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公开(公告)号：CN105141302A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510439168.7
申请日：2015-07-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明提出一种基于时钟沿的单粒子翻转自检纠错电路，实现错误自检纠错的电路。该电路在时序逻辑电路的D触发器输出信号端分别设置时钟沿跳变检测模块、基于时钟延迟模块延迟后的触发器输出翻转检测模块，并分别完成对输出信号是否发生单粒子翻转的检测和对应输出信号的时钟跳变沿的检测，随后通过单粒子翻转检测模块得到是否在时钟周期的跳变沿发生单粒子发生翻转的检测结果，最终将检测结果输入多路输出选择器实现对单粒子翻转造成的输出信号错误的纠正，进而大大提高电路的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN104914917A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510279042.8
申请日：2015-05-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种阻值调节带隙电压电流基准源电路，属于CMOS模拟电路设计技术领域。该基准源电路中的启动电路的存在避免了电路进入零点从而保证了电路正常工作；该基准源电路中使用cascade结构，基准源电路两臂对称性好，在电源偏置及工艺偏差情况下不会较大的引入电路失调；利用Q3的负温飘系数进行补偿，基准电压的温飘系数较小；加入了电阻调节电阻，使得电阻值可控，降低了工艺偏差带来的风险；通过一个带隙结构同时提供了基准电压与基准电流的基准源。
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公开(公告)号：CN103198055A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310033677.0
申请日：2013-01-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F17/14
Abstract: 本发明涉及一种分裂基FFT结构设计方法，以分裂基FFT算法原理为参考，对公式进行进一步的规整化，开展了2N点分裂基FFT并行流水结构设计的研究，按照快速计算以及资源优化的要求，对计算过程中的每个步骤进行优化处理，实现了2N点FFT的并行流水结构，该结构具有一定的规律性，此外对计算过程中的旋转因子采用选择存储方法，大量的节省了存储资源，对于大点数的FFT旋转因子的计算提出了使用CORDIC算法计算以节约资源，并给出了CORDIC算法计算说明。
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公开(公告)号：CN111221670B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201911001645.6
申请日：2019-10-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F11/07
Abstract: 本发明涉及一种缓解检测冲突的单粒子软错误防护设计方法：(1)将待处理程序系统划分成模块节点，确定状态跳转无向连通图；(2)设置前驱节点的对等标签存储位，根据预先设置的规则，利用对等标签区分后继节点存在的状态跳转命名冲突；(3)确定状态跳转无向连通图中的长、圈以及对应的模块节点；(4)根据圈中模块节点数目的奇偶性结合图论定义，确定产生对等标签分配互斥情况的圈，并在该圈内，任选一个节点在其与前驱模块节点之间插入与功能无关的模块节点，形成迹并得到新的状态跳转无向连通图；(5)重构状态跳转执行流图；(6)通过插入比较检测错误指令的方式进行状态跳转错误检测，对发生状态跳转故障的模块节点进行故障恢复。
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公开(公告)号：CN110908426B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201911043357.7
申请日：2019-10-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种总剂量防护带隙基准源电路，包括：带隙核心电路、启动电路I、动态基极补偿分支电路I、动态基极补偿分支II、电源抑制比PSRR增强电路、启动电路II和带隙输出电压电路。动态基极补偿分支电路I和动态基极补偿分支电路II用于补偿带隙核心电路在受到辐照总剂量效应下所感生的双极性晶体管基极泄漏电流，二者间又利用反馈环路实现稳定结构；电源抑制比PSRR增强电路提供带隙核心电路的栅极偏置电压实现提高电源抑制比；带隙输出电压电路则将带隙核心电路的输出参考电流信号Iref转化为参考电压信号Vref，并向外输出；启动电路II接收带隙输出电压电路输出的带隙参考电压Vref，向带隙核心电路提供启动信号。本发明利用动态基极补偿机制实现抗辐照总剂量效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113541652A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202011359932.7
