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公开(公告)号：CN103367596A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310096239.9
申请日：2013-03-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/44
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括层叠体和光学层。层叠体具有主表面并包括发光学层。光学层与主表面接触并包括介电体、第一颗粒以及第二颗粒。光学层包括包含介电体和第一颗粒而不包含第二颗粒的第一区域以及包含介电体和第二颗粒的第二区域。第一颗粒的球等价直径不小于1纳米且不大于100纳米。第二颗粒的球等价直径大于300纳米且小于1000纳米。第一区域的平均折射率大于层叠体的折射率且小于第二颗粒的折射率。
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公开(公告)号：CN102918651A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201080067177.3
申请日：2010-04-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/06 , H01L31/03529 , H01L31/0384 , H01L31/073 , H01L31/0735 , H01L31/18 , Y02E10/543 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种使用增强的电场增加载流子激发的高效光电转换元件。所公开的光电转换元件包括光电转换层，所述光电转换层由层叠在两个电极层之间的两个或更多个半导体层形成，并且所述光电转换元件具有在所述光电转换层中的电场增强层，所述电场增强层被夹在所述半导体层之间。所述电场增强层包括金属精细结构体，其中所述金属精细结构体是多孔薄膜或诸如微球体的微小体。
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公开(公告)号：CN101978507A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109384.8
申请日：2009-01-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022433 , H01L31/022466 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池，包括：第一电极层，形成于基底上；生成层，形成于所述第一电极层上；以及第二电极层，形成于所述生成层上，所述第一电极层和所述第二电极层的至少之一为光透明的金属电极层，所述金属电极层具有穿过所述金属电极层的多个开口。所述金属电极层包括金属部，所述金属电极层的任意两个金属部彼此连续、无切割部分，所述金属电极层的膜厚度在10nm至200nm的范围中，且所述开口的大小等于或小于用于生成电的光的波长的1/2。
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公开(公告)号：CN1763983B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200510106305.1
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的发光元件在表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100493275C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200510131433.1
申请日：2005-12-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/3211
Abstract: 在设置有透明衬底的有机EL显示器中，缓冲层设置在透明衬底上，且有机EL元件设置在缓冲层上，缓冲层由具有与EL元件的透明电极的折射率相同的材料形成，并包含具有两个光栅周期的二维衍射光栅。
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公开(公告)号：CN100442559C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200610004252.7
申请日：2006-02-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/44 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明提供一种白色LED，其包括：LED芯片，其在蓝宝石基板的一个主面上形成有包含发光层的半导体层叠结构，并发出预定波长的光；光取出膜，其粘贴在基板的另一个主面上，该光取出膜用折射率与所述基板的折射率相差在±5%以内的材料形成，而且处在基板相反一侧的面被形成为凹凸形状；面对所述光取出膜并处在所述基板相反一侧而设置的荧光体，该荧光体因通过光取出膜得到的光的入射而产生白色光。
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公开(公告)号：CN100403555C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN02160828.8
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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公开(公告)号：CN1822729A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510131433.1
申请日：2005-12-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/3211
Abstract: 在设置有透明衬底的有机EL显示器中，缓冲层设置在透明衬底上，且有机EL元件设置在缓冲层上，缓冲层由具有与EL元件的透明电极的折射率相同的材料形成，并包含具有两个光栅周期的二维衍射光栅。
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公开(公告)号：CN1819290A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610004252.7
申请日：2006-02-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/44 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明提供一种白色LED，其包括：LED芯片，其在蓝宝石基板的一个主面上形成有包含发光层的半导体层叠结构，并发出预定波长的光；光取出膜，其粘贴在基板的另一个主面上，该光取出膜用折射率与所述基板的折射率相差在±5％以内的材料形成，而且处在基板相反一侧的面被形成为凹凸形状；面对所述光取出膜并处在所述基板相反一侧而设置的荧光体，该荧光体因通过光取出膜得到的光的入射而产生白色光。
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