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公开(公告)号：CN116666459A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310574169.7
申请日：2023-05-17
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/861 , H01L29/16 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种能够实现快速响应的穿通型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括SiC衬底、SiC外延层、第一电极和第二电极，其中，SiC外延层包括位于SiC衬底上表面的基区以及嵌入在基区上表面且彼此间隔的若干个发射区，发射区与SiC衬底具有相同的掺杂类型，发射区与基区具有相反的掺杂类型；第一电极设置在SiC外延层上表面，由位于发射区上表面的若干个发射极以及位于基区上表面的若干个基极短接组成，其中，若干个发射极与若干个基极交替接触设置；第二电极位于SiC衬底的下表面。本发明通过在基区表面离子注入形成若干个均匀分布的发射区，并将基极与发射极短接，有效削弱正偏PN结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积效应，大幅提高了器件的钳位响应速度。
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公开(公告)号：CN114121656B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111397485.9
申请日：2021-11-23
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于硅衬底的新型HEMT器件的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了器件，该器件包括衬底、AlN成核层、超晶格缓冲层、UID‑GaN层、GaN缓冲层、掺硅的AlGaN背势垒层、GaN沟道层、第二AlGaN势垒层、GaN沟道层、第一AlGaN势垒层、栅介质层、漏电极、源电极、栅极以及Si3N4钝化层，GaN缓冲层由UID‑GaN、掺碳GaN和掺铁GaN薄层周期性循环生长而成，本发明在AlGaN/GaN异质结外延过程中采用超晶格作为底层缓冲层，可以减少GaN材料与Si衬底的晶格不匹配，此外，通过在超晶格缓冲层上刻蚀大于或等于6个凹孔并在凹孔内填充UID‑GaN，可以进一步减少GaN材料与Si衬底晶格不匹配产生的应力，同时又能减少Si衬底外延时的翘曲以及电流崩塌，从而提高AlGaN/GaN HEMT器件的横向击穿电压。
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公开(公告)号：CN116581148A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310688461.1
申请日：2023-06-09
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/06 , H01L23/48 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种欧姆接触基极与发射极短接的穿通型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括SiC衬底、SiC外延层、第一电极和第二电极，其中，SiC外延层包括位于SiC衬底上表面的基区、嵌入在基区上表面交替分布的若干个发射区和若干个基极接触区，发射区与SiC衬底掺杂类型相同，与基区相反；基极接触区与基区掺杂类型相同，与SiC衬底相反；第一电极设置在SiC外延层上表面，由位于发射区上表面的若干个发射极以及位于基极接触区上表面的若干个基极短接组成。本发明通过在基区表面离子注入形成若干个均匀分布的发射区和基极接触区，并将基极与发射极短接，有效削弱正偏PN结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积效应，大幅提高了器件的钳位响应速度。
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公开(公告)号：CN116426898A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310422945.1
申请日：2023-04-14
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Inventor： 常娟雄 , 王一 , 杨林安 , 黄永 , 卢灏 , 陈兴 , 吴勇 , 王东 , 韩超 , 陈财 , 龚子刚 , 万坤 , 董栩婷 , 邵语嫣 , 陆俊 , 薛荣宇 , 何祺伟 , 解靖飞 , 王亦飞 , 张畅
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓的外延生长方法及氮化镓外延层的制备方法，其中氮化镓的外延生长方法包括如下步骤：在衬底上生长多孔氧化铝掩膜层；多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔贯穿多孔氧化铝掩膜层；在多孔氧化铝掩膜层内的纳米孔内生长氮化铝填充层；去除氧化铝掩膜层；在氮化铝填充层内以及氮化铝填充层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层生长氮化镓外延层。本发明中的方法，将大量位错终止在氮化铝填充层与氮化镓缓冲层的界面处，提高生长于氮化镓缓冲层上的氮化镓外延层的质量。
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公开(公告)号：CN116230553A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310201566.X
申请日：2023-02-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/48 , H01L23/373 , C30B29/04 , C30B28/14
