公开(公告)号：CN106219480B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201610532815.3

申请日：2016-07-07

Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司

Inventor： 甘先锋 ,  杨水长 ,  王宏臣 ,  王鹏 ,  孙瑞山 ,  陈文礼

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外3D MEMS系统结构及其制作方法，涉及非制冷红外3D MEMS结构领域。目的在于采用新的MEMS结构后，解决了传统结构受像元尺寸的缩小无法解决器件平坦化的问题，以及解决了多层工艺导致金属互联困难的问题，并解决了器件像元缩小后，尽可能维持氧化钒的面积并减少了桥腿的热导，确保器件性能不降低的问题，并采用蜂窝状结构，增加了红外吸收因子。介质层中部设有凹槽，反射层位于介质层中部凹槽的上表面，反射层的上方依次为第一层牺牲层和第二层牺牲层，且所述第一层牺牲层位于介质层中部凹槽中。把第一层牺牲层结构埋在电路的介质中进行制作，有利于后面小尺寸线宽和小像元的制作。

公开(公告)号：CN107128872A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710328761.3

申请日：2017-05-11

Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司

Inventor： 邱栋 ,  杨水长 ,  王鹏 ,  王宏臣 ,  陈文礼

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B7/0009 ,  B81B2201/02 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00388 ,  B81C1/00396

Abstract: 本发明涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器，包括半导体基座、金属反射层、绝缘介质层、支撑层、保护层、金属电极层、热敏层，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述第二保护层设置所述热敏层上，所述第二保护层上设有偏振结构，所述偏振结构包括光栅支撑层和设置在所述光栅支撑层上金属光栅结构，采用微桥倒置，微桥下面没有支撑桥墩，结构不容易产生变形；采用了三层微桥结构，第一层为红外辐射吸收结构，第二层为热绝缘微桥结构，第三层为偏振结构，有效提升像素的填充系数及提高入射红外辐射的吸收效率；还涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器的制备方法，两层牺牲层可以连续进行蚀刻，晶圆表面非常平整。

公开(公告)号：CN106629582A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201710037831.X

申请日：2017-01-19

Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司

Inventor： 杨水长 ,  陈文礼 ,  牟晓宇 ,  孙传彬 ,  曲婷

IPC: B81C1/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81C99/001 ,  B81C1/00873 ,  B81C1/00896

Abstract: 本发明涉及一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，包括以下步骤：贴UV膜，将晶圆正面朝下放置在贴膜机中间悬空的真空吸盘正中央；切割，采用台阶切割，两步切割连续完成，前切刀片切割的厚度为晶圆总厚度的20％～60％，后切刀片将晶圆划透；清洗和甩干，将固定在锈钢框架上的晶圆整体放在可旋转的陶瓷密孔吸盘上，陶瓷密孔吸盘固定不锈钢框架的四周，陶瓷密孔吸盘上方设有喷液系统，喷液系统包含若干个可左右摆动喷洒溶液的喷头，喷头喷洒液体清洗晶圆，陶瓷密孔吸盘高速旋转，将废液甩出；照射；对晶圆进行扩膜；利用芯片拾取设备将芯片从UV膜取下放入托盘中；把托盘放在去胶机设备中，进行结构释放。不需要两次对位，保证了两次切割位置的精准性。

公开(公告)号：CN208937193U

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201821575498.4

申请日：2018-09-26

Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司

Inventor： 甘先锋 ,  杨水长 ,  王宏臣 ,  陈文礼 ,  王鹏

IPC: G01J5/14 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本实用新型公开了一种非制冷红外探测器，其中用于将红外探测层中的热敏薄膜层与读出电路电连接的锚点为实心锚点。相比于现有技术中的空心锚点，实心锚点可以有效增加锚点的结构强度以及减小热敏薄膜层与读出电路之间的接触电阻，从而在保证一定的结构强度以及热敏薄膜层与读出电路之间一定的接触电阻的条件下，可以有效减小锚点的体积，从而便于非制冷红外探测器的小型化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208796979U

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201821203812.6

申请日：2018-07-27

Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司

Inventor： 甘先锋 ,  杨水长 ,  孙俊杰 ,  王宏臣 ,  陈文礼

IPC: H01L23/26

Abstract: 本实用新型属于高真空电子器件领域，公开了一种三维吸气剂薄膜结构，包括衬底、凸出部，所述凸出部以以阵列排布方式分布于所述衬底的表面；以及吸气剂薄膜，所述吸气剂薄膜均匀沉积在所述凸出部和未被所述凸出部覆盖的衬底表面。采用本实用新型，具有提高吸气剂薄膜单位占用面积吸气性能的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利