公开(公告)号：CN114965636A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210403973.4

申请日：2022-04-18

Applicant: 苏州大学

Inventor： 封心建 ,  张曼

IPC: G01N27/327

Abstract: 本发明提供了激光直写富氧酶电极及基于其的电化学酶传感器的制备。所述富氧电化学酶传感器中的酶电极构建主要包括以下步骤：首先选取适合的基底膜利用激光使其碳化，形成多孔疏松且导电的基底；其次将碳化后的基底疏水化处理；随后，在疏水的基底上修饰用于电化学还原过氧化氢的催化剂，再修饰氧化酶层，制成富氧酶电极，构建得到所述富氧电化学酶传感器。本发明优点制备工艺简单，无环境污染问题，可大批量生产。

公开(公告)号：CN111145809A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN202010134721.7

申请日：2020-03-02

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张曼 ,  张立军 ,  张一平 ,  马亚奇

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/417

Abstract: 本发明是一种基于FinFET工艺SRAM抗辐照单元，包括基于FinFET工艺构成的DICE抗辐照单元，所述DICE抗辐照单元包括读字线RWL和写字线WL，所述读字线RWL和写字线WL连接至相应电平，以控制PMOS传输管开关，分开读写操作。本发明的抗辐照单元能提高抗辐照效果，并能提高读稳定性，消除由于小尺寸上拉管工艺偏差造成的写失败问题。

公开(公告)号：CN211045046U

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202020235667.0

申请日：2020-03-02

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张曼 ,  张立军 ,  张一平 ,  马亚奇

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/417

Abstract: 本实用新型是一种基于FinFET工艺SRAM抗辐照单元，包括基于FinFET工艺构成的DICE抗辐照单元，所述DICE抗辐照单元包括读字线RWL和写字线WL，所述读字线RWL和写字线WL连接至相应电平，以控制PMOS传输管开关，分开读写操作。本实用新型的抗辐照单元能提高抗辐照效果，并能提高读稳定性，消除由于小尺寸上拉管工艺偏差造成的写失败问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利