Abstract: 本发明公开了一种散热集成半导体器件的制备方法及半导体器件，其中的方法包括如下步骤：在衬底上生长半导体器件结构层，并在半导体器件结构层的第一表面上生长导电电极；在第一表面上生长第一介质层，第一介质层覆盖导电电极；在第一介质层上生长第一金刚石散热层；刻蚀去除衬底以显露半导体器件结构层的第二表面，并在第二表面上生长第二介质层；在第二介质层上生长第二金刚石散热层。本发明中的方法，能够提高制备得到的散热率较高且质量较好的器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116180222A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310201556.6
申请日：2023-02-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: C30B25/12 , C30B25/16 , C30B25/20 , C30B29/04 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开了一种单晶金刚石外延生长方法，包括如下步骤：将单晶金刚石衬底焊接于第一钼托上；在单晶金刚石衬底上进行同质外延生长，直至生长得到的第一金刚石外延层的厚度达到第一预设厚度；将第一金刚石外延层焊接于第二钼托上的第一生长凹槽内，直至生长得到的第二金刚石外延层的厚度与第一生长凹槽的深度的差值达到预设差值；将第二金刚石外延层焊接于第三钼托上的第二生长凹槽内，直至生长得到的第三金刚石外延层的厚度与第二生长凹槽的深度的差值达到预设差值；重复外延生长，直至得到第二预设厚度的单晶金刚石外延层。本发明中的方法，能够减小外延生长过程中的应力集中和应力累积，防止单晶金刚石外延层出现裂纹。
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公开(公告)号：CN116008967A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211643938.6
申请日：2022-12-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光回波定时游动误差校正方法及系统，该方法通过多个幅度数据得到幅度‑时间校准曲线，根据幅度‑时间校准曲线得到补偿值，进而得到校准时间值，通过数字信号处理对游动误差校准，无需增加模拟电路规模，不影响系统灵敏度与测距精度，避免了回波信号下降沿的拖尾现象所导致的补偿精度损失。同时，通过硬件拟合并计算实现较为耗费时间与资源。而通过本系统计算结束之后，将计算结果以幅度‑时间校准曲线展现，使用时直接读取，这种方式可以显著提升校准的速度，并且节省了计算逻辑的硬件资源。
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公开(公告)号：CN115966598A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211691889.3
申请日：2022-12-27
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Inventor： 陈军飞 , 李逸江 , 任泽阳 , 苏凯 , 孟金涛 , 朱潦亮 , 王东 , 吴勇 , 陈兴 , 许琦辉 , 丁森川 , 李俊鹏 , 黄思源 , 费一帆 , 马源辰 , 何琦 , 张金风
IPC: H01L29/16 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种增强型金刚石场效应晶体管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在本征金刚石层上生长p型掺杂金刚石层；对p型掺杂金刚石层的器件表面进行氢终端处理，以在p型掺杂金刚石层的器件表面形成氢终端导电层；去除栅极位置区域的氢终端导电层，并在栅极位置区域两侧的氢终端导电层上分别淀积源电极和漏电极；在p型掺杂金刚石层上的栅极位置区域生长栅介质层，并在栅介质层上淀积栅电极。本发明中的方法，能够制备得到大电流增强型金刚石场效应晶体管器件。
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公开(公告)号：CN115855999A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211615823.6
申请日：2022-12-15
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种金刚石样品的SEM检测方法，包括如下步骤：将金刚石样品置于微波等离子体化学气相淀积设备内，并在第一预设温度下采用氢等离子气体对金刚石样品进行表面处理第一预设时间长度，以在金刚石样品表面形成氢离子悬挂键，获得中间样品；第一预设温度在200℃‑500℃之间；将中间样品浸入金属离子溶液中第二预设时间后取出，获得待检测样品；使用导电粘接剂将待检测样品粘接于测试底座上，并使用SEM设备进行表面检测；对待检测样品进行多次超声清洗，以去除待检测金样品表面的金属离子，还原得到中间样品。本发明中的方法，能够清楚的采集到的金刚石样品的SEM微观结构图，且实施成本较低。
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公开(公告)号：CN115743147A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211012392.4
申请日：2022-08-23
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种L2+级别自动驾驶域控制器、车辆定位的方法及自动泊车方法，涉及一种控制器，控制器包括一控制主板，所述控制主板上集成有多种连接器、中央处理器MCU、4G/5G模组、蓝牙模组、IMU姿态传感器模组、串行器、解串器、以太网交换机、CAN收发器、传感器硬件电路、多个集成图像处理器的SOC、热管理控制系统；同时将超声波雷达控制器和摄像头ISP模组集成到域控制器中；通过在域控制器上使用视觉SLAM实现建图及定位，从而实现AVP功能；本发明有效减少车辆零部件数量，增加多种功能，有效降低整车生产与售后的成本；提高内聚程度，降低耦合程度；能够满足ADAS域控制器的散热需求，为自动驾驶汽车域控制器正常使用提供保障。
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