公开(公告)号：CN105070731A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510397013.1

申请日：2011-01-21

Applicant: 索尼公司

Inventor： 田谷圭司

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备。该半导体装置包括：栅极电极，形成在基板上，该栅极电极和该基板之间具有栅极绝缘层；绝缘层，具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度，形成在该基板的第一区域中以覆盖该栅极电极；侧壁，在该栅极电极的侧面形成为至少部分地包括该绝缘层；第一杂质区域，在形成该绝缘层前，在该基板的该第一区域中形成的该栅极电极的周边区域中通过注入第一杂质而形成；第二杂质区域，在形成该侧壁后，在该基板的第二区域中形成的该栅极电极的该侧壁的周边区域中通过注入第二杂质而形成；以及硅化物层，形成在该基板的该第二杂质区域的表面上。

公开(公告)号：CN109616484A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811167528.2

申请日：2014-03-03

Applicant: 索尼公司

Inventor： 田中裕介 ,  若野寿史 ,  田谷圭司 ,  永野隆史 ,  岩元勇人 ,  中泽圭一 ,  平野智之 ,  山口晋平 ,  丸山俊介

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供了固态成像器件和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板；光电二极管，所述光电二极管形成在所述硅基板中；传输晶体管，所述传输晶体管具有栅极电极，所述栅极电极的至少一部分嵌入所述硅基板中；和第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型，其中所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分在平面图中与所述光电二极管重叠，以及其中所述第一半导体区域环绕所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分。

公开(公告)号：CN104718622B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201380053203.0

申请日：2013-10-10

Applicant: 索尼公司

Inventor： 梅林拓 ,  田谷圭司 ,  井上肇 ,  金村龙一

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体部，它包括在它一侧的第一布线层，所述第一半导体部还包括光电二极管；第二半导体部，它包括在它一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被紧固在一起；第三半导体部，它包括在它一侧的第三布线层，所述第二半导体部和所述第三半导体部被紧固在一起以使所述第一半导体部、所述第二半导体部和所述第三半导体部被堆叠在一起；以及第一导电材料，其将(i)所述第一布线层、(ii)所述第二布线层和(iii)所述第三布线层之中的至少两者电连接，以使得被电连接的布线层处于电气通信。

公开(公告)号：CN104995734A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480009183.1

申请日：2014-03-03

Applicant: 索尼公司

Inventor： 田中裕介 ,  若野寿史 ,  田谷圭司 ,  永野隆史 ,  岩元勇人 ,  中泽圭一 ,  平野智之 ,  山口晋平 ,  丸山俊介

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14612 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供了固态成像器件、固态成像器件的制造方法和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板和形成在所述硅基板中的至少第一光电二极管。所述器件还包括外延层和传输晶体管，所述外延层的第一表面与所述硅基板的表面相邻，且所述传输晶体管的栅极电极从所述至少第一光电二极管延伸至所述外延层的与所述第一表面相对的第二表面。在其它实施例中，提供了具有多个像素的固态成像器件，所述多个像素形成在第二半导体基板中，且所述多个像素关于中心点对称。浮动扩散部形成在外延层中，且提供了多个传输栅极电极，每个所述传输栅极电极通过一个所述传输栅极电极电连接到所述浮动扩散部。

公开(公告)号：CN102157535B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201110023602.5

申请日：2011-01-21

Applicant: 索尼公司

Inventor： 田谷圭司

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备。该半导体装置包括：栅极电极，形成在基板上，该栅极电极和该基板之间具有栅极绝缘层；绝缘层，具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度，形成在该基板的第一区域中以覆盖该栅极电极；侧壁，在该栅极电极的侧面形成为至少部分地包括该绝缘层；第一杂质区域，在形成该绝缘层前，在该基板的该第一区域中形成的该栅极电极的周边区域中通过注入第一杂质而形成；第二杂质区域，在形成该侧壁后，在该基板的第二区域中形成的该栅极电极的该侧壁的周边区域中通过注入第二杂质而形成；以及硅化物层，形成在该基板的该第二杂质区域的表面上。

公开(公告)号：CN102683366A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210058232.3

申请日：2012-03-07

Applicant: 索尼公司

Inventor： 荻田知治 ,  山本笃志 ,  田谷圭司 ,  大塚洋一 ,  田渕清隆

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685

Abstract: 一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备。该固态成像装置包括：像素，每个像素都具有用于将入射光转换为电信号的光电转换元件；滤色器，与像素相对应，并且具有多个滤色器部件；微型透镜，将入射光通过滤色器会聚到光电转换元件；遮光膜，设置在滤色器的滤色器部件之间；以及非平坦的粘合剂膜，设置在滤色器和遮光膜之间。