公开(公告)号：CN116845062A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202210847091.7

申请日：2022-07-07

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 杉山亨

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/16 ,  H03K17/687

Abstract: 实施方式提供提高了安全性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备基板、耗尽型的第1晶体管、增强型的第2晶体管、栅极控制电路、栅极端子以及电源端子。所述第1晶体管设置在所述基板上，具有包含第1导电型的氮化物半导体的沟道区域。所述第2晶体管在所述基板上与所述第1晶体管串联连接，经由第2导电型的反型层进行工作，该第2导电型是与所述第1导电型相反的极性。所述栅极控制电路在所述基板上与所述第2晶体管的栅电极连接。所述栅极端子与所述第1晶体管的栅电极电连接。所述电源端子电连接在所述第1晶体管与所述第2晶体管之间，构成为向所述栅极控制电路提供电源电压。

公开(公告)号：CN115831965A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210077077.3

申请日：2022-01-24

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 吉冈启 ,  杉山亨

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/06

Abstract: 实施方式提供一种能够提高动作的稳定性的氮化物半导体装置。实施方式的氮化物半导体装置具备：导电性的基板；氮化物半导体层，设于所述基板上；第一电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层；第二电极，设于所述氮化物半导体层上，且连接于所述氮化物半导体层；第一控制电极，设于所述氮化物半导体层上，并且从上方观察时设于所述第一电极与所述第二电极之间；保护环，设于所述氮化物半导体层上，并且设于配置有所述第一电极、所述第二电极以及所述第一控制电极的区域的周围，在该保护环与所述第一电极之间形成第一电容，在该保护环与所述第二电极之间形成第二电容；以及连接部件，将所述保护环连接于所述基板。

公开(公告)号：CN115188815A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202110842710.9

申请日：2021-07-26

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 吉冈启 ,  洪洪 ,  矶部康裕 ,  杉山亨 ,  小林仁

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417

Abstract: 提供降低了输出电容的半导体装置，具备：基板；第一氮化物半导体层，设置于基板上；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层的上方，带隙比第一氮化物半导体层大；第一布线，设置于第二氮化物半导体层的上方，沿第一方向延伸；第一源极电极及第一栅极电极，设置于第二氮化物半导体层的上方并沿第二方向延伸，第一源极电极与第一布线电连接；及第一漏极电极，具有：沿第二方向延伸的第一至第三漏极布线及第一元件分离区域，在第三漏极布线上设置有包括第一孔、与第一孔相比距第三漏极布线的前端远的第二孔和与第二孔相比距第三漏极布线的前端远的第三孔的第一多个孔，第一孔与第二孔的第一距离比第二孔与第三孔的第二距离短。

公开(公告)号：CN112530923A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010074582.3

申请日：2020-01-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 吉冈启 ,  杉山亨 ,  岩井正明 ,  细川直范 ,  小野村正明 ,  洪洪 ,  矶部康裕

IPC: H01L25/16 ,  H02M7/537

Abstract: 实施方式提供噪声被降低的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1常关断晶体管，具有第1电极、第2电极和第1控制电极；常导通晶体管，具有经由第1布线而与第2电极电连接的第3电极、第4电极和第2控制电极；第2常关断晶体管，具有第5电极、经由第2布线而与第3电极电连接的第6电极和第3控制电极；第1二极管，具有与第2控制电极电连接的第1阳极和与第3电极电连接的第1阴极；以及电容器，具有与第1阳极及第2控制电极连接的第1端部和第2端部。

公开(公告)号：CN102694019B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201110255497.8

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  斋藤涉 ,  杉山亨

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供氮化物半导体器件及其制造方法。氮化物半导体器件具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第1绝缘膜和第2绝缘膜。第2半导体层设置在第1半导体层之上。第2半导体层包含具有比第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体。第2半导体层具有孔部。第1电极设置在孔部内。第2电极设置在第2半导体层之上。第3电极在第2半导体层之上，在第2电极之间夹着第1电极地设置，与第2半导体层电连接。第1绝缘膜是含有氧的膜。第1绝缘膜设置在第1电极和孔部的内壁之间及第1电极和第2电极之间，与第3电极分离设置。第2绝缘膜是含有氮的膜。第2绝缘膜在第1电极和第3电极之间与第2半导体层相接地设置。

公开(公告)号：CN102694011A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210080160.2

申请日：2012-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 野田隆夫 ,  尾原亮一 ,  佐野贤也 ,  杉山亨

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/45 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/43 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件包括：第一导电类型的半导体层(10)；第二导电类型的第一区(3)，其被选择性设置在所述半导体层(10)的第一主表面中；第二导电类型的第二区，其被选择性设置在所述第一主表面中并且与第一区(3)相连接；第一电极(17)，其被设置为与半导体层(10)和第一区(3)相接触；第二电极，其被设置为与第二区相接触；以及第三电极(19)，其与半导体层中的与第一主表面相对的第二主表面电气连接。