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公开(公告)号：CN108695316B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201810497160.X
申请日：2018-05-17
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种双向二极管串触发SCR结构的ESD保护器件，属于集成电路的静电放电保护领域。该ESD保护器件包括用分割阱技术形成的二极管串、双向SCR结构和金属线；在P衬底上设置深N阱，在深N阱的表面区域从左至右依次设有第一P阱、第一N阱、第二P阱和第二N阱，每个阱中均设置P+注入区和N+注入区；在第二N阱区域内，利用掩膜制备版，间隔插入P阱，每一个P阱的四周均通过N阱隔离，每个P阱中分别设置一对P+注入区和N+注入区；所述的金属线连接注入区，并从金属线中引出正负电极用于正向通导和反向通导。本发明可以通过增加或者减少由阱分割形成的二极管的个数控制触发电压，使器件在低压领域内有更广泛的应用。
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公开(公告)号：CN111104243B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911362162.9
申请日：2019-12-26
Applicant: 江南大学
IPC: G06F11/07
Abstract: 本发明公开了一种低延迟的双模lockstep容软错误处理器系统，属于处理器容错技术领域。所述系统通过双模lockstep架构实现了对处理器系统中软错误的检测；通过采用普适检查点和回滚恢复算法，所述系统能够应对多种发生软错误的情形，提高了故障恢复方法的普适性；所述系统采用了自适应动态检查点方法，以软错误间隔历史表SEIHT和模式历史表PHT对下一个软错误间隔进行预测，根据预测结果增大或减小检查点的设置频率，该方法同时考虑了软错误历史的长期特征和短期特征，有效地降低了处理器任务的平均执行时间，解决了目前面向处理器的双模lockstep容错技术引入较大的延迟时间的问题。
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公开(公告)号：CN111143142B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911362161.4
申请日：2019-12-26
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种普适检查点和回滚恢复方法，属于处理器容错技术领域。该方法通过增设valid状态位，确保了不会使用不完整的检查点进行故障恢复，能够应对在建立检查点、执行回滚恢复以及故障恢复过程中遇到故障的情况，连续多次执行回滚恢复操作时，切换用于故障恢复的检查点，避免了与当前检查点本身相关的故障；通过采用软错误间隔历史表和模式历史表的自适应预测结构，给出一种自适应动态检查点方法，能够同时根据软错误间隔的长期特征和短期特征对软错误间隔进行更为准确的预测，从而有效地降低处理器任务的平均执行时间，而且该方法能够快速学会预测任意的重复模式，能够应对软错误分布复杂或未知的情况。
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公开(公告)号：CN111124720B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911361269.1
申请日：2019-12-26
Applicant: 江南大学
IPC: G06F11/00
Abstract: 本发明公开了一种自适应的检查点间隔动态设置方法，属于处理器容错技术领域。所述方法使用软错误间隔历史表SEIHT和模式历史表PHT对下一个软错误间隔进行预测，并根据预测的软错误间隔与设定的阈值之间的比较结果增大或减小检查点间隔，从而实现对检查点的设置间隔的适应性调整。所述方法能够同时根据软错误历史的长期特征和短期特征对软错误间隔进行更为准确的预测即时性好、准确度高；所述方法能够快速学会预测任意的重复模式，进而能够应对软错误分布复杂、未知的情况，普适性强。
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公开(公告)号：CN112668261A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202110013836.5
申请日：2021-01-06
Applicant: 江南大学
IPC: G06F30/327 , G06F30/3312
Abstract: 本发明公开了一种基于关键路径数和敏感性的多阈值低功耗优化方法，属于集成电路低功耗设计领域。所述方法所选用的优先级评估指标所参考的特征丰富，优先级的表征能力更强，相对于PCOM、GDSPOM方法，本发明提供的方法能够同时考虑单元替换前后的延时变化量、功耗变化量以及单元所处关键路径数量三个因素。根据此优先级的排序结果，本方法能够在高阈值到低阈值单元替换过程中优先地执行收益较高的单元替换，而且不需要对关键路径和非关键路径进行区别对待，因此方法复杂度较低，更易实现和应用，采用本发明方法的功耗优化效果显著。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111603135A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010393814.1
申请日：2020-05-11
Applicant: 江南大学
IPC: A61B5/00 , A61B5/0476
Abstract: 本发明公开了一种基于主从支持向量机的低功耗癫痫检测电路，属于智能医疗应用领域。所述电路包括：时钟模块、特征提取模块、主从支持向量机模块以及判定模块；主从支持向量机模块包括主支持向量机和从支持向量机，主支持向量机为线性支持向量机，从支持向量机为非线性支持向量机；主支持向量机控制从支持向量机的启动和关闭；检测过程中，主支持向量机检测出癫痫发作的开始，启动从支持向量机，从支持向量机校正癫痫发作的结束；所述主从支持向量机模块的检测结果为主从支持向量机检测结果的逻辑与。本申请利用主从支持向量机和连续序列检测，使得确保检测性能的前提下，大幅度的减少运算复杂度，降低了功耗，更好的适应智能医疗应用的要求。
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公开(公告)号：CN111563411A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010237763.3
申请日：2020-03-30
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种利用优化的AdaBoost加权方式和弱分类器对心电信号分类的方法，属于数据源分类技术领域。所述方法包括：对心电数据进行特征提取，获得心电信号训练样本数据集；根据心电信号样本的初始权重，抽样选取心电信号训练数据集获得心电信号样本；用弱分类器对心电信号样本进行分类，分类错误的样本的加权方式由弱分类器的分类错误率和样本被错分的概率这两个因素所决定。本发明充分考虑分错样本的错分概率，通过设置合适的阈值，并以此对弱分类器进行筛选，来得到分类精度更高的强分类器。
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公开(公告)号：CN108054166B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201711353399.1
申请日：2017-12-15
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种多开态MOS辅助触发SCR的高压ESD保护方案，可用于片上高压IC的ESD防护。以一种三开态PMOS和NMOS辅助触发SCR的高压ESD保护器件为实施例：主要由P衬底、第一N阱、第一P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第二P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第五N+注入区、第六N+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区、第七N+注入区、第八N+注入区、第七P+注入区、第八P+注入区、多个嵌入的N阱、P阱和多晶硅栅构成。因嵌入SCR结构中的开态PMOS和NMOS管数目可调，一方面可形成多开态MOS辅助触发SCR的ESD电流泄放路径，另一方面还可实现高压ESD保护器件的触发电压可调性，强电压钳制能力和ESD鲁棒性。
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公开(公告)号：CN111143142A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911362161.4
申请日：2019-12-26
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种普适检查点和回滚恢复方法，属于处理器容错技术领域。该方法通过增设valid状态位，确保了不会使用不完整的检查点进行故障恢复，能够应对在建立检查点、执行回滚恢复以及故障恢复过程中遇到故障的情况，连续多次执行回滚恢复操作时，切换用于故障恢复的检查点，避免了与当前检查点本身相关的故障；通过采用软错误间隔历史表和模式历史表的自适应预测结构，给出一种自适应动态检查点方法，能够同时根据软错误间隔的长期特征和短期特征对软错误间隔进行更为准确的预测，从而有效地降低处理器任务的平均执行时间，而且该方法能够快速学会预测任意的重复模式，能够应对软错误分布复杂或未知的情况。
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