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公开(公告)号：CN106133912B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201580015676.0
申请日：2015-03-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及在进行普通成像以外的特定处理时能够提高驱动速度并降低耗电的固态图像传感器、电子装置和成像方法。本发明设置有用于输出用来构建图像的像素信号的像素和对所述像素进行驱动的逻辑电路，且包括通过将形成有多个所述像素的第一半导体基板和形成有所述逻辑电路的第二半导体基板接合在一起而获得堆叠结构。此外，在所述多个像素中，特定像素是输出在对所述图像进行成像的成像处理以外的特定处理中使用的像素信号的像素，所述特定像素独立于正常像素连接至所述逻辑电路，所述正常像素是所述特定像素之外的像素。本技术例如能够应用于层叠型固态图像传感器。
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公开(公告)号：CN107068705B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710116321.1
申请日：2012-03-07
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及能抑制滤色器分离的成像装置和包括该成像装置的电子设备。该成像装置包括：多个光电转换元件；多个滤色器部件，所述多个滤色器部件设置在所述多个光电转换元件上方，并包括第一滤色器部件和与所述第一滤色器部件相邻的第二滤色器部件；遮光部，在截面图中，所述遮光部的至少一部分设置在所述第一滤色器部件与所述第二滤色器部件之间；以及粘合剂膜，在所述截面图中，所述粘合剂膜的至少一部分设置在所述第一滤色器部件与所述遮光部之间，其中，所述粘合剂膜的面对所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件的表面是非平坦的，且其中，在所述截面图中，所述粘合剂膜的厚度小于所述遮光部的厚度。
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公开(公告)号：CN105070731B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201510397013.1
申请日：2011-01-21
Applicant: 索尼公司
Inventor： 田谷圭司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备。该半导体装置包括：栅极电极，形成在基板上，该栅极电极和该基板之间具有栅极绝缘层；绝缘层，具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度，形成在该基板的第一区域中以覆盖该栅极电极；侧壁，在该栅极电极的侧面形成为至少部分地包括该绝缘层；第一杂质区域，在形成该绝缘层前，在该基板的该第一区域中形成的该栅极电极的周边区域中通过注入第一杂质而形成；第二杂质区域，在形成该侧壁后，在该基板的第二区域中形成的该栅极电极的该侧壁的周边区域中通过注入第二杂质而形成；以及硅化物层，形成在该基板的该第二杂质区域的表面上。
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公开(公告)号：CN106133912A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015676.0
申请日：2015-03-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及在进行普通成像以外的特定处理时能够提高驱动速度并降低耗电的固态图像传感器、电子装置和成像方法。本发明设置有用于输出用来构建图像的像素信号的像素和对所述像素进行驱动的逻辑电路，且包括通过将形成有多个所述像素的第一半导体基板和形成有所述逻辑电路的第二半导体基板接合在一起而获得堆叠结构。此外，在所述多个像素中，特定像素是输出在对所述图像进行成像的成像处理以外的特定处理中使用的像素信号的像素，所述特定像素独立于正常像素连接至所述逻辑电路，所述正常像素是所述特定像素之外的像素。本技术例如能够应用于层叠型固态图像传感器。
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公开(公告)号：CN106129077A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610626493.9
申请日：2012-03-07
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及能抑制滤色器分离的成像装置和包括该成像装置的电子设备。该成像装置包括：多个光电转换元件；多个滤色器部件，所述多个滤色器部件包括第一滤色器部件和第二滤色器部件；遮光部，在截面图中，所述遮光部的至少一部分布置在所述第一滤色器部件与所述第二滤色器部件之间；以及粘合剂膜，在所述截面图中，所述粘合剂膜的至少一部分布置在所述第一滤色器部件与所述遮光部之间，其中，所述粘合剂膜的面对所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件的表面是非平坦的，且其中，所述粘合剂膜层的厚度小于所述遮光部的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110265414B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201910189180.5
申请日：2013-10-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置，其包括：第一半导体部，包括第一布线层、位于与第一侧相对的第二侧的光电二极管、至少一个传输晶体管、复位晶体管和放大晶体管；第二半导体部，包括第二布线层和多个晶体管，第一和第二半导体部被紧固在一起；第三半导体部，包括第三布线层，第二和第三半导体部被紧固在一起；以及第一导体，与第一布线层和第二半导体部中的第二导体连接，其中，第二导体的一部分在第二半导体部中横向延伸，第二导体还与第二布线层和第三布线层连接，第二导体的一部分位于所述第二半导体部中与第一侧相对的第二侧，且多个晶体管在垂直方向上位于所述一部分和所述第二布线层的布线之间。
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公开(公告)号：CN109461747B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201811167443.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了成像器件和电子装置。更具体地，成像器件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面是光入射侧；光电转换区域，所述光电转换区域设置在所述第一半导体层中；第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述第一半导体层的所述第二表面上；第二半导体层，所述第二半导体层具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，所述第二半导体层的所述第三表面面向所述第一半导体层的所述第二表面；和第二晶体管，所述第二晶体管设置在所述第二半导体层的所述第四表面上。
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公开(公告)号：CN106129077B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610626493.9
申请日：2012-03-07
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及能抑制滤色器分离的成像装置和包括该成像装置的电子设备。该成像装置包括：多个光电转换元件；多个滤色器部件，所述多个滤色器部件包括第一滤色器部件和第二滤色器部件；遮光部，在截面图中，所述遮光部的至少一部分布置在所述第一滤色器部件与所述第二滤色器部件之间；以及粘合剂膜，在所述截面图中，所述粘合剂膜的至少一部分布置在所述第一滤色器部件与所述遮光部之间，其中，所述粘合剂膜的面对所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件的表面是非平坦的，且其中，所述粘合剂膜层的厚度小于所述遮光部的厚度。
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公开(公告)号：CN109461747A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811167443.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了成像器件和电子装置。更具体地，成像器件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面是光入射侧；光电转换区域，所述光电转换区域设置在所述第一半导体层中；第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述第一半导体层的所述第二表面上；第二半导体层，所述第二半导体层具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，所述第二半导体层的所述第三表面面向所述第一半导体层的所述第二表面；和第二晶体管，所述第二晶体管设置在所述第二半导体层的所述第四表面上。
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公开(公告)号：CN106098716B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201610623971.0
申请日：2012-03-07
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及能抑制滤色器分离的成像装置和包括该成像装置的电子设备。该成像装置包括：多个光电转换元件；多个滤色器部件，所述多个滤色器部件包括第一滤色器部件和第二滤色器部件；遮光部，在截面图中，所述遮光部的至少一部分布置在所述第一滤色器部件与所述第二滤色器部件之间；以及透明膜，在所述截面图中，所述透明膜的至少一部分布置在所述第一滤色器部件与所述遮光部之间，其中，所述透明膜的面对所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件的表面是非平坦的，且所述透明膜的厚度小于所述遮光部的厚度。
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