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公开(公告)号：CN109461747B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201811167443.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了成像器件和电子装置。更具体地，成像器件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面是光入射侧；光电转换区域，所述光电转换区域设置在所述第一半导体层中；第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述第一半导体层的所述第二表面上；第二半导体层，所述第二半导体层具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，所述第二半导体层的所述第三表面面向所述第一半导体层的所述第二表面；和第二晶体管，所述第二晶体管设置在所述第二半导体层的所述第四表面上。
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公开(公告)号：CN109461747A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811167443.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了成像器件和电子装置。更具体地，成像器件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面是光入射侧；光电转换区域，所述光电转换区域设置在所述第一半导体层中；第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述第一半导体层的所述第二表面上；第二半导体层，所述第二半导体层具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，所述第二半导体层的所述第三表面面向所述第一半导体层的所述第二表面；和第二晶体管，所述第二晶体管设置在所述第二半导体层的所述第四表面上。
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公开(公告)号：CN101834192A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010126975.0
申请日：2010-03-04
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/544 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法。固态图像拾取装置包括：硅层；形成在硅层中的像素部分，用于处理并输出对入射光线实施光电转换所得到的信号电荷；对准标记，形成在硅层中像素部分的外围；以及接触部分，在硅层的第一表面上形成的布线层内的第一电极和通过绝缘膜在与硅层的第一表面相对的第二表面上形成的第二电极通过该接触部分连接起来，其中，对准标记和接触部分由相同的导电材料制成的导电层形成并且通过相同的材料制成的相应的绝缘层形成在相应的孔内，每个孔完全地延伸通过硅层。
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公开(公告)号：CN104995734B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201480009183.1
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了固态成像器件、固态成像器件的制造方法和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板和形成在所述硅基板中的至少第一光电二极管。所述器件还包括外延层和传输晶体管，所述外延层的第一表面与所述硅基板的表面相邻，且所述传输晶体管的栅极电极从所述至少第一光电二极管延伸至所述外延层的与所述第一表面相对的第二表面。在其它实施例中，提供了具有多个像素的固态成像器件，所述多个像素形成在第二半导体基板中，且所述多个像素关于中心点对称。浮动扩散部形成在外延层中，且提供了多个传输栅极电极，每个所述传输栅极电极通过一个所述传输栅极电极电连接到所述浮动扩散部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101826538A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010124971.9
申请日：2010-03-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/544
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L21/76256 , H01L21/784 , H01L27/105 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了固态摄像元件、制作该元件的方法及使用该元件的电子设备。固态摄像元件包括：多个像素，所述多个像素中的每个都具有用于将入射光的量转换为电信号的光电转换部分以及多个像素晶体管；布线层，其形成在其中形成有多个像素的半导体衬底的一个表面那一侧，由相应的一个光电转换部分来接收从与其上形成布线层的一个表面相反的那一侧入射的光；划线，其形成在由多个像素组成的像素部分的周围；以及方形的终端检测部分，每个终端检测部分都具有比半导体衬底更高的硬度并且形成在划线中；其中，每个方形的终端检测部分都具有与半导体衬底的划线的方向相平行的边。
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公开(公告)号：CN109616484B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201811167528.2
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了固态成像器件和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板；光电二极管，所述光电二极管形成在所述硅基板中；传输晶体管，所述传输晶体管具有栅极电极，所述栅极电极的至少一部分嵌入所述硅基板中；和第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型，其中所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分在平面图中与所述光电二极管重叠，以及其中所述第一半导体区域环绕所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分。
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公开(公告)号：CN109616484A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811167528.2
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了固态成像器件和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板；光电二极管，所述光电二极管形成在所述硅基板中；传输晶体管，所述传输晶体管具有栅极电极，所述栅极电极的至少一部分嵌入所述硅基板中；和第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型，其中所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分在平面图中与所述光电二极管重叠，以及其中所述第一半导体区域环绕所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分。
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公开(公告)号：CN104995734A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480009183.1
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14647 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了固态成像器件、固态成像器件的制造方法和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板和形成在所述硅基板中的至少第一光电二极管。所述器件还包括外延层和传输晶体管，所述外延层的第一表面与所述硅基板的表面相邻，且所述传输晶体管的栅极电极从所述至少第一光电二极管延伸至所述外延层的与所述第一表面相对的第二表面。在其它实施例中，提供了具有多个像素的固态成像器件，所述多个像素形成在第二半导体基板中，且所述多个像素关于中心点对称。浮动扩散部形成在外延层中，且提供了多个传输栅极电极，每个所述传输栅极电极通过一个所述传输栅极电极电连接到所述浮动扩散部。
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公开(公告)号：CN101826538B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010124971.9
申请日：2010-03-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/544
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L21/76256 , H01L21/784 , H01L27/105 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了固态摄像元件、制作该元件的方法及使用该元件的电子设备。固态摄像元件包括：多个像素，所述多个像素中的每个都具有用于将入射光的量转换为电信号的光电转换部分以及多个像素晶体管；布线层，其形成在其中形成有多个像素的半导体衬底的一个表面那一侧，由相应的一个光电转换部分来接收从与其上形成布线层的一个表面相反的那一侧入射的光；划线，其形成在由多个像素组成的像素部分的周围；以及方形的终端检测部分，每个终端检测部分都具有比半导体衬底更高的硬度并且形成在划线中；其中，每个方形的终端检测部分都具有与半导体衬底的划线的方向相平行的边。
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