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公开(公告)号：CN206161889U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201620966488.8
申请日：2016-08-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本实用新型提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器，包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本实用新型具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN206057623U
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201620748008.0
申请日：2016-07-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型提供了一种基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器，包括透光基底以及位于基底上的金属层；金属层由晶胞单元阵列组成；晶胞单元包括0°趋向的金属线栅结构、90°趋向的金属线栅结构、45°趋向的金属线栅结构和一个手性结构；手性结构由Z型结构单元阵列构成；其中，线偏振片的透过率为85%以上，消光比50dB以上；右旋圆偏振光在1.6μm波长处透过率为60%，左旋圆偏振光的透过率为4%，圆二向色性可以达到56%，可以实现实时全偏振成像。本实用新型具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN205003310U
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201520741141.9
申请日：2015-09-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种位相编码的宽带光子筛，直径为D，包括透明平面基底和镀在该透明平面基底上的不透光金属薄膜，所述不透光金属薄膜上设有环带状分布的通光小孔，所述通光小孔的位置分布满足方程 ,式中，f为宽带光子筛的焦距，n为通光环带的环带序号，λ为光子筛的工作波长，R为宽带光子筛的半径，α为三次编码系数，k为波数，xm和ym是第n个通光环带上第m个小孔的中心位置，m=1，2，3，…，num，其中，，小孔半径。本实用新型创造性的在传统光子筛聚焦公式中引入了位相编码相，设计了一种同时具有位相编码板编码功能和传统光子筛聚焦功能的宽度光子筛，很大程度上减小了光子筛对波长的敏感性，且在不影响光子筛分辨率的情况下，拓宽了光子筛的带宽，同时提高了能量效率。
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公开(公告)号：CN205787191U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620511198.4
申请日：2016-05-30
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本实用新型公开了一种位相编码折衍射元件，包括折衍射元件本体，所述折衍射元件本体为平凸透镜结构，所述平凸透镜结构的平面一侧镀有宽带光子筛，所述宽带光子筛为不透光金属薄膜，所述不透光金属薄膜上设有环带状分布的通光小孔，所述通光小孔的位置分布满足方程。在相同尺寸和焦距下，本实用新型的折衍射元件的有效工作光谱范围较传统折衍射元件提高15倍左右，可在超宽带宽范围内消除二级光谱，实现清晰成像。
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公开(公告)号：CN205749968U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620637310.9
申请日：2016-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本实用新型提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本实用新型的起偏器在1.50μm ‑1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206163523U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201620931980.1
申请日：2016-08-24
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了基于荧光陶瓷及双层纳米光栅的偏振白光LED及其封装结构，其可根据结构参数进行调制工作波段，其中在450nm~650nm可见光范围消光比大于20dB，TM波透过率高于60%。本实用新型在荧光陶瓷基底表面引入一层低折射率的过渡层，过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀，使得制作工艺更为方便快捷，并且在过渡层表面集成一种介质光栅和双层金属的复合结构，将复合结构与蓝光GaN基LED相耦合，最终实现偏振白光出射。过渡层和介质层光栅为氟化镁、二氧化硅、PMMA等半导体材料构成，纳米光栅为铝、银、金等金属材料构成。
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公开(公告)号：CN206057624U
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201620899636.9
申请日：2016-08-18
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本实用新型公开了一种亚波长超宽带透射式二维金属波片，由若干周期性的波片单元构成，波片单元包括SiO2基片和位于所述基片上的正交十字银纳米棒结构，基片为正方形基片，其边长P为800~1000nm，正交十字银纳米棒结构的高度H为100~150nm，所述正交十字银纳米棒结构的第一宽度W为200~300nm，正交十字银纳米棒结构的第二长度Lx为550~650nm，正交十字银纳米棒结构的第二宽度Ly为150~170nm。本实用新型大大拓宽了工作带宽，而且对于参数变化的容忍度较高，由于现在微纳结构制作精度的限制，该结构合理、易于制作，在光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN205002882U
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201520750825.5
申请日：2015-09-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型提供了一种基于阿基米德螺旋线的亚波长圆偏振光检偏器，能够实现对左右旋圆偏振光的区分，该结构包括无机基片、设于无机基片上的二维阿基米德螺旋线和覆盖于二氧化硅基片和二维阿基米德螺旋线表面的金属膜层；本实用新型的检偏器在3.75um-6.0um波段圆二色性平均在0.1以上，在3.85um处圆二色性最高可达到0.16，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN206057627U
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201621044134.4
申请日：2016-09-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本实用新型公开了基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器，包括基底、过渡层以及像素层；像素层由超像素结构单元阵列组成；超像素结构单元包括0°趋向的双层纳米光栅、45°趋向的双层纳米光栅、135°趋向的双层纳米光栅以及90°趋向的双层纳米光栅；双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成；介质光栅的周期为260nm-300nm，占空比为0.5-0.7，厚度为90nm-110nm；金属层的厚度为70nm-90nm；在双层金属纳米光栅像素块的基底表面引入一层低折射率的过渡层，过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀，使得制作工艺更为方便快捷。
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公开(公告)号：CN204758858U
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201520359910.9
申请日：2015-05-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型提供一种亚波长反射式一维金属波片，能够在不同度的波段实现二分之一和四分之一波片的功能，所述波片包括介质光栅和设置在其上的金属层；纳米介质光栅结构设置上一层类光栅金属层，介质光栅的周期为80～350nm, 占空比为0.3～0.8，厚度为50～200nm，金属层的厚度比介质光栅厚度30nm以上（层间距大于30nm）。本实用新型具有结构简单，易于制作等优点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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