公开(公告)号：CN101233531B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200680027861.2

申请日：2006-07-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  渡边了介 ,  小山润

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01Q23/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/552 ,  H01L23/60 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体装置的制造方法，其包括：在第一衬底上形成晶体管的过程；在所述晶体管上形成第一绝缘层的过程；形成连接至所述晶体管的源极或漏极的第一导电层的过程；布置设有第二绝缘层的第二衬底，从而使所述第一绝缘层附着至所述第二绝缘层的过程；使所述第二绝缘层与所述第二衬底分离的过程；以及布置设有起着天线作用的第二导电层的第三衬底，从而使所述第一导电层电连接至所述第二导电层的过程。

公开(公告)号：CN101527270A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910118050.9

申请日：2005-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介 ,  高桥秀和 ,  鹤目卓也

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/56 ,  B32B37/20 ,  B32B2305/342 ,  B42D25/45 ,  B42D2033/46 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/1089 ,  Y10T156/1093 ,  Y10T156/1712 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提高在对薄膜集成电路进行密封过程中的生产效率，并且防止损失和破坏。还有，本发明的另外一个目的在于防止薄膜集成电路在运输过程中遭受损伤，并且使得易于搬运薄膜集成电路。本发明提供了一种层压系统，其中使用辊来供给密封用基底、接收IC芯片、分离以及密封。对大量的薄膜集成电路进行分离、密封和接收操作可以通过旋转所述辊来连续地进行；因此，可以极大地提高生产效率。还有，由于使用了相互对置的辊对，因此可以轻易地密封所述薄膜集成电路。

公开(公告)号：CN101278398A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200680036259.5

申请日：2006-09-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L24/97 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，即使在支撑衬底之上形成半导体元件之后减薄或去除支撑衬底的情况下，也防止半导体元件受损并提高其生产速度。根据本发明的半导体器件的制造方法包括以下步骤：在衬底的上表面之上形成多个元件组；形成绝缘膜以覆盖多个元件组；选择性地在位于在多个元件组中的两个相邻的元件组之间的区域中的绝缘膜中形成开口以露出衬底；形成第一膜以覆盖绝缘膜和开口；通过去除衬底露出元件组；形成第二膜以覆盖露出的元件组的表面；和在多个元件组之间切断以不露出绝缘膜。

公开(公告)号：CN1905146A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610107656.9

申请日：2006-07-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介 ,  山田大干

IPC: H01L21/56 ,  G06K19/077 ,  B29C65/48

CPC classification number: G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有优良的化学强度、物理强度和耐环境性的半导体器件。其要点如下：覆盖着具有集成电路的叠层体的一方表面粘合具有第一基材和第一粘合剂层的第一叠层膜，覆盖着所述叠层体的另一表面粘合具有第二基材和第二粘合剂层的第二叠层膜，由此密封所述叠层体之后，切断所述第一叠层膜和所述第二叠层膜。此外，用激光束照射因所述切断而暴露出来的第一叠层膜和第二叠层膜的切断表面。