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公开(公告)号：CN106833389A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710016530.9
申请日：2017-01-10
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/30625
Abstract: 本发明涉及一种适用于砷化镓晶片的化学机械抛光组合物，属于微电子辅助材料及超精密加工工艺技术领域。本发明所述组合物包含酸性二氧化硅溶胶、表面保护膜形成剂、催化氧化剂、唑类化合物、表面活性剂和去离子水。采用本发明的组合物进行砷化镓晶片表面抛光，具有去除速率高，抛光性能稳定，并能直接稀释使用等特点，抛后表面质量高，表面粗糙度Ra可达0.615纳米，表面无划伤、凹坑等缺陷，适用于光电子领域和微电子领域。
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公开(公告)号：CN106189873A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610584904.2
申请日：2016-07-22
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物，属于化学机械抛光(CMP)领域。本发明所述组合物包含氧化铈粉，酸性二氧化硅溶胶，表面保护膜形成剂，唑类化合物及氧化铈二氧化硅桥联剂，去离子水；各组分配比为：氧化铈粉5～30wt％；酸性二氧化硅溶胶0.1～5wt％；氧化铈二氧化硅桥联剂0.01～0.5wt％；表面保护膜形成剂0.1～2wt％；唑类化合物0.1～1wt％；去离子水余量。本发明为适应超薄玻璃在低压条件下的快速抛光，开发出一种新的抛光组合物，可在低压下明显提升玻璃抛光速率，获得粗糙度更低的玻璃表面。
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公开(公告)号：CN119490793A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311052019.6
申请日：2023-08-18
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 本申请提供了一种抛光浆料和抛光方法。该抛光浆料包括溶剂和分散于溶剂的磨料、稳定剂、络合剂以及缓蚀剂；络合剂可为具有C2‑C20的胺类化合物，胺类化合物含有至少两个胺基，络合剂在所述抛光浆料中的质量占比可为0.05％～0.2％；缓蚀剂可为有机膦酸，有机膦酸选自膦羧酸或羟基亚乙基二膦酸中的至少一种；缓蚀剂在所述抛光浆料中的质量占比可为0.005％～0.04％。利用该抛光浆料可以提高芯片中钴的去除速率和高的去除速率选择比，并获得良好的抛光表面。
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公开(公告)号：CN115849430B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202211705104.3
申请日：2022-12-29
IPC: C01F17/235 , C01F17/10 , C09K3/14 , C09G1/04
Abstract: 本发明提供了一种单分散纳米氧化铈的制备方法、纳米氧化铈研磨液及其应用，该方法以碳酸铈作为制备原料，在进行高温煅烧之前，向碳酸铈分散液中加入可分解的含羧基和氨基的有机物，高温煅烧过程中，含羧基和氨基的有机物在高温作用下先行发生反应，生成具有类似小仓室的缩合产物，进一步地，碳酸铈在高温作用下发生分解，生成的氧化铈晶核在这些小仓室的分隔作用下规矩的生长，最终得到颗粒形状均一、保持单分散状态且无明显硬团聚的氧化铈晶体，而缩合产物最终在高温的作用下完全挥发排除。本发明通过对氧化铈制备方法的优化改进，实现在高温煅烧过程中获得单分散的纳米氧化铈的目的，改进后的制备方法操作简单，便于商业推广。
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公开(公告)号：CN109048644B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201811220718.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , H01L21/304 , B08B3/02 , B08B13/00
Abstract: 本发明公开了一种晶圆的处理装置及处理方法、化学机械抛光系统。晶圆的处理装置包括：驱动组件以及处理组件，所述驱动组件带动所述晶圆旋转的同时所述处理组件绕垂直于所述晶圆表面的轴线摆动以向所述晶圆表面喷射流体。根据本发明实施例的处理装置在对晶圆进行处理时，可以防止损坏晶圆，处理效果好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115464556A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211115522.7
申请日：2022-09-14
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
IPC: B24B49/10 , B24B37/013 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B37/005
Abstract: 本发明公开了一种金属膜厚测量方法和化学机械抛光设备，其中方法包括：利用电涡流传感器测量晶圆表面的金属薄膜的厚度，所述电涡流传感器包括依次叠放的检测线圈、激励线圈和补偿线圈；获取所述电涡流传感器的输出电压得到特征值，所述特征值等于输出电压的实部与虚部的比值，所述特征值与被测金属膜厚呈线性关系；根据所述特征值确定被测金属膜厚。
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公开(公告)号：CN110549240B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910881051.2
申请日：2019-09-18
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种终点检测方法和化学机械抛光装置，其中方法包括：获取抛光监测模块采集的测量值；利用所述测量值组成用于表征基板表面膜层随时间变化的时间序列数据线；采用拉依达准则获取所述时间序列数据线的拐点；根据所述拐点出现的时间确定抛光终点。本发明提高了终点检测的准确性。
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公开(公告)号：CN106449454B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201610875764.4
申请日：2016-09-29
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种晶圆表面铜层厚度多点测量系统，包括：机械臂；晶圆转盘，用于吸附晶圆并带动晶圆旋转；电涡流传感器，传感器探头设置于机械臂上，以随机械臂直线运动；控制模块，用于根据XY模式或全局模式控制晶圆的旋转运动与传感器探头的直线运动相互配合，以完成晶圆表面铜层的多点测量。该测量系统可以通过电涡流检测方法多点测量晶圆铜层厚度，从而对晶圆表面铜层厚度进行准确有效的测量，进而为后续的工艺参数优化提供可靠依据，提高了测量的准确度。
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公开(公告)号：CN106289040B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610872138.X
申请日：2016-09-30
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明提出一种用于晶圆铜层厚度多点测量的标定系统，包括：电涡流传感器；数据采集装置，采集电涡流传感器输出的采样信号；数据库模块，用于存储计算铜层厚度所需的多点标定表；上层控制系统，用于存储标定数据库，并接收数据采集装置传输的采样信号，并对采样信号进行数据处理后，根据选定的多点标定表计算晶圆表面铜层多点的厚度测量值，并对在计算完成后，上层控制系统根据测量点序，进行测量值与测量点坐标的一一匹配，并将匹配结果按照预设格式进行保存。本发明可以很好地消除测量过程中提离高度波动所造成的测量误差，从而保证测量准确度，同时具有简单可靠的优点。
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公开(公告)号：CN110379734A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910517944.9
申请日：2019-06-14
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域，公开了一种晶圆后处理系统和方法，系统包括：晶圆提升装置，用于从清洗液中提拉浸入清洗液的晶圆；气体喷射装置，用于在晶圆从清洗液中提升的过程中，向晶圆表面附着的清洗液的弯液面区域喷射第一温度的干燥气体，以使晶圆表面的附着物按照与提升方向相反的方向从晶圆表面剥离；液面监测装置，与气体喷射装置连接，用于检测弯液面区域的位置以使气体喷射装置喷射的干燥气体对准该弯液面三相接触线区域。
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