半导体器件
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102682837A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210068013.3

    申请日:2005-12-01

    CPC classification number: G11C13/0014 B82Y10/00 G11C11/22

    Abstract: 半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种可以另外地写入数据并且容易制造的易失性半导体器件,及其制造方法。本发明的特征是半导体器件包括元件形成层,它包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管;提供在元件形成层上的存储元件;以及提供在存储元件上的传感器部分,其中存储元件具有包括第一导电层、有机化合物层和第二导电层的分层结构,第一导电层电连接到第一晶体管,并且传感器部分电连接到第二晶体管。

    半导体装置
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101088158A

    公开(公告)日:2007-12-12

    申请号:CN200580044835.6

    申请日:2005-12-21

    CPC classification number: G06K19/0701 G06K19/07749 H01L21/84 H01L27/12

    Abstract: 一种半导体装置,其能够防止从阅读器/记录器传输的电磁波的振幅的减小并且能够防止由于磁场变化而造成的元件形成层的加热。本发明的半导体装置具有在基材上形成的元件形成层,和连接到元件形成层的天线。元件形成层至少具有导线,如电源导线和接地导线,其以非环形排列。可以提供元件形成层和天线以便彼此至少部分重叠。天线可以在元件形成层之上或之下提供。

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