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公开(公告)号：CN111799288A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010552753.9
申请日：2014-06-20
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/10 , H04N5/225 , H04N5/359 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N9/04 , G02B1/118
Abstract: 本发明涉及光检测器件以及电子装置。该光检测器件包括：半导体基板，其光接收表面包含第一蛾眼结构和第二蛾眼结构；位于半导体基板中的第一光电转换区域；位于半导体基板中的第二光电转换区域，其邻近所述第一光电转换区域；沟槽，其布置在第一和第二光电转换区域之间；第一滤色器，其布置在第一蛾眼结构上方；和第二滤色器，其布置在第二蛾眼结构上方，其中，第一光电转换区域构造为接收穿过第一滤色器和第一蛾眼结构的第一光，且第二光电转换区域构造为接收穿过第二滤色器和第二蛾眼结构的第二光，其中，第一滤色器的峰值光谱灵敏度不同于第二滤色器，且其中，第一和第二蛾眼结构具有相同形状。本发明能够抑制混色恶化并提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN102683366A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210058232.3
申请日：2012-03-07
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备。该固态成像装置包括：像素，每个像素都具有用于将入射光转换为电信号的光电转换元件；滤色器，与像素相对应，并且具有多个滤色器部件；微型透镜，将入射光通过滤色器会聚到光电转换元件；遮光膜，设置在滤色器的滤色器部件之间；以及非平坦的粘合剂膜，设置在滤色器和遮光膜之间。
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公开(公告)号：CN108549121B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201810298758.6
申请日：2014-06-20
Applicant: 索尼公司
IPC: G02B1/118 , H01L27/146 , H01L31/0232 , H04N5/369
Abstract: 本发明涉及能够在抑制混色恶化的同时提高灵敏度的固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子装置。所述固态成像器件包括：基板；第一光电转换区域，其设置在所述基板中；第二光电转换区域，其设置在所述基板中；沟槽，其布置在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间；第一蛾眼结构，其在所述基板的布置在所述第一光电转换区域上方的光接收侧上；第二蛾眼结构，其在所述基板的布置在所述第二光电转换区域上方的光接收侧上；第一平坦部，其布置在所述基板上，所述第一平坦部位于所述沟槽和所述第一蛾眼结构之间；以及第二平坦部，其布置在所述基板上，所述第二平坦部位于所述沟槽和所述第二蛾眼结构之间。
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公开(公告)号：CN111799289A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010552776.X
申请日：2014-06-20
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/10 , H04N5/225 , H04N5/359 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N9/04 , G02B1/118
Abstract: 本发明涉及光检测器件以及电子装置。该光检测器件包括：半导体基板，其光接收表面包含第一蛾眼结构和第二蛾眼结构；位于半导体基板中的第一光电转换区域；位于半导体基板中的第二光电转换区域，其邻近所述第一光电转换区域；沟槽，其布置在第一和第二光电转换区域之间；第一滤色器，其布置在第一蛾眼结构上方；和第二滤色器，其布置在第二蛾眼结构上方，其中，第一光电转换区域构造为接收穿过第一滤色器和第一蛾眼结构的第一光，且第二光电转换区域构造为接收穿过第二滤色器和第二蛾眼结构的第二光，其中，第一滤色器的峰值光谱灵敏度不同于第二滤色器，且其中，第一和第二蛾眼结构具有不同形状。本发明能够抑制混色恶化并提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN106133912B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201580015676.0
申请日：2015-03-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及在进行普通成像以外的特定处理时能够提高驱动速度并降低耗电的固态图像传感器、电子装置和成像方法。本发明设置有用于输出用来构建图像的像素信号的像素和对所述像素进行驱动的逻辑电路，且包括通过将形成有多个所述像素的第一半导体基板和形成有所述逻辑电路的第二半导体基板接合在一起而获得堆叠结构。此外，在所述多个像素中，特定像素是输出在对所述图像进行成像的成像处理以外的特定处理中使用的像素信号的像素，所述特定像素独立于正常像素连接至所述逻辑电路，所述正常像素是所述特定像素之外的像素。本技术例如能够应用于层叠型固态图像传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068705B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710116321.1
