-
公开(公告)号：CN108054166B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201711353399.1
申请日：2017-12-15
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种多开态MOS辅助触发SCR的高压ESD保护方案，可用于片上高压IC的ESD防护。以一种三开态PMOS和NMOS辅助触发SCR的高压ESD保护器件为实施例：主要由P衬底、第一N阱、第一P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第二P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第五N+注入区、第六N+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区、第七N+注入区、第八N+注入区、第七P+注入区、第八P+注入区、多个嵌入的N阱、P阱和多晶硅栅构成。因嵌入SCR结构中的开态PMOS和NMOS管数目可调，一方面可形成多开态MOS辅助触发SCR的ESD电流泄放路径，另一方面还可实现高压ESD保护器件的触发电压可调性，强电压钳制能力和ESD鲁棒性。
-
公开(公告)号：CN108987388A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810791940.5
申请日：2018-07-18
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种具有低压低电容触发特性的瞬态电压抑制器，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域。主要包括：P衬底、N阱、P阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区，多晶硅栅及其覆盖的薄栅氧化层、第三N+注入区和金属线。通过在SCR结构中嵌入MOS、二极管及特殊的金属布线设计，形成二极管辅助触发SCR的电流路径，以及MOS辅助触发SCR的电流路径，以降低器件的触发电压，提高器件电过应力鲁棒性。可在减小器件面积的同时，降低器件的寄生电容，增强器件的ESD、浪涌防护效能。
-
公开(公告)号：CN108054166A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711353399.1
申请日：2017-12-15
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种多开态MOS辅助触发SCR的高压ESD保护方案，可用于片上高压IC的ESD防护。以一种三开态PMOS和NMOS辅助触发SCR的高压ESD保护器件为实施例：主要由P衬底、第一N阱、第一P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第二P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第五N+注入区、第六N+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区、第七N+注入区、第八N+注入区、第七P+注入区、第八P+注入区、多个嵌入的N阱、P阱和多晶硅栅构成。因嵌入SCR结构中的开态PMOS和NMOS管数目可调，一方面可形成多开态MOS辅助触发SCR的ESD电流泄放路径，另一方面还可实现高压ESD保护器件的触发电压可调性，强电压钳制能力和ESD鲁棒性。
-
公开(公告)号：CN108987388B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810791940.5
申请日：2018-07-18
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种具有低压低电容触发特性的瞬态电压抑制器，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域。主要包括：P衬底、N阱、P阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区，多晶硅栅及其覆盖的薄栅氧化层、第三N+注入区和金属线。通过在SCR结构中嵌入MOS、二极管及特殊的金属布线设计，形成二极管辅助触发SCR的电流路径，以及MOS辅助触发SCR的电流路径，以降低器件的触发电压，提高器件电过应力鲁棒性。可在减小器件面积的同时，降低器件的寄生电容，增强器件的ESD、浪涌防护效能。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.014 seconds)
