧。电介质材料安置在所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间,并且包含从所述第一浮动扩散部延伸到所述第二浮动扩散部的第一结合通孔,横向靠近所述第一结合通孔地安置的第二结合通孔,及横向靠近所述第一结合通孔地安置的第三结合通孔。

    成像系统及使图像传感器聚焦的方法

    公开(公告)号:CN104184964B

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201410050447.X

    申请日:2014-02-13

    CPC classification number: H04N5/335 H04N5/23212

    Abstract: 本申请案涉及一种成像系统及使图像传感器聚焦的方法。使图像传感器聚焦的方法包含以第一速率第一次扫描来自图像传感器的图像帧的第一部分以产生第一聚焦数据。以第二速率扫描来自所述图像传感器的所述图像帧的第二部分以从所述第二部分读取图像数据。所述第一速率大于所述第二速率。以所述第一速率第二次扫描所述图像帧的所述第一部分以产生第二聚焦数据。将所述第一聚焦数据与所述第二聚焦数据进行比较,并响应于所述第一聚焦数据与所述第二聚焦数据的所述比较而调整透镜的聚焦。

    具有改良噪声屏蔽的图像传感器

    公开(公告)号:CN102403328A

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201110286464.X

    申请日:2011-09-07

    Abstract: 本发明涉及具有改良噪声屏蔽的图像传感器。本发明公开一种图像传感器,其包含接合至载体晶片且包含用于摄取图像数据的像素阵列的器件晶片。信号线安置成邻近于该载体晶片的与该器件晶片相对的一侧,且金属噪声屏蔽层置于该像素阵列之下且在该器件晶片或该载体晶片的至少一个内以屏蔽该像素阵列使其免受自信号线发出的噪声。穿硅通孔(“TSV”)延伸穿过该载体晶片及该金属噪声屏蔽层且延伸至该器件晶片中以便耦合至该器件晶片内的电路。可通过高度掺杂该载体晶片和/或用低K介电材料覆盖该载体晶片的底侧来提供进一步的噪声屏蔽。

    列放大器复位电路
    38.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112087586B

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202010527184.2

    申请日:2020-06-11

    Abstract: 本申请涉及一种列放大器复位电路。用于图像传感器中的放大器电路包含共源极放大器,所述共源极放大器经耦合以从所述图像传感器的像素单元接收表示图像电荷的输入信号。自动归零开关耦合在所述共源极放大器的输入与所述共源极放大器的输出之间。反馈电容器耦合到所述共源极放大器的所述输入。偏移开关耦合到所述反馈电容器并且进一步耦合到复位电压及所述放大器电路的输出。所述自动归零开关及所述偏移开关经配置以在所述放大器电路的复位期间将所述反馈电容器耦合到所述复位电压。所述偏移开关经配置以在所述放大器电路的所述复位之后将所述反馈电容器耦合到所述放大器电路的所述输出。

    用于双重斜波模/数转换器的比较器

    公开(公告)号:CN111327849B

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202010127093.X

    申请日:2017-09-25

    Abstract: 本申请案涉及一种用于双重斜波模/数转换器的比较器。本文中描述用于具有经增加模/数转换范围及经减少噪声的图像传感器的设备及方法。实例性方法可包含:停用比较器的第一自动归零开关,所述第一自动归零开关经耦合以将所述比较器的参考电压输入自动归零;调整提供到所述比较器的所述参考电压输入的斜波电压的自动归零偏移电压;及停用所述比较器的第二自动归零开关,所述第二自动归零开关经耦合以将所述比较器的位线输入自动归零。

    具有比较器的列放大器复位电路

    公开(公告)号:CN112243099A

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN202010693785.0

    申请日:2020-07-17

    Abstract: 本申请涉及具有比较器的列放大器复位电路。一种用于在图像传感器中使用的具有比较器的列放大器包含放大器,所述放大器被耦接以从所述图像传感器的像素单元接收表示图像电荷的输入信号。放大器自动调零开关耦接在所述放大器的输入与所述放大器的输出之间。反馈电容器耦接到所述放大器的输入。放大器输出开关耦接在所述放大器的所述输出与所述反馈电容器之间。比较器包含耦接到所述放大器输出开关的第一输入。比较器自动调零开关耦接在所述比较器的所述第一输入与所述比较器的输出之间。

Patent Agency Ranking