申请日：2020-11-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H03K3/013
Abstract: 一种基于商用工艺的低资源消耗DICE触发器设计方法，在不影响芯片设计流程的情况下，从65nm商用MOS器件SEU发生机理出发，利用多节点电荷共享收集所产生的节点翻转再恢复Recovery效应，对在DICE触发器单元的物理版图层面实现抗SEU的加固设计，实现代价小、资源消耗低、可靠性高的目的。
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公开(公告)号：CN109283456B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201811075380.X
申请日：2018-09-14
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01R31/305
Abstract: 一种基于粒子滤波模型的单粒子功能中断截面评估方法，通过下述方式实现：进行重粒子加速辐照试验，统计对应LET0值离子辐照下，平均一次功能中断的离子注量率L0和平均一次功能中断累积辐照总注量N0，并作为基准数据；同时，利用配置存储区回读机制，统计平均试验中平均翻转的bit数，记为i0；假设在预评估LET1值下，辐照试验的重离子注量率设为L1，建立粒子滤波模型，预估发生SEU次数的期望值定义系统等效的功能耦合因子为λ，λ表示系统发生任意单bit翻转时候，造成系统功能出错的概率；根据λ的定义，对系统功能中断截面σsys进行等效；根据上述预估的发生SEU次数的期望值以及基准数据，评估未知LET1值下的系统功能中断截面。
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公开(公告)号：CN106847332B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201611203359.4
申请日：2016-12-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G11C11/412 , G06F30/392
Abstract: 一种低资源消耗的SRAM存储单元SEL加固方法，首先对SRAM存储单元使用阱接触隔离NMOS管与PMOS管，对PMOS管采用未封口保护环进行加固，使用未封口保护环连接PMOS管的源级，然后对SRAM存储单元中的NMOS管采用非U型保护带方式进行加固，在满足工艺规则的前提下在未封口保护环与非U型保护带上多打接触孔；调整SRAM存储单元中PMOS管采用的未封口保护环与NMOS管采用的非U型保护带的间距，最后优化PMOS管和NMOS管有源区的距离；在SRAM存储单元中的NMOS管区域加上NC层，提高NMOS管的阈值电压。本发明与现有技术相比，具有面积开销低、布线资源消耗低，降低SRAM中由存储单元构成的存储阵列的资源消耗的优点，具有很好的使用价值。
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公开(公告)号：CN110908426A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911043357.7
申请日：2019-10-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种总剂量防护带隙基准源电路，包括：带隙核心电路、启动电路I、动态基极补偿分支电路I、动态基极补偿分支II、电源抑制比PSRR增强电路、启动电路II和带隙输出电压电路。动态基极补偿分支电路I和动态基极补偿分支电路II用于补偿带隙核心电路在受到辐照总剂量效应下所感生的双极性晶体管基极泄漏电流，二者间又利用反馈环路实现稳定结构；电源抑制比PSRR增强电路提供带隙核心电路的栅极偏置电压实现提高电源抑制比；带隙输出电压电路则将带隙核心电路的输出参考电流信号Iref转化为参考电压信号Vref，并向外输出；启动电路II接收带隙输出电压电路输出的带隙参考电压Vref，向带隙核心电路提供启动信号。本发明利用动态基极补偿机制实现抗辐照总剂量效应。
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公开(公告)号：CN109283456A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811075380.X
申请日：2018-09-14
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01R31/305
Abstract: 一种基于粒子滤波模型的单粒子功能中断截面评估方法，通过下述方式实现：进行重粒子加速辐照试验，统计对应LET0值离子辐照下，平均一次功能中断的离子注量率L0和平均一次功能中断累积辐照总注量N0，并作为基准数据；同时，利用配置存储区回读机制，统计平均试验中平均翻转的bit数，记为i0；假设在预评估LET1值下，辐照试验的重离子注量率设为L1，建立粒子滤波模型，预估发生SEU次数的期望值定义系统等效的功能耦合因子为λ，λ表示系统发生任意单bit翻转时候，造成系统功能出错的概率；根据λ的定义，对系统功能中断截面σsys进行等效；根据上述预估的发生SEU次数的期望值以及基准数据，评估未知LET1值下的系统功能中断截面。
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