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公开(公告)号：CN206532599U
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201720106319.1
申请日：2017-02-03
Applicant: 苏州大学
IPC: G11C7/06
Abstract: 本实用新型公开了一种伪器件辅助灵敏放大器电路，其包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第一反相器的输出端连接到第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接到第一反相器的输入端，还包括伪器件第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的源极和漏极均连接到第一反相器的输出端，所述第三NMOS晶体管的源极和漏极均连接到第二反相器的输出端，所述第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管的栅极均连接到第三反相器的输入端。本实用新型有效地改进传统灵敏放大器由于电容耦合减少初始压差的影响，提升灵敏放大器的良率和速度，同时不影响原电路版图的面积。
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公开(公告)号：CN208938658U
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201821912217.X
申请日：2018-11-20
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种阻型存储器写入验证电路，包括运算放大器、晶体管MP1、晶体管MN1以及电流电压转换电路；所述运算放大器的正相输入端连接输入参考电压，所述运算放大器的反相输入端连接到阻型存储器的写入端，所述运算放大器的输出端连接到晶体管MN1的栅极，所述晶体管MN1的漏极连接到阻型存储器的写入端，所述晶体管MN1的源极连接到晶体管MP1的漏极，所述晶体管MP1的源极连接到电源端，所述晶体管MP1的漏极和栅极均连接到电流电压转换电路的输入端。本实用新型通过优化写入验证，提高了阻型存储器的写入速度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207909193U
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201721204701.2
申请日：2017-09-15
Applicant: 苏州大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本实用新型公开了一种去除椒盐噪声的图像滤波电路，包括第一右移1位逻辑模块、第二右移1位逻辑模块、第三右移1位逻辑模块、第四右移1位逻辑块、第一8位反相器、第二8位反相器、第一8位数值比较器、第二8位数值比较器、第三8位数值比较器、第四8位数值比较器模块、8位异或运算、第一8位与运算、第二8位与运算、第三8位与运算块、8位或运算、第一左移1位逻辑、第二左移1位逻辑、左移2位逻辑、8位加法器、8位缓冲器和8位均值运算。本实用新型进化滤波电路利用智能进化算法的寻优特性，通过比较样本图像滤波前后效果不断更新滤波器结构，最终寻求一组合适的函数级关系操作集合，使进化滤波电路能够得到最好的滤波效果。
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公开(公告)号：CN206505723U
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201720106322.3
申请日：2017-02-03
Applicant: 苏州大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本实用新型公开了一种基于STT‑MTJ的MRAM单元控制电路，其包括第一字线逻辑电路、负脉冲产生电路、第二字线控制电路、第一反相器和第二反相器；所述第一字线逻辑电路的输出端连接到第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接到第一字线，所述第一反相器的接地端连接到负脉冲产生电路；所述第二字线控制电路的输出端连接到第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接到第二字线。本实用新型能够补偿写0过程电流，从而有效避免写0过程产生误操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN202976857U
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201220652533.4
申请日：2012-11-30
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开提供了一种电子可编程熔丝电路，所述电子可编程熔丝电路中，电路单元只包括熔丝单元和第一薄氧MOS管，每一列电路单元共用一个厚氧MOS管，与现有技术相比，极大的减小了厚氧MOS管的数量，解决了现有技术中每个电路单元均需采用厚氧MOS管而导致的占用电路面积的问题。
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公开(公告)号：CN211045046U
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202020235667.0
申请日：2020-03-02
Applicant: 苏州大学
IPC: G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 本实用新型是一种基于FinFET工艺SRAM抗辐照单元，包括基于FinFET工艺构成的DICE抗辐照单元，所述DICE抗辐照单元包括读字线RWL和写字线WL，所述读字线RWL和写字线WL连接至相应电平，以控制PMOS传输管开关，分开读写操作。本实用新型的抗辐照单元能提高抗辐照效果，并能提高读稳定性，消除由于小尺寸上拉管工艺偏差造成的写失败问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209298118U
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201821912223.5
申请日：2018-11-20
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种阻型存储器结构，包括MOSFET管、复数个阻型存储单元和复数条对应阻型存储单元的位线；所述MOSFET管的源极连接到源极线，栅极连接到字线，漏极分别连接到各阻型存储单元的一端，各阻型存储单元的另一端连接到其对应的位线。本实用新型能够减小阻型存储器的面积，提高阻型存储器的存储密度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN201761453U
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201020255006.0
申请日：2010-07-12
Applicant: 苏州大学
IPC: B60R16/023
Abstract: 本实用新型公开了一种客车车身控制系统的可配置控制模块，包括处理器模块、以及和处理器模块分别相连的开关量输入电路、模拟量输入电路、控制信号输出电路、CAN总线通信模块和用于存储参数配置文件的存储器，可配置控制模块的所有输入、输出端口的信号类型、输出端口的控制逻辑均由参数配置文件设定。本实用新型的可配置控制模块具有灵活性和通用性的特点，不同的车型上可以安装硬件完全相同的若干个可配置控制模块，其不同参数配置文件使各个可配置控制模块具有控制不同客车车身设备的功能，从而使可编程配置客车车身控制系统具有可复用性、开发周期短、成本低的特点，且方便车辆的售后服务和备品备件管理。
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