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公开(公告)号：CN119482521A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411126548.0
申请日：2024-08-16
Applicant: 云南电网有限责任公司 , 清华大学
IPC: H02J3/24 , G06Q10/0631 , G06Q50/06 , H02J3/28
Abstract: 本发明公开了一种储能参与一次调频的容量需求评估方法及系统，涉及电力调控技术领域，包括根据输入的电力网络参数构建调频动态方程；基于能量反馈修正的下垂控制策略确定储能容量需求；根据调频动态方程与下垂控制策略控制的储能，构建系统遭受的有功扰动到系统频率偏差的传递函数；分析不同情况下的阻尼状态，求出不同阻尼状态下的最大能量偏差，即为一次调频的容量需求。本发明相较于传统方法，能显著降低储能参与一次调频容量需求评估结果的保守性，有助于放宽储能SOC的变化范围，从而提高储能的利用率。
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公开(公告)号：CN102564287B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110421573.8
申请日：2011-12-15
Applicant: 清华大学
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明公开了一种利用晶圆台测量晶圆的膜厚度的方法。所述方法包括：A)所述晶圆台的升降装置向上移动至高位，利用机械手将晶圆传输到所述升降装置上，然后所述机械手移出；B)利用真空产生器对所述晶圆台的通气孔和凹槽抽真空，然后所述升降装置向下移动至低位以便所述晶圆吸附在所述晶圆台的非金属盘上；C)利用电涡流传感器对所述晶圆进行全局膜厚测量；D)向所述通气孔和所述凹槽内通入气体，随后所述升降装置向上移动至所述高位以便将所述非金属盘上的所述晶圆抬起；和E)利用所述机械手将所述晶圆取走。根据本发明实施例的利用晶圆台测量晶圆的膜厚度的方法具有自动化程度高的优点。
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公开(公告)号：CN103700601A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310684514.9
申请日：2013-12-13
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/67282 , H01L22/20
Abstract: 本发明提出一种用于测量晶圆表面铜膜厚度的标定方法和测量方法及装置，其中标定方法包括以下步骤：选定晶圆铜膜上的标定点分布，并根据标定点分布确定每片晶圆铜膜上的K个标定点坐标；在m片晶圆铜膜上，依次采集传感器探头在K个标定点的电压值和零点位置的输出电压值，并分别计算K个标定点和零点位置的电压差，以消除传感器的零点漂移；以及根据m片晶圆铜膜上的K个标定点和零点位置的电压差以及m片晶圆铜膜上的K个标定点的真实厚度值得到表示每个标定点上的电压差与厚度值对应关系的标定曲线。本发明采用多点标定的方法，消除了晶圆在测量过程中由提离高度的波动所造成的测量误差，提高了测量精度，满足了工艺人员的使用需要。
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公开(公告)号：CN103234449A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310170146.6
申请日：2013-05-09
Applicant: 清华大学
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明提出了一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法，包括以下步骤：将电涡流传感器置于与导体膜间隔预定距离的位置；向电涡流传感器输入预定频率范围的交变电流作为激励信号；获取电涡流传感器的等效阻抗随激励信号的频率的变化关系曲线，以便得到等效阻抗的实部与激励信号的频率的比值；得到比值随所述激励信号的频率变化的关系曲线；得到关系曲线中的峰值点的激励频率；比较待测导体膜对应的峰值激励频率与标样的峰值激励频率，以得到待测导体膜的厚度值。该方法可以简便、快速地测量导体膜厚度，且能够减小提离波动对厚度测量的影响，从而提高测量精度。本发明还提出了一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置。
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公开(公告)号：CN103234449B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310170146.6
申请日：2013-05-09
Applicant: 清华大学
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明提出了一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法，包括以下步骤：将电涡流传感器置于与导体膜间隔预定距离的位置；向电涡流传感器输入预定频率范围的交变电流作为激励信号；获取电涡流传感器的等效阻抗随激励信号的频率的变化关系曲线，以便得到等效阻抗的实部与激励信号的频率的比值；得到比值随所述激励信号的频率变化的关系曲线；得到关系曲线中的峰值点的激励频率；比较待测导体膜对应的峰值激励频率与标样的峰值激励频率，以得到待测导体膜的厚度值。该方法可以简便、快速地测量导体膜厚度，且能够减小提离波动对厚度测量的影响，从而提高测量精度。本发明还提出了一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102564378B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201110452341.9
