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公开(公告)号：CN103678974A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310684504.5
申请日：2013-12-13
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G06F21/31 , G06F17/30386
Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光控制系统的远程访问客户端，用于工艺人员访问化学机械抛光控制系统的晶圆加工信息数据库，方便工艺人员浏览其权限内全部晶圆加工信息记录。其中，晶圆加工信息数据库由MySQL数据库管理系统构建，运行在独立的服务器上，客户端用于向服务器发送对晶圆加工信息数据库的访问请求，以通过服务器获取访问晶圆加工信息数据库的权限，从而读取本权限内的信息。本发明的实施例可实现工艺人员远程登录远端的晶圆加工信息数据库，并根据其权限对数据库中的晶圆加工信息数据进行相应的操作，另外，该客户端安全、可靠、高效且操作方便。
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公开(公告)号：CN103676880A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310684501.1
申请日：2013-12-13
Applicant: 清华大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明提出一种CMP集成控制系统的通讯模块，该CMP集成控制系统包括：主工控机、下位机组和二级工控机，该通讯模块用于实现主工控机与下位机组和二级工控机之间的通讯，其包括：OPC访问子模块和TCP/IP访问子模块，且两个子模块并行工作；主工控机通过OPC访问子模块从下位机组获取多个工艺单元的状态信息和过程参数，并向下位机组发送控制多个工艺单元运行的控制指令、工艺配方及工艺参数，以及通过TCP/IP访问子模块向二级工控机发送控制指令以便二级工控机控制被集成单元执行相应的动作，并接收二级工控机的反馈。本发明实施例的通讯模块具有安全、稳定及可靠的优点，且该通讯模块便于维护，可扩展性好。
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公开(公告)号：CN103218751A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310148657.8
申请日：2013-04-25
Applicant: 清华大学
IPC: G06Q50/04
CPC classification number: Y02P90/30
Abstract: 本发明提出一种基于XML的半导体装备的工艺配方文档处理系统，包括：下位机组，下位机组与装备的各工艺单元相连，用于接收和存储当前工艺配方，并根据当前工艺配方的参数控制各工艺单元的正常运行；上位机，上位机与下位机组相连，用于根据工艺需求创建、编辑和保存工艺配方文档，并对工艺配方文档进行解析，以将解析后的工艺配方内容下载到下位机组中。在上位机中，所有工艺配方文档均以XML文件格式处理，工艺人员可利用处理系统的图形用户界面对工艺配方文档进行各项常规性操作。本发明实施例的处理系统便于管理半导体装备工艺配方文档，省时省力、防止人为出错且节约人工成本。
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公开(公告)号：CN113959326A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111506801.1
申请日：2021-12-10
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明公开了一种能够防止金属污染的金属膜厚测量装置，包括：电涡流传感器，其包括磁芯和线圈，线圈沿磁芯的周向缠绕在磁芯的外周壁上，电涡流传感器还包括电磁屏蔽壳，电磁屏蔽壳的芯层由金属材料制成，并且表面涂覆有非金属材料层以防止金属离子污染；前置信号处理模块，与电涡流传感器连接，用于对电涡流传感器输入正弦激励信号，并通过电涡流传感器采集与金属膜厚相关的电压信号；数据采集处理模块，与前置信号处理模块连接，用于接收前置信号处理模块输出的电压信号将其转换为数字信号，并根据预存的厚度标定表将数字信号转换为对应的膜厚值；通讯模块，用于实现数据采集处理模块与上位机之间的通讯。
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公开(公告)号：CN113471094A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110895311.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供了一种膜厚测量方法和化学机械抛光设备，其中，方法包括：获取膜厚测量装置距金属薄膜的距离和金属薄膜的材质；根据所述距离和材质，确定相应的标定曲线，所述标定曲线用于表征膜厚测量装置的输出信号与膜厚之间的映射关系；实时获取所述膜厚测量装置的输出信号；根据所述标定曲线和所述输出信号，得到当前的金属薄膜的膜厚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112729096A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011620335.5