申请日：2012-03-07
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及能抑制滤色器分离的成像装置和包括该成像装置的电子设备。该成像装置包括：多个光电转换元件；多个滤色器部件，所述多个滤色器部件设置在所述多个光电转换元件上方，并包括第一滤色器部件和与所述第一滤色器部件相邻的第二滤色器部件；遮光部，在截面图中，所述遮光部的至少一部分设置在所述第一滤色器部件与所述第二滤色器部件之间；以及粘合剂膜，在所述截面图中，所述粘合剂膜的至少一部分设置在所述第一滤色器部件与所述遮光部之间，其中，所述粘合剂膜的面对所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件的表面是非平坦的，且其中，在所述截面图中，所述粘合剂膜的厚度小于所述遮光部的厚度。
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公开(公告)号：CN108549121A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810298758.6
申请日：2014-06-20
Applicant: 索尼公司
IPC: G02B1/118 , H01L27/146 , H01L31/0232 , H04N5/369
Abstract: 本发明涉及能够在抑制混色恶化的同时提高灵敏度的固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子装置。所述固态成像器件包括：基板；第一光电转换区域，其设置在所述基板中；第二光电转换区域，其设置在所述基板中；沟槽，其布置在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间；第一蛾眼结构，其在所述基板的布置在所述第一光电转换区域上方的光接收侧上；第二蛾眼结构，其在所述基板的布置在所述第二光电转换区域上方的光接收侧上；第一平坦部，其布置在所述基板上，所述第一平坦部位于所述沟槽和所述第一蛾眼结构之间；以及第二平坦部，其布置在所述基板上，所述第二平坦部位于所述沟槽和所述第二蛾眼结构之间。
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公开(公告)号：CN106133912A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015676.0
申请日：2015-03-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及在进行普通成像以外的特定处理时能够提高驱动速度并降低耗电的固态图像传感器、电子装置和成像方法。本发明设置有用于输出用来构建图像的像素信号的像素和对所述像素进行驱动的逻辑电路，且包括通过将形成有多个所述像素的第一半导体基板和形成有所述逻辑电路的第二半导体基板接合在一起而获得堆叠结构。此外，在所述多个像素中，特定像素是输出在对所述图像进行成像的成像处理以外的特定处理中使用的像素信号的像素，所述特定像素独立于正常像素连接至所述逻辑电路，所述正常像素是所述特定像素之外的像素。本技术例如能够应用于层叠型固态图像传感器。
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公开(公告)号：CN106129077A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610626493.9
申请日：2012-03-07
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及能抑制滤色器分离的成像装置和包括该成像装置的电子设备。该成像装置包括：多个光电转换元件；多个滤色器部件，所述多个滤色器部件包括第一滤色器部件和第二滤色器部件；遮光部，在截面图中，所述遮光部的至少一部分布置在所述第一滤色器部件与所述第二滤色器部件之间；以及粘合剂膜，在所述截面图中，所述粘合剂膜的至少一部分布置在所述第一滤色器部件与所述遮光部之间，其中，所述粘合剂膜的面对所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件的表面是非平坦的，且其中，所述粘合剂膜层的厚度小于所述遮光部的厚度。
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公开(公告)号：CN111799290A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010552822.6
申请日：2014-06-20
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/10 , H04N5/225 , H04N5/359 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N9/04 , G02B1/118
Abstract: 本发明涉及光检测器件以及电子装置。该光检测器件包括：半导体基板，所述半导体基板的光接收表面包含第一防反射部；以及第一光电转换区域，所述第一光电转换区域位于所述半导体基板中并包含第一光电转换元件，其中，所述第一防反射部形成在所述第一光电转换区域中，并位于所述第一光电转换元件上方。本发明能够抑制混色恶化并提高灵敏度。
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