申请日：2011-12-29
Applicant: 清华大学
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明提出一种用于晶圆台的晶圆膜厚度测量的误差补偿方法，包括测量系统误差；控制升降气缸升起以接收晶圆并启动吸盘对晶圆进行吸附，控制升降气缸下降；控制电机旋转以检测晶圆的缺口并根据晶圆的缺口建立晶圆极坐标系；在建立晶圆极坐标系后，控制电机停止并退回至晶圆的缺口并控制吸盘卸载晶圆以及控制升降气缸升起；控制电机旋转以检测电机的零位点，根据电机的零位点建立电机极坐标系；控制电机停止并退回至电机的零位点，并控制吸盘吸附晶圆以及控制升降气缸下降；利用晶圆测量系统对晶圆进行测量以得到初始膜厚值并根据系统误差对初始膜厚值进行补偿。本发明可以实现对测量得到的晶圆的膜厚度进行误差补偿，得到更为精确的晶圆的膜厚。
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公开(公告)号：CN102564378A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110452341.9
申请日：2011-12-29
Applicant: 清华大学
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明提出一种用于晶圆台的晶圆膜厚度测量的误差补偿方法，包括测量系统误差；控制升降气缸升起以接收晶圆并启动吸盘对晶圆进行吸附，控制升降气缸下降；控制电机旋转以检测晶圆的缺口并根据晶圆的缺口建立晶圆极坐标系；在建立晶圆极坐标系后，控制电机停止并退回至晶圆的缺口并控制吸盘卸载晶圆以及控制升降气缸升起；控制电机旋转以检测电机的零位点，根据电机的零位点建立电机极坐标系；控制电机停止并退回至电机的零位点，并控制吸盘吸附晶圆以及控制升降气缸下降；利用晶圆测量系统对晶圆进行测量以得到初始膜厚值并根据系统误差对初始膜厚值进行补偿。本发明可以实现对测量得到的晶圆的膜厚度进行误差补偿，得到更为精确的晶圆的膜厚。
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公开(公告)号：CN102538655B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210004915.0
申请日：2012-01-09
Applicant: 清华大学
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明公开了一种导体膜的厚度的测量装置和测量导体膜的厚度的方法。所述导体膜的厚度的测量装置包括：电涡流传感器；测力传感器，测力传感器与电涡流传感器相连用于测量电涡流传感器受到的导体膜的电磁力的大小；前置信号处理模块，前置信号处理模块与电涡流传感器相连用于向电涡流传感器输入具有预定频率的交变电流，前置信号处理模块与测力传感器相连用于获得测力传感器的测量信号且将测量信号转换为模拟电信号；和数据采集模块，数据采集模块与前置信号处理模块相连用于在交变电流的预定相位时采集前置信号处理模块提供的模拟电信号并将模拟电信号转换为数字信号。根据本发明实施例的测量装置可以简便地、快速地测量导体膜的厚度。
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公开(公告)号：CN103677832A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310683081.5
申请日：2013-12-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种晶圆铜膜厚度的绘图方法及系统，其中方法包括以下步骤：获取晶圆铜膜厚度的测量数据；根据测量数据的测量模式确定测量点的坐标分布，并将测量数据和各个测量点坐标一一对应；根据测量点坐标分布和测量数据绘制晶圆铜膜厚度的视图。根据本发明实施例的绘图方法，通过测量模式确定多个测量点分布，并根据每个测量点的坐标和其铜膜厚度绘制晶圆铜膜厚度的视图，该方法满足了用户的绘图功能需求，降低了绘图功能的开发难度，同时使用方便灵活。
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公开(公告)号：CN103268382A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310204940.8
申请日：2013-05-28
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开一种晶圆铜膜厚度离线测量模块控制系统，采用上层控制系统和底层控制系统的两级控制模式，上层控制系统和底层控制系统之间通过工业以太网实现物理连接，其中，底层控制系统中，采用可编程控制器PLC负责直接控制离线测量模块的各个部分；上层控制系统中，采用工控机IPC通过PLC实时监控离线测量模块的状态，并为工艺人员提供操作软件，实现数据的管理。根据工艺需求，设置XY模式和全局模式两种主要测量模式。工艺流程分为标定和测量。上层控制系统软件利用Matlab实现绘图子程序，方便主程序灵活调用。本发明具有无损测试、操作简单、便于维护以及安全可靠的优点。
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