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公开(公告)号：CN113923388B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202111021660.4
申请日：2017-02-14
Applicant: 索尼公司
Inventor： 丸山俊介
IPC: H04N25/63 , H04N25/76 , H01L27/146
Abstract: 本技术涉及可以抑制暗电流并抑制画质劣化的固态摄像装置。固态摄像装置包括保护膜，该保护膜被配置成覆盖光电转换单元的加工部端面，所述加工部端面是所述像素阵列区域的最外周，在所述像素阵列区域中，像素以行和列的方式二维地布置，所述像素各者包括具有化合物半导体、非晶硅、锗、量子点光电转换膜或有机光电转换膜中的一者的光电转换单元。本技术例如能够应用于固态摄像装置等。
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公开(公告)号：CN109616484B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201811167528.2
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了固态成像器件和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板；光电二极管，所述光电二极管形成在所述硅基板中；传输晶体管，所述传输晶体管具有栅极电极，所述栅极电极的至少一部分嵌入所述硅基板中；和第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型，其中所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分在平面图中与所述光电二极管重叠，以及其中所述第一半导体区域环绕所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分。
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公开(公告)号：CN108702471B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201780011203.2
申请日：2017-02-14
Applicant: 索尼公司
Inventor： 丸山俊介
IPC: H04N5/361 , H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本技术涉及可以抑制暗电流并抑制画质劣化的固态摄像装置。固态摄像装置设置有像素阵列区域，其中，像素以矩阵形式二维地布置，像素各者包括具有化合物半导体、非晶硅、锗、量子点光电转换膜或有机光电转换膜中的一者的光电转换单元。像素阵列区域在其最外周或有效像素区域的外侧具有电压施加像素，该电压施加像素是始终施加有固定电压的像素。本技术例如能够应用于固态摄像装置等。
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公开(公告)号：CN108369967B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201680074813.2
申请日：2016-11-15
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L31/10 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/02 , H01L31/0264 , H04N5/33 , H04N5/369
Abstract: 本发明的光接收元件包括：光电转换层，所述光电转换层包含第一化合物半导体，并且吸收红外区域中的波长以产生电荷；多个接触层，所述多个接触层包含第二化合物半导体，并且在所述光电转换层上彼此间隙地间隔设置；和覆盖层，所述覆盖层形成为覆盖所述光电转换层的前表面中的对应于所述间隙的部分和所述各接触层的侧表面，并且包含IV族半导体。
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公开(公告)号：CN113224096A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110429058.8
申请日：2014-10-24
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及半导体装置、固态成像元件和电子设备。其中，半导体装置可包括：在其中形成多个元件的元件形成单元；和叠置在所述元件形成单元上并且形成有连接所述元件的配线的配线单元，其中以下各部件配置在所述元件形成单元中被构造成受光影响的无源元件，形成配置在所述无源元件周围的周边电路的有源元件，和形成在所述无源元件和所述有源元件之间的构造物，使得在所述元件形成单元的厚度方向上所述构造物的前端与所述元件形成单元的背面或前面之间的间隙为短波长400nm以下的规定间隔，并且由抑制光传播的材料形成，并且其中在平面图中，形成一个或多个所述构造物的构造物形成区域包围形成所述有源元件的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108702471A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780011203.2
申请日：2017-02-14
Applicant: 索尼公司
Inventor： 丸山俊介
IPC: H04N5/361 , H01L27/146 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14623 , H04N5/361 , H04N5/369
Abstract: 本技术涉及可以抑制暗电流并抑制画质劣化的固态摄像装置。固态摄像装置设置有像素阵列区域，其中，像素以矩阵形式二维地布置，像素各者包括具有化合物半导体、非晶硅、锗、量子点光电转换膜或有机光电转换膜中的一者的光电转换单元。像素阵列区域在其最外周或有效像素区域的外侧具有电压施加像素，该电压施加像素是始终施加有固定电压的像素。本技术例如能够应用于固态摄像装置等。
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公开(公告)号：CN105531822A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480048183.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H04N5/357 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L31/09 , H04N5/357 , H04N5/374
Abstract: 本公开涉及一种可以抑制由于热载流子发光造成的不利影响的半导体装置、固态成像元件和电子设备。本发明中，在其中形成多个元件的元件形成单元和形成有连接所述元件的配线的配线单元被叠置。构造物形成在接收光并进行光电转换的光接收元件和形成配置在所述光接收元件周围的周边电路的有源元件之间，使得在所述元件形成单元的厚度方向上的间隙不超过规定间隔，并且由抑制光传播的材料形成。本技术例如可以适用于背面照射型固态成像元件。
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公开(公告)号：CN116404020A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310293532.8
申请日：2017-05-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 根据本发明的实施例的受光元件包括：多个像素；多个像素公共的光电转换层；第一电极层，其设置在所述光电转换层的光入射面侧，其中，所述第一电极层包括多个第一电极，且其中，针对所述多个像素中的每一像素设置至少一个所述第一电极；遮光部，其埋设在所述第一电极层的相邻的所述第一像素之间；和第一半导体层，其设置在所述光电转换层和所述第一电极层之间，其中，所述遮光部的一个面延伸至所述第一半导体层的内部。本发明的受光元件可以抑制混色发生。
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公开(公告)号：CN113923388A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111021660.4
申请日：2017-02-14
Applicant: 索尼公司
Inventor： 丸山俊介
IPC: H04N5/361 , H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 本技术涉及可以抑制暗电流并抑制画质劣化的固态摄像装置。固态摄像装置包括保护膜，该保护膜被配置成覆盖光电转换单元的加工部端面，所述加工部端面是所述像素阵列区域的最外周，在所述像素阵列区域中，像素以行和列的方式二维地布置，所述像素各者包括具有化合物半导体、非晶硅、锗、量子点光电转换膜或有机光电转换膜中的一者的光电转换单元。本技术例如能够应用于固态摄像装置等。
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公开(公告)号：CN104995734B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201480009183.1
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了固态成像器件、固态成像器件的制造方法和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板和形成在所述硅基板中的至少第一光电二极管。所述器件还包括外延层和传输晶体管，所述外延层的第一表面与所述硅基板的表面相邻，且所述传输晶体管的栅极电极从所述至少第一光电二极管延伸至所述外延层的与所述第一表面相对的第二表面。在其它实施例中，提供了具有多个像素的固态成像器件，所述多个像素形成在第二半导体基板中，且所述多个像素关于中心点对称。浮动扩散部形成在外延层中，且提供了多个传输栅极电极，每个所述传输栅极电极通过一个所述传输栅极电极电连接到所述浮动扩散部。
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