公开(公告)号：CN102496626A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110453797.7

申请日：2011-12-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 张伟 ,  付军 ,  王玉东 ,  刘志弘

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/737

Abstract: 本发明公开一种锗硅异质结双极晶体管结构，为解决现有结构基极和集电极之间高寄生电容的缺陷而设计。本发明锗硅异质结双极晶体管结构中在沿垂直于基片的方向上，外基区下方无集电区，且无与集电极相连的导电层。该结构的加工主要步骤包括：在P型衬底上制作两个沿中心线对称的N+埋层区，生长N-硅层；形成N+Sinker、P-区和隔离环；在集电区内注入N型杂质；淀积介质层和多晶硅；对应集电区开窗口并在其中生长单晶SiGe，窗口外生长多晶SiGe；发射极和集电极处开窗口并淀积N型多晶硅；淀积介质层并设电极。本发明锗硅异质结双极晶体管结构适用于射频性能要求高的器件中，尤其是击穿电压BVceo大于8V的功率器件中。

公开(公告)号：CN105703713B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201610023866.3

申请日：2016-01-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 郭雅娣 ,  付军 ,  王玉东

IPC: H03D7/12

Abstract: 本发明公开一种低三阶交调失真的有源Gilbert混频器，本发明主要为了改善有源Gilbert混频器三阶交调失真而进行的设计。本发明低三阶交调失真的有源Gilbert混频器包括带射极反馈电阻的Multi‑tanh doublet跨导单元，所述带射极反馈电阻的Multi‑tanh doublet跨导单元连接有用于修正其产生的跨导的跨导修正差分对。本发明通过在带射极反馈电阻的Multi‑tanh doublet跨导单元中引入跨导修正差分对，使得Multi‑tanh doublet跨导单元中输出给电流换向开关对的电流为含有较小的三阶交调失真的电流，从而使整个混频器的混频线性度提高。

公开(公告)号：CN105891628B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201610193008.3

申请日：2016-03-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  崔文普 ,  刘志弘

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明提出了一种通用四端口在片高频去嵌入方法。所述方法包括针对每个去嵌入陪测结构建立考虑了各去嵌入陪测结构高频特性分布本质的模型；并利用所述模型通过计算或者仿真得到所述N个去嵌入陪测结构的本征Y参数导纳矩阵；将去嵌入所需要剥离的寄生参量四端口网络的相关导纳矩阵元素以及所述计算或者仿真所基于的模型的模型参数作为未知数求解所述去嵌入陪测结构的相关测试以及计算或者仿真数据所满足的方程组。本发明充分考虑了实际所需去嵌入陪测结构的非理想本质，对于必需的去嵌入陪测结构不再像现有技术那样做集总化理想假设，可以说继承并进一步发扬了通用四端口高频去嵌入现有技术的普适通用性优点。

公开(公告)号：CN105703713A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610023866.3

申请日：2016-01-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 郭雅娣 ,  付军 ,  王玉东

IPC: H03D7/12

CPC classification number: H03D7/12

Abstract: 本发明公开一种低三阶交调失真的有源Gilbert混频器，本发明主要为了改善有源Gilbert混频器三阶交调失真而进行的设计。本发明低三阶交调失真的有源Gilbert混频器包括带射极反馈电阻的Multi-tanh doublet跨导单元，所述带射极反馈电阻的Multi-tanh doublet跨导单元连接有用于修正其产生的跨导的跨导修正差分对。本发明通过在带射极反馈电阻的Multi-tanh doublet跨导单元中引入跨导修正差分对，使得Multi-tanh doublet跨导单元中输出给电流换向开关对的电流为含有较小的三阶交调失真的电流，从而使整个混频器的混频线性度提高。

公开(公告)号：CN105553906A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610023924.2

申请日：2016-01-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 郭雅娣 ,  付军 ,  王玉东

IPC: H04L27/20 ,  H04B1/40

CPC classification number: H04L27/2067 ,  H04B1/40

Abstract: 本发明公开一种提高多相网络相位平衡度和带宽的方法及装置，主要针对正交信号产生电路的带宽和相位平衡度制约了高性能带宽的正交变频器的发展的问题，提出了一种利用第一移相装置、第四移相装置分别对第一相位信号进行移相形成第一移相信号、第四移相信号，利用第二移相装置、第三移相装置分别对第二相位信号进行移相形成第二移相信号、第四移相信号；控制所述第一移相信号、第二移相信号、第三移相信号和第四移相信号的相位依次超前90°的方法以及实现该方法所需要的装置。本发明利用前置移相装置，在信号进入多相网络之前优先将信号进行相移趋于正交化，使得多相网络作用产生的正交信号具有更好的相位正交性，同时拓展了正交带宽，提高了相位平衡度。

公开(公告)号：CN103022111B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201210560021.X

申请日：2012-12-21

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵悦 ,  付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  李高庆 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品集电极串联电阻过大的问题而设计。本发明具有低电阻集电区的双极晶体管包括衬底、N-外延层、锗硅外延层、发射区引出端、外基区引出端、发射极引出电极、集电极引出电极、以及基极引出电极。集电极引出电极嵌入衬底的背面且分别对应发射极引出电极和基极引出电极。本发明具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法可用于同质外延也可用于异质外延(SOS技术)的双极晶体管，且简化了晶体管的加工工艺。制备得到的产品保证较高的击穿电压，减小集电极串联电阻，保持较小的传输延迟时间，提高器件的工作频率，降低饱和压降，使得晶体管可以在大电流下应用。

公开(公告)号：CN102709318B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210153217.7

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区，基区上的发射极，以及发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在所述集电区内。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN103000678B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210536372.7

申请日：2012-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  吴正立 ,  李高庆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种外基区与集电区隔离的双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品基区-集电区结寄生电容过大的缺陷而设计。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管包括集电区、本征基区、隔离氧化层、外基区、发射区、以及侧墙。本征基区的边缘位于隔离氧化层的上方，外基区全部位于隔离氧化层的上方。外基区上表面与发射区上表面形成平整表面，外基区与发射区由侧墙隔离。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管有效地减小了基区-集电区结寄生电容，改善了器件的性能。本发明外基区与集电区隔离的双极晶体管制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模生产加工。

公开(公告)号：CN102790081B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210161187.4

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、多晶硅发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低了基极电阻RB，工艺步骤简单，成本低。

公开(公告)号：CN102790080B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210161096.0

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、重掺杂多晶硅发射区、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低了基极电阻RB，工艺步骤简单，成本低。