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公开(公告)号：CN119371445A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411278677.1
申请日：2024-09-12
Applicant: 苏州思萃新能源光电技术研究所有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种多硼氮衍生物及其制备方法和应用，该多硼氮衍生物具有式(I)的结构，其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9各自独立的表示为C1‑C24烷基、C1‑C24烷氧基、C1‑C24烷胺基、C1‑C24芳基、C1‑C24芳氧基或C1‑C24芳胺基，a、b、c、d、e、f、g、h、i各自独立的表示为0‑5的正整数且不超过被取代苯环可以取代的最高整数，Z1、Z2、Z3各自独立的表示为亚烷基、亚芳基、亚烷胺基、亚芳胺基、亚硫基、亚砜基、砜基、羰基、硒键、硫键、醚键、单键、双键或不存在。本发明采用的多硼氮衍生物，具有良好的黄色发光特性，保持了高的光致发光效率。本发明提供的合成方法，具有定向反应的特点。
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公开(公告)号：CN111192959B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010019450.0
申请日：2020-01-08
Applicant: 苏州大学
IPC: H10K71/16 , H10K85/60 , H10K10/46 , H10K101/30
Abstract: 本发明提供了一种避免基于p型窄带隙有机小分子的场效应晶体管少数载流子注入的方法及场效应晶体管。该方法包括如下步骤：在源电极和p型窄带隙有机小分子层之间，以及在漏电极和p型窄带隙有机小分子层之间均负载p型宽带隙有机半导体。本发明实施例通过在源电极和p型窄带隙有机小分子层之间，以及在漏电极和p型窄带隙有机小分子层之间均负载p型宽带隙有机半导体，从而从源头上避免了少数载流子(电子)的注入。
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公开(公告)号：CN111192960B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201811354384.1
申请日：2018-11-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构的制备方法、紫外‑可见光双波段光电探测器件及其制备方法。该钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构的制备方法包括：获得钙钛矿的二甲基甲酰胺或二甲基亚砜溶液；将上述溶液加入易挥发有机溶剂中并搅拌直至溶液呈灰褐色；将呈灰褐色溶液离心分离，去除上清液后获得钙钛矿纳米颗粒；获得钙钛矿纳米颗粒与有机半导体溶液的混合溶液；将生长基底浸入混合溶液；以预定速度提拉生长基底，从而在生长基底上获得钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构。本发明利用一种新的方法制备获得钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构，可应用在紫外‑可见光双波段光电探测器件上，并具有极高的光电性能。
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公开(公告)号：CN115172602A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210623053.3
申请日：2022-06-02
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种原子层沉积(ALD)掺杂金属氧化物复合层结构。本发明给出一种基于ALD连续沉积的宽禁带掺杂金属氧化物隧穿结，该结构包括一层ALD沉积金属氧化物电子传输层(包括TiO2，ZnO或SnO2)和一层ALD沉积掺杂氧化镍空穴传输层。该复合层结构用于钙钛矿钙钛矿叠层太阳能电池，具有寄生吸收小、沉积损伤低、保型沉积、漏电流小的优点，既可以有效的降低寄生吸收损失和漏电流，还可以减小沉积损伤，进而提升晶硅/钙钛矿叠层电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN114773366A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210284023.4
申请日：2022-03-22
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于发光器件领域，涉及一种羰基稠合的硼氮衍生物及其制备方法和应用，该羰基稠合的硼氮衍生物是在硼氮结构的基础上稠合一个影响其HOMO与LUMO能级电子云分布的羰基。本发明提出了一类新型羰基稠合的硼氮衍生物B/N/C＝O的制备方法，并将其应用于有机电致发光器件中，获得了极佳的效果；该体系扩展了TADF材料分子库，推动了具有高效率、高色纯度以及低效率滚降的有机发光二极管的应用，为日后能设计更接近商业化需求的热活化延迟荧光OLED(有机发光二极管)材料提供了一定的基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112881478B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110077097.6
申请日：2021-01-20
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于硅微/纳米线的微型化双功能气流传感器及其制备方法，微型化双功能气流传感器包括基底层，所述基底层设有沟道区；传感部件，传感部件包括硅微/纳米线，所述硅微/纳米线包括两个端部及位于两个端部之间的中间部，两个所述端部分别位于沟道区的两侧；两个端部分别连接有金属电极，金属电极连接有引线；封装层，其用于将端部封装于基底层上，中间部及引线裸露于所述封装层外。本发明利用单根硅微/纳米线形成导电回路进行气流传感，除了具有对流速检测能力外还具有对气体种类的传感能力，其制备工艺简单、成本低且拥有高灵敏度和超快响应性，当基底层为柔性高分子时器件可穿戴。
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公开(公告)号：CN113278018A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010105516.8
申请日：2020-02-20
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D417/04 , C07D413/14 , C07F5/02 , C07D417/14 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种基于吡啶的热活化延迟荧光材料，其包括式(I)所示的化合物：其中，D为给电子基团，A为吸电子基团。上述基于吡啶的热活化延迟荧光材料可用于制备在有机电致发光器件，尤其是非掺杂有机电致发光器件，解决了当前非掺杂热活化延迟荧光材料设计复杂以及存在的激子猝灭问题。
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公开(公告)号：CN111662238B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010554644.0
申请日：2020-06-17
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D241/46 , C07D265/38 , C07D279/22 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种式(I)所示的化合物，其结构式如下：其中，X选自氧原子、硫原子或苯亚胺基。以上化合物具有热活化荧光性能，该化合物中的电子受体片段仅由碳氢原子组成，能够用于制备具有低电压驱动和较高外量子效率的有机电致发光器件。
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公开(公告)号：CN110634964B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910920631.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种高效晶硅太阳电池，包括：遂穿氧化层、N型多晶硅、背面钝化层、P型硅、第一金属电极和第二金属电极，所述遂穿氧化层、所述N型多晶硅和所述背面钝化层上均开设有开槽，所述第一金属电极穿过所述开槽与所述P型硅欧姆接触，所述第一金属电极与所述N型多晶硅之间间隔设有背面钝化层，所述第二金属电极穿过所述背面钝化层并与所述N型多晶硅欧姆接触；这样简化电池制备流程，无需多次掩膜和清洗，提高了电池良率和产能，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN110938056A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201811254443.8
申请日：2018-10-26
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D335/04 , C07D409/04 , C07D409/14 , C07D413/14 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一类新型螺芴噻吨-10,10-二氧化物衍生物，其具有高的荧光量子产率和热激活延迟荧光的性质。因此以该类衍生物作为发光层的有机电致发光器件具有低驱动电压、高外量子效率以及低效率滚降的优点。
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