公开(公告)号：CN101183699A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710159720.2

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冈崎治彦 ,  菅原秀人

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L24/73 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 提供一种半导体发光元件，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该发光元件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的用来发光的活性层；在所述活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与所述第二半导体层接触的第二电极；以及与所述半导体衬底接触的第一电极；其中：所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层在所述透明衬底的中央部位形成脊形部件。

公开(公告)号：CN1237628C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN01135998.6

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐伯亮 ,  菅原秀人 ,  渡边幸雄 ,  地头所保

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/30

Abstract: 提供一种半导体发光元件及其制造方法。在使用GaP基板的半导体发光元件中，使GaP基板(1)和发光层(7)借助于p-InGaP构成的第一接合层(2)和由p-GaP构成的第二接合层(3)接合起来。由此，在用热处理使GaP基板(1)和发光层(7)接合时，可在500～700℃的温度下热处理，所以可减少发光层(7)的损坏，而且可避免工作电压的上升。

公开(公告)号：CN1330416A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01121846.0

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 冈崎治彦 ,  菅原秀人

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L24/73 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 提供一种可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性的半导体发光元件及其制造方法和半导体发光装置。该半导体发光元件的特征在于,向蓝宝石衬底20上的InGaN活性层22注入电流的p型电极26具有五层结构,即,包括:作为与p型GaN层24欧姆接触的欧姆电极的Ni层32、作为阻挡电极的Mo层33、作为高反射率电极的Al层34、作为阻挡电极的Ti层35、和作为提高与引线框12上的分支柱13的接触性的覆盖电极的Au层36。

公开(公告)号：CN1322018A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN01122064.3

申请日：2001-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 菅原秀人 ,  新田康一 ,  阿部洋久 ,  绀野邦明 ,  出井康夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/502 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层),将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法,提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件,其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体,然后将二者结合的方法。