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公开(公告)号：CN110549240B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910881051.2
申请日：2019-09-18
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种终点检测方法和化学机械抛光装置，其中方法包括：获取抛光监测模块采集的测量值；利用所述测量值组成用于表征基板表面膜层随时间变化的时间序列数据线；采用拉依达准则获取所述时间序列数据线的拐点；根据所述拐点出现的时间确定抛光终点。本发明提高了终点检测的准确性。
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公开(公告)号：CN106289040B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610872138.X
申请日：2016-09-30
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明提出一种用于晶圆铜层厚度多点测量的标定系统，包括：电涡流传感器；数据采集装置，采集电涡流传感器输出的采样信号；数据库模块，用于存储计算铜层厚度所需的多点标定表；上层控制系统，用于存储标定数据库，并接收数据采集装置传输的采样信号，并对采样信号进行数据处理后，根据选定的多点标定表计算晶圆表面铜层多点的厚度测量值，并对在计算完成后，上层控制系统根据测量点序，进行测量值与测量点坐标的一一匹配，并将匹配结果按照预设格式进行保存。本发明可以很好地消除测量过程中提离高度波动所造成的测量误差，从而保证测量准确度，同时具有简单可靠的优点。
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公开(公告)号：CN106323152B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610802034.1
申请日：2016-09-05
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明公开了一种CMP金属膜厚测量数据的离线分段处理方法和处理系统，该方法包括：读取晶圆表面金属膜厚变化数据；如果最终金属膜厚度的采样信号幅值大于干扰信号幅值，设定第一幅度阈值；根据第一幅度阈值从膜厚数据中获取测量信号段的上升沿和下降沿；根据测量信号段的上升沿和下降沿确定测量信号段的中心位置；根据测量信号段的中心位置取测量信号段中心区间内所有点的平均值作为相应测量信号段的测量值。本发明可有效消除干扰信号的影响，进而计算出实际工艺过程中晶圆表面金属层的厚度变化。
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公开(公告)号：CN106289040A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610872138.X
申请日：2016-09-30
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明提出一种用于晶圆铜层厚度多点测量的标定系统，包括：电涡流传感器；数据采集装置，采集电涡流传感器输出的采样信号；数据库模块，用于存储计算铜层厚度所需的多点标定表；上层控制系统，用于存储标定数据库，并接收数据采集装置传输的采样信号，并对采样信号进行数据处理后，根据选定的多点标定表计算晶圆表面铜层多点的厚度测量值，并对在计算完成后，上层控制系统根据测量点序，进行测量值与测量点坐标的一一匹配，并将匹配结果按照预设格式进行保存。本发明可以很好地消除测量过程中提离高度波动所造成的测量误差，从而保证测量准确度，同时具有简单可靠的优点。
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公开(公告)号：CN103324131B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310204691.2
申请日：2013-05-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开一种晶圆铜膜厚度在线测量模块控制系统，采用上层控制系统和底层控制系统的两级控制模式，两层控制系统之间通过工业以太网实现物理连接。其中，底层控制系统利用可编程逻辑控制器PLC，负责直接控制化学机械抛光单元的在线测量模块，并建立专用的存储区临时存储测量模块在工艺过程中采集到的数据。上层控制系统采用工控机IPC，通过底层控制系统监控在线测量模块的运行，并利用OPC技术主动读取底层存储区中的数据，完成数据的处理，为工艺人员提供操作软件。基于工艺需求，本发明的控制系统设置了标定和测量两种模式，并可分组存储多个标定表以消除不同工艺配方对测量结果的影响。本发明具有无损测试、操作简单、便于维护、良好的可扩展性以及安全可靠的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103700601A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310684514.9
申请日：2013-12-13
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/67282 , H01L22/20
Abstract: 本发明提出一种用于测量晶圆表面铜膜厚度的标定方法和测量方法及装置，其中标定方法包括以下步骤：选定晶圆铜膜上的标定点分布，并根据标定点分布确定每片晶圆铜膜上的K个标定点坐标；在m片晶圆铜膜上，依次采集传感器探头在K个标定点的电压值和零点位置的输出电压值，并分别计算K个标定点和零点位置的电压差，以消除传感器的零点漂移；以及根据m片晶圆铜膜上的K个标定点和零点位置的电压差以及m片晶圆铜膜上的K个标定点的真实厚度值得到表示每个标定点上的电压差与厚度值对应关系的标定曲线。本发明采用多点标定的方法，消除了晶圆在测量过程中由提离高度的波动所造成的测量误差，提高了测量精度，满足了工艺人员的使用需要。
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公开(公告)号：CN115464556B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202211115522.7
申请日：2022-09-14
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
IPC: B24B49/10 , B24B37/013 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B37/005
Abstract: 本发明公开了一种金属膜厚测量方法和化学机械抛光设备，其中方法包括：利用电涡流传感器测量晶圆表面的金属薄膜的厚度，所述电涡流传感器包括依次叠放的检测线圈、激励线圈和补偿线圈；获取所述电涡流传感器的输出电压得到特征值，所述特征值等于输出电压的实部与虚部的比值，所述特征值与被测金属膜厚呈线性关系；根据所述特征值确定被测金属膜厚。
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公开(公告)号：CN114473843B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202111658914.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/013 , B24B37/04 , B24B37/34 , B24B49/10
Abstract: 本发明公开了一种金属膜厚测量方法和化学机械抛光设备，其中方法包括：根据待测的金属薄膜的材质，确定膜厚测量装置在该材质下的标定关系，其中，所述标定关系用于表征K值与金属膜厚的映射关系，所述K值用于表征所述膜厚测量装置的输出信号的虚部与实部的比值；使用所述膜厚测量装置探测所述待测的金属薄膜，采集所述膜厚测量装置的输出信号并计算K值；根据计算的K值和所述标定关系，确定所述待测的金属薄膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN110549240A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910881051.2
申请日：2019-09-18
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种终点检测方法和化学机械抛光装置，其中方法包括：获取抛光监测模块采集的测量值；利用所述测量值组成用于表征基板表面膜层随时间变化的时间序列数据线；采用拉依达准则获取所述时间序列数据线的拐点；根据所述拐点出现的时间确定抛光终点。本发明提高了终点检测的准确性。
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公开(公告)号：CN110044249A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910365388.8
申请日：2019-04-30
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: G01B7/06 , B24B37/005 , B24B37/04
Abstract: 本发明适用于化学机械抛光技术领域，提供了一种膜厚测量方法、系统及化学机械抛光装置，其中方法包括：获取膜厚传感器的输出信号与晶圆膜厚的映射关系；利用所述映射关系，将所述膜厚传感器在线测量时输出的信号值转换为膜厚值。实现了快速而准确的在线膜厚测量。
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