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公开(公告)号:CN104253072A
公开(公告)日:2014-12-31
申请号:CN201410301842.0
申请日:2014-06-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67 , B08B1/00 , B24B53/017
CPC classification number: B08B1/04 , B08B1/001 , B08B1/006 , B24B37/10 , B24B37/107 , B24B37/30 , H01L21/304 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/687 , H01L21/68728
Abstract: 一种基板处理装置,能正确检测出由流体支承的晶片等基板是否正确地处于规定的处理位置。该基板处理装置具有:擦洗器(50),其使擦洗部件(61)与基板(W)的第1面滑动接触而对该基板(W)进行表面处理;静压支承机构(90),其通过流体而非接触地支承基板的第2面,该第2面是第1面相反侧的面;距离传感器(103),其对擦洗器(50)与静压支承机构(90)的距离进行测量;以及处理控制部(4),其根据距离测量值算出静压支承机构(90)与基板(W)的第2面之间的间隙,并确定间隙是否处于规定的范围以内。
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公开(公告)号:CN100496892C
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN02813831.7
申请日:2002-07-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 一种基片抛光机,该抛光机包括:抛光表面;基片托架,其保持基片并使其与抛光表面接触。基片托架包括:托架体;基片保持元件,其保持基片,使基片的被抛光表面直接朝向抛光表面。基片保持元件在托架体上的安装方式,使基片保持元件既可以趋向抛光表面运动也可以远离抛光表面运动。基片抛光机还包括基片保持元件定位装置,该装置设置在基片保持元件的侧面,该侧面与基片保持元件保持基片的侧面相反。基片保持元件定位装置具有一种柔性元件,此元件限定了一种室,此室一经引入不可压缩流体,便朝向抛光表面方向扩展。
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公开(公告)号:CN101422874A
公开(公告)日:2009-05-06
申请号:CN200810174959.1
申请日:2008-10-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/02
CPC classification number: B24B37/32
Abstract: 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。
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公开(公告)号:CN101053069A
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN200580037559.0
申请日:2005-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30,32,38,42)。
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公开(公告)号:CN1809444A
公开(公告)日:2006-07-26
申请号:CN200480017029.5
申请日:2004-06-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/105 , B24B49/12 , B24B49/16
Abstract: 本发明涉及用于抛光诸如半导体晶片的基片到平面光洁度的基片抛光设备和基片抛光方法。基片抛光设备包括:具有抛光表面(101)的抛光台(100);用于保持和压靠基片(W)到抛光台(100)的抛光表面(101)的基片支架(1);和用于测量基片(W)上的薄膜厚度的薄膜厚度测量装置(200);基片支架(1)具有多个压力可调节室(22到25),且在相应压力可调节室(22到25)的压力基于薄膜厚度测量装置(200)所测量的薄膜厚度而被调节。
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公开(公告)号:CN1541151A
公开(公告)日:2004-10-27
申请号:CN03800759.2
申请日:2003-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/30 , B24B37/013 , B24B37/042 , H01L21/30625 , Y10S438/977
Abstract: 本发明的抛光方法,用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W),把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法,其特征在于:把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上,在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70),把加压流体供给到上述压力室(70)内,利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨,从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体,这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。
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公开(公告)号:CN111095492B
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN201880057226.1
申请日:2018-08-22
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/10 , B24B49/12 , B24B49/16
Abstract: 本发明为了在适当位置结束研磨而检测研磨的终点位置。根据一个实施方式,提供一种具备功能性芯片的基板的化学机械研磨方法,该方法具有以下步骤:在基板配置功能性芯片的步骤;在所述基板配置终点检测元件的步骤;由绝缘材料对配置有所述功能性芯片及所述终点检测元件的基板进行密封的步骤;研磨所述绝缘材料的步骤;及研磨所述绝缘材料时,依据所述终点检测元件来检测研磨终点的步骤。
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公开(公告)号:CN111032283B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN201880054220.9
申请日:2018-08-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , B24B7/04 , B24B47/26 , B24B55/06 , H01L21/304
Abstract: 在研磨液通过旋转接头内的基板研磨装置中,需要实施旋转接头的维修。本发明公开一种基板研磨装置,具有:用于保持基板的研磨头;表面设有第一开口部的旋转台;设于旋转台的研磨液吐出机构;及至少控制研磨液吐出机构的控制部,研磨液吐出机构具有:第一气缸、第一活塞、及驱动第一活塞的驱动机构,第一开口部与由第一气缸及第一活塞规定的液体保持空间连通,控制部控制驱动机构对第一活塞的驱动,使液体保持空间的容积增减。
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公开(公告)号:CN111095492A
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:CN201880057226.1
申请日:2018-08-22
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/10 , B24B49/12 , B24B49/16
Abstract: 本发明为了在适当位置结束研磨而检测研磨的终点位置。根据一个实施方式,提供一种具备功能性芯片的基板的化学机械研磨方法,该方法具有以下步骤:在基板配置功能性芯片的步骤;在所述基板配置终点检测元件的步骤;由绝缘材料对配置有所述功能性芯片及所述终点检测元件的基板进行密封的步骤;研磨所述绝缘材料的步骤;及研磨所述绝缘材料时,依据所述终点检测元件来检测研磨终点的步骤。
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公开(公告)号:CN111032283A
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201880054220.9
申请日:2018-08-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/00 , B24B7/04 , B24B47/26 , B24B55/06 , H01L21/304
Abstract: 在研磨液通过旋转接头内的基板研磨装置中,需要实施旋转接头的维修。本发明公开一种基板研磨装置,具有:用于保持基板的研磨头;表面设有第一开口部的旋转台;设于旋转台的研磨液吐出机构;及至少控制研磨液吐出机构的控制部,研磨液吐出机构具有:第一气缸、第一活塞、及驱动第一活塞的驱动机构,第一开口部与由第一气缸及第一活塞规定的液体保持空间连通,控制部控制驱动机构对第一活塞的驱动,使液体保持空间的容积增减。
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