公开(公告)号：CN111326590A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN202010101995.6

申请日：2020-02-19

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  陈道坤

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述半导体装置包括：衬底；在所述衬底上的第一半导体层；在所述第一半导体层中的掺杂区，所述掺杂区和所述第一半导体层具有不同的导电类型；在所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层的材料的禁带宽度大于所述第一半导体层的材料的禁带宽度；和在所述第二半导体层上且与所述第二半导体层之间形成肖特基接触的第一金属层。

公开(公告)号：CN113948375A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202010684352.9

申请日：2020-07-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/06

Abstract: 涉及半导体基材粒子掺杂技术领域，本申请公开一种提高半导体有源区杂质激活率的方法及其应用。所述一种提高半导体有源区杂质激活率的方法，包括以下步骤：在第一温度下，向基材有源区注入第一粒子；在第二温度下，向所述有源区再注入第二粒子；所述第一粒子的注入能量小于所述第二粒子的注入能量。与现有技术相比，本申请降低了整个掺杂工艺条件及成本，有效提高有源区杂质激活率。

公开(公告)号：CN113809183A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202010528815.2

申请日：2020-06-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种MPS二极管器件及其制备方法，该包括MPS二极管器件并联设置的多个元胞，其中：每个元胞包括阴极电极以及依次形成于阴极电极上的衬底、外延层、缓冲层和阳极电极，外延层背离衬底的一侧形成有两个有源区，缓冲层的禁带宽度大于外延层的禁带宽度且缓冲层的材质与外延层的材质为同素异形体，缓冲层中与有源区相对的位置形成有第一开孔，第一开孔内形成有欧姆金属层。该MPS二极管器件在降低反向漏电损耗的同时降低了正向导通损耗，使得反向漏电和正向工作电压这两个性能参数同时得以改善，从而使得该MPS二极管器件的性能更好。

公开(公告)号：CN212517215U

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202021074035.7

申请日：2020-06-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329

Abstract: 本实用新型涉及电子器件技术领域，公开了一种MPS二极管器件，该包括MPS二极管器件并联设置的多个元胞，其中：每个元胞包括阴极电极以及依次形成于阴极电极上的衬底、外延层、缓冲层和阳极电极，外延层背离衬底的一侧形成有两个有源区，缓冲层的禁带宽度大于外延层的禁带宽度且缓冲层的材质与外延层的材质为同素异形体，缓冲层中与有源区相对的位置形成有第一开孔，第一开孔内形成有欧姆金属层。该MPS二极管器件在降低反向漏电损耗的同时降低了正向导通损耗，使得反向漏电和正向工作电压这两个性能参数同时得以改善，从而使得该MPS二极管器件的性能更好。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN214411204U

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202022807782.3

申请日：2020-11-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  陈道坤 ,  曾丹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底的一侧表面上生长有外延层；形成在所述外延层上的量子点传输层；形成在所述量子点传输层上的栅氧层。如此设置，本申请提供的半导体器件，其能够在保证栅极可靠性地基础上降低Vth。

公开(公告)号：CN216928558U

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202220257944.7

申请日：2022-02-08

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  李春艳

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/498

Abstract: 本申请涉及一种散热电路板以及散热模块，涉及半导体技术领域。其中，散热模块包括散热电路板和功率芯片，散热电路板与功率芯片之间设置有焊料层，散热电路板包括沿远离功率芯片的方向依次层叠设置的第一散热基板、第二散热基板和第三散热基板，功率芯片通过焊料层与第一散热基板连接；第二散热基板的厚度大于散热电路板总厚度的1/7。本申请通过调整第二散热基板的厚度，提高了散热模块的散热效果，降低了各层材料发生松弛甚至裂纹的几率。