公开(公告)号：CN118692936A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410762141.0

申请日：2024-06-13

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 邱舜国 ,  李辉斌 ,  周璇 ,  周天彪 ,  钟泳生 ,  郭国强

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供了一种测试片的制造方法及测试方法，包括：在碳化硅晶圆上生长氧化层；剥除所述氧化层；在碳化硅晶圆上生长栅氧化层；在生长好的栅氧化层上沉积多晶硅层；对多晶硅层进行刻蚀，以形成凹槽，在凹槽的两侧形成测试部；去除碳化硅晶圆上背离所述测试部一侧的多晶硅层和所述氧化层，在所述碳化硅晶圆远离所述测试部的一面上制作金属电极，从而形成测试片，本发明的测试片的制造方法解决了碳化硅功率场效应管器件的栅氧化层性能不方便检测的技术问题。

公开(公告)号：CN222418845U

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202421285856.3

申请日：2024-06-05

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 李辉斌 ,  邱舜国 ,  周天彪 ,  钟泳生 ,  陈铭杰

IPC: G01B5/00 ,  G01B5/30 ,  H01L21/66

Abstract: 本实用新型提供了一种晶圆片翘曲测量装置，晶圆片翘曲测量装置包括：接触感应件，用于与待测晶圆片的下表面的下凸位置接触；升降件，至少部分设置在接触感应件上方，升降件相对于接触感应件沿竖直方向可运动地设置，升降件的上端用于与待测晶圆片底部外周位置接触以支撑待测晶圆片；测量尺，测量尺上标有尺寸刻度，测量尺设置在升降件上且与升降件沿竖直方向相互平行，以随升降件运动，以解决现有技术中缺少能够精确地测量超薄晶圆片的翘曲值的装置的问题。