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公开(公告)号：CN116068856A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111277340.5
申请日：2021-10-29
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 一种蘑菇状微结构、模具、蘑菇状干黏附结构及制备方法，蘑菇状微结构的制备方法，包括：提供基板；在所述基板表面涂布光刻胶；软烘所述光刻胶；图形化紫外曝光所述光刻胶，包括：使所述光刻胶表面吸附一定量的碱性分子形成一层显影钝化层，所述碱性分子能与由紫外曝光所产生的酸性分子发生中和反应而消耗一部分酸性分子，以及对形成了显影钝化层的所述光刻胶进行图形化紫外曝光；显影图形化紫外曝光后的所述光刻胶，利用所述显影钝化层的显影速率低于中间层和底层光刻胶，去掉部分所述光刻胶，保留的所述光刻胶形成所述蘑菇状微结构。本发明工艺复杂程度低、步骤简单，而且蘑菇头几何尺寸精度可控、可大面积稳定加工，有助于大规模产业化应用。
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公开(公告)号：CN115993755A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202111215136.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 一种蘑菇状微结构、模具、蘑菇状干黏附结构及制备方法，蘑菇状微结构的制备方法包括：提供基板；在所述基板表面涂布光刻胶；软烘所述光刻胶，涂布完成后快速将让带所述光刻胶的所述基板放置于预定温度的烘箱内部进行快速烘烤，在所述光刻胶表面形成一层曝光钝化层，同时所述光刻胶中间层和底层处于正常曝光所需的半固态，从而使所述光刻胶由上而下、由表及里是溶剂含量逐层减少，硬度逐层降低；图形化曝光显影，利用所述曝光钝化层的光化学反应程度低于中间层和底层光刻胶，去掉部分所述光刻胶，保留的所述光刻胶形成所述蘑菇状微结构。本发明工艺复杂程度低、步骤简单，而且蘑菇头几何尺寸精度可控、可大面积稳定加工，有助于大规模产业化应用。
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公开(公告)号：CN115717256A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110976414.8
申请日：2021-08-24
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种金属掩模版电铸母版、金属掩模版及其制备方法，其金属掩模版电铸母版用于通过电铸生成金属掩模版，包括图形化导电基板，所述图形化导电基板第一表面设有凹陷，所述第一表面非凹陷部分包含所述金属掩模版的图案，所述凹陷内填充有非导电材料。本发明提供的金属掩模版电铸母版、金属掩模版及其制备方法，通过图形化导电基板第一表面设有凹陷，采用非导电材料在凹陷内进行填充，电铸后剥离金属掩模版时，非导电材料也不会脱落，从而该电铸母版能重复多次使用，能显著降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN113552772B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202010325531.3
申请日：2020-04-23
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种变光阑数据处理方法，如下步骤：获取三维模型；沿三维模型的竖直方向将三维模型分切成M层；将分切后的每一层再沿竖直方向分切成N层，以获取若干层二维图像数据；将N层中的每层二维图像数据转换为单色位图并将其分割成若干等份单元格图像；每个单元格图像的宽度为UnitX，高度为UnitY；对N层中的若干等份单元格图像进行错位重组以形成若干个基础长条带图像数据；将M层中的若干个基础长条带图像数据拼接后形成新的长条带图像数据，并将新的长条带图像数据上载至成像设备进行逐条带扫描光刻；其中，M及N为正整数。本申请的方法在光刻胶曝光成三维模型的过程中，图形不受限，方向不受限，被打印的三维模型的形状也不受限，方便快捷。
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公开(公告)号：CN111427237A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910024456.4
申请日：2019-01-10
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种大面积纳米光刻系统，包括工件台、位置反馈系统、干涉光学系统和控制系统，工件台上设有待光刻的光刻基片；位置反馈系统用于测量和计算工件台的误差；干涉光学系统用于产生干涉曝光场，对光刻基片进行干涉光刻，干涉光学系统包括衍射光学器件；控制系统分别与该工件台、该位置反馈系统和该干涉光学系统电性连接；该控制系统控制该衍射光学器件的运动，用以补偿该工件台的误差。本发明的大面积纳米光刻系统能达到大面积纳米结构高精度制备。本发明还涉及一种大面积纳米光刻方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114147959B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010931321.9
申请日：2020-09-07