申请日：2020-12-30
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明公开了一种用于化学机械抛光的金属膜厚测量装置，包括：电涡流传感器，其包括磁芯和线圈，所述线圈沿所述磁芯的周向缠绕在所述磁芯的外周壁上；前置信号处理模块，与所述电涡流传感器连接，用于对所述电涡流传感器输入固定频率的正弦激励信号，并通过所述电涡流传感器采集与金属膜厚相关的电压信号；数据采集处理模块，与所述前置信号处理模块连接，用于接收所述前置信号处理模块输出的所述电压信号将其转换为数字信号，并根据预存的厚度标定表将所述数字信号转换为对应的膜厚值；通讯模块，用于实现所述数据采集处理模块与上位机之间的通讯。
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公开(公告)号：CN103678974B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310684504.5
申请日：2013-12-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光控制系统的远程访问客户端，用于工艺人员访问化学机械抛光控制系统的晶圆加工信息数据库，方便工艺人员浏览其权限内全部晶圆加工信息记录。其中，晶圆加工信息数据库由MySQL数据库管理系统构建，运行在独立的服务器上，客户端用于向服务器发送对晶圆加工信息数据库的访问请求，以通过服务器获取访问晶圆加工信息数据库的权限，从而读取本权限内的信息。本发明的实施例可实现工艺人员远程登录远端的晶圆加工信息数据库，并根据其权限对数据库中的晶圆加工信息数据进行相应的操作，另外，该客户端安全、可靠、高效且操作方便。
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公开(公告)号：CN105773397A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610139592.4
申请日：2016-03-09
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
IPC: B24B37/005 , B24B49/16
Abstract: 本发明提出一种化学机械抛光多区压力在线控制算法，包括以下步骤：分别获取抛光头的各压力分区的零点偏移量；根据抛光头的各压力分区的零点偏移量，分别对CMP抛光头系统的各路气压传感器的测量值进行修正，并将修正后的测量值作为各路气压传感器的最终输出值；计算各路气压传感器的最终输出值与对应压力分区的预设压力值之间的偏差量；根据偏差量实时计算CMP抛光头系统的相应电气比例阀的控制量；根据控制量对相应电气比例阀的开度进行控制。本发明的控制算法简便有效，方便调节，同时具有较强的适应能力。
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公开(公告)号：CN105701320A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610133292.5
申请日：2016-03-09
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068 , G06F2217/12
Abstract: 本发明提出一种多压力分区抛光头的静态加压控制算法，包括获取各压力分区的平均零点偏移量；根据各压力分区的平均零点偏移量，分别对各路气压传感器的测量值进行修正，并将修正后的测量值作为各路气压传感器的最终输出值；合理修正各压力分区的预设压力值，并将压力修正值作为实际参与运算的压力设定值；计算各路气压传感器的最终输出值与对应压力分区的压力设定值之间的偏差量；根据偏差量计算CMP抛光头系统的相应电气比例阀的控制量；最终实现各分区实际压力快速稳定在工艺人员预设的压力值上。本发明的控制算法简洁有效，在程序运行时大大减少了计算量，而且参数调节方便，可较好地应用于CMP工艺前后的装卸片等静态加压过程。
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公开(公告)号：CN103268382A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310204940.8
申请日：2013-05-28
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开一种晶圆铜膜厚度离线测量模块控制系统，采用上层控制系统和底层控制系统的两级控制模式，上层控制系统和底层控制系统之间通过工业以太网实现物理连接，其中，底层控制系统中，采用可编程控制器PLC负责直接控制离线测量模块的各个部分；上层控制系统中，采用工控机IPC通过PLC实时监控离线测量模块的状态，并为工艺人员提供操作软件，实现数据的管理。根据工艺需求，设置XY模式和全局模式两种主要测量模式。工艺流程分为标定和测量。上层控制系统软件利用Matlab实现绘图子程序，方便主程序灵活调用。本发明具有无损测试、操作简单、便于维护以及安全可靠的优点。
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