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公开(公告)号：CN100502046C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510054408.8
申请日：1994-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/00 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/02145 , H01L21/02244 , H01L21/02258 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/31683 , H01L21/31687 , H01L21/321 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/458 , H01L29/66598 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上包括硅的半导体膜，所述半导体膜包括沟道区；在所述半导体膜中的一对高电阻率区，所述沟道区介于所述一对高电阻率区之间，其中所述一对高电阻率区包括第一浓度的一种导电类型的杂质；在所述半导体膜中与所述一对高电阻率区相邻的一对杂质区，其中所述一对杂质区包括高于所述第一浓度的第二浓度的同样导电类型的杂质；在所述沟道区上的栅电极，栅绝缘膜介于其间，其中所述栅电极部分地与每个所述一对高电阻率区重叠，其中每个所述一对杂质区包括镍硅化物。
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公开(公告)号：CN100470830C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610101609.3
申请日：2001-02-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32
Abstract: 消除因电极孔(46)中有机EL材料的有缺陷的膜结构造成的EL元件的发光故障。象素电极上的电极孔(46)中埋入绝缘体后形成有机EL材料和形成保护部分(41b)，能防止电极孔(46)中的膜结构缺陷。能防止因EL元件的阴极与阳极之间短路而造成的电流集中，并能防止EL层的发光故障。
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公开(公告)号：CN101266996A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810081937.0
申请日：2000-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32
Abstract: 多个像素(102)被设置在底板上。每个像素(102)具有EL元件，其利用和电流控制TFT(104)相连的像素电极(105)作为阴极。在相对底板(110)上，在相应于每个像素(102)的周边的位置设置有光屏蔽膜(112)，同时在相应于每个像素的位置设置彩色滤光器(113)。光屏蔽膜使得像素的轮廓清晰，从而使得以高的清晰度显示图像。此外，可以利用现有的用于液晶显示装置的生产线制造本发明的EL显示装置。因而，可以大大减少设备投资，借以减少总的制造成本。
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公开(公告)号：CN100340002C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN01135571.9
申请日：2001-09-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3244 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明公开了一种制造向上发射型发光器件的方法以及一种用于本方法的薄膜形成装置。多个薄膜形成室连接到第一转移室。多个薄膜形成室包括金属材料蒸发室、EL层形成室、溅射室、CVD室以及密封室。通过使用薄膜形成装置，向上发射型EL元件在不把该元件暴露到外界空气的情况下能够制造。结果获得了可靠度高的发光器件。
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公开(公告)号：CN101017796A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610101679.9
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L23/3171 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L29/78621 , H01L51/529 , H01L51/56 , H01L2924/0002 , Y10S428/917 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种EL显示装置，该显示装置具有高操作性能和高可靠性。第三钝化膜45设置在EL元件203的下面，该EL元件包括像素电极(阳极)46、EL层47和阴极48，以形成一种能够辐射由EL元件203产生的热量的结构。此外，第三钝化膜45可防止在EL元件中的碱金属扩散到TFT侧，并可防止湿气和氧气从TFT侧渗透到EL元件203中。更好的是，第四钝化膜50也具有热辐射作用，以使EL元件203能够被热辐射层包住。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1316641C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN00133705.X
申请日：2000-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , G02F1/133602 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L51/525 , H01L51/5271 , H01L2251/5315 , H01L2251/5361 , H01L2251/558
Abstract: 提供一种使用有机EL材料的自发光设备的取光效率的改进方法。在EL层(102)夹置于透明电极(103)和不透明电极(101)之间的自发光设备中，使EL层(102)的膜厚和透明电极(103)的膜厚等于不产生导入光的膜厚，和在透明电极(103)与覆盖材料(105)之间的空间中填充惰性气体。
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公开(公告)号：CN1638141A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410101997.6
申请日：1995-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/15 , H01L29/786 , G02F1/136 , G09G3/36 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 根据本发明，提供了一种有源矩阵显示器，包括：一个表面绝缘的衬底；在所述绝缘表面上形成的一个半导体层，所述半导体层包括至少第一和第二沟道、在所述第一和第二沟道之间的第一掺杂区、和一对第二掺杂区，其中所述沟道位于所述第二掺杂区之间；形成在所述半导体层上的第一绝缘层；形成在所述绝缘层上的一个栅线，其中所述栅线在所述沟道之上延伸；形成在所述栅线之上的第二绝缘层；形成在所述第二绝缘层之上的一个源线，其中所述源线电连接到所述第二掺杂区中的一个上；形成在所述源线之上的第三绝缘层；和形成在所述第三绝缘层之上的一个像素电极，它电连接到所述第二掺杂区的另一个上；其中所述第一和第二沟道中的一个被所述源线覆盖，而另一个不被所述源线覆盖。
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公开(公告)号：CN1201275C
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN00122263.5
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/52 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/529
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高运行性能和稳定性的EL显示器。第三钝化膜45设置在包括象素电极(阳极)46、EL层47和阴极48的EL元件之下，从而避免从由喷墨法形成的EL元件203中出来的碱金属扩散到TFTs中。此外，第三钝化膜45能够防止水分和氧从TFTs中透出，并且能够通过散失EL元件203产生的热量来抑制EL元件203的老化。
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公开(公告)号：CN1577016A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410054429.5
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H05B33/00
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。
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