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: B29C64/20 , B29C64/386 , B29C64/393 , B29C64/124 , B29C64/268 , G06T17/00 , B33Y30/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02
Abstract: 本发明公开了一种连续生长的3D打印方法，该方法包括下列步骤：建模；生成切片，将三维模型在Z轴方向进行切片；转换，将每一切片模型图转换为切片位图；初次数据上传，数据处理模块将前N*M个位图文件上传至N个子内存中；打印，控制模块控制载物台持续匀速移动，同时控制模块根据实际情况控制子内存不断刷新切片位图进行连续打印，每完成前一个子内存中的M个切片位图的打印，控制模块控制下一个子内存刷新切片位图进行打印，同时控制数据传输模块向前一个子内存上传新的M个位图，重复直至K幅切片位图完成打印。本发明还公开了一种3D打印设备，采用上述的连续生长的3D打印方法实现连续打印。通过上述方法，实现连续打印，节省了打印时间。
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公开(公告)号：CN112132948B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910490271.2
申请日：2019-06-06
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开一种图像处理方法，该方法的具体步骤包括：S1：建成灰度模型图；S2：计算灰度模型图X方向的扫描线的集合；S3：计算X轴扫描线集合中每一条扫描线与灰度模型图的所有交点的坐标，并分组；S4：计算扫描线集合中相应区间的每一条扫描线的每一组交点内的所有像素点的物理高度；S5：转换各区间所有像素点的灰度值得到灰度位图。本发明还公开一种图像处理装置，设有上述图像处理方法；本发明还公开本发明还公开一种光刻系统，包括执行上述图像处理方法；本发明还公开一种计算机可读存储介质，包括储存上述图像处理方法。通过计算图像中每个像素点的灰度值，可以实现任一幅面具有立体浮雕效果的结构的图像处理。
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公开(公告)号：CN112987501B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201911303595.7
申请日：2019-12-17
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种直写光刻系统和直写光刻方法，其中直写光刻系统包括直写光源、运动机构、中央控制器、光斑图形输入装置以及投影光学装置；运动机构用于带动投影光学装置沿预设路径扫描，并用于发出参考点的位置数据；中央控制器用于根据位置数据读取光斑图形文件序列中对应的光斑图像数据；光斑图形输入装置用于根据光斑图像数据将直写光源提供的起始光束调制生成图形光；投影光学装置用于根据图形光向光刻件的表面投影出变形光斑，并在运动机构的带动下沿预设路径扫描，在扫描过程中光斑图像数据随位置数据而变化，形成预设的可控变形光斑。本发明的直写光刻系统和直写光刻方法实现了复杂表面三维形貌结构的无掩模灰度光刻，并提高了光刻精度和光刻效率。
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公开(公告)号：CN115220905A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110417075.X
申请日：2021-04-19
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
IPC: G06F9/50
Abstract: 本申请涉及一种直写光刻数据处理系统和方法，属于直写光刻数据处理技术领域，该方法包括：主控单元获取图形文件；根据图形文件进行数据分割，得到多个待处理数据；获取与主控单元通讯相连的多个处理单元的工作状态；并按照工作状态向处理单元分配多个待处理数据；处理单元在获取到待处理数据时，对待处理数据进行处理，得到处理后的数据；处理后的数据是光刻装置能够直接使用的数据；写入装置读取处理单元中的处理后的数据，将处理后的数据写入光刻装置，以使光刻装置按照处理后的数据进行光刻处理；可以解决现有数据处理方式的数据处理效率较低、可靠性较差的问题；可以实现多个处理单元同时处理同一图形文件，提高数据处理效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN112799285B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201911115004.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和工作台，其中：数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与工作台之间，工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，光经过空间光调制器上的图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上，工作台驱使基片在平面内沿设定路径移动曝光电性。本发明的三维微纳结构光刻系统，结构简单、精度高、成本低、快速高效。本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法。
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