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公开(公告)号：CN1098559A
公开(公告)日：1995-02-08
申请号：CN94105493.4
申请日：1994-05-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/08 , H01L21/02381 , H01L21/02466 , H01L21/02502 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L43/065 , Y10S438/974
Abstract: 本发明的半导体薄膜制造方法，其特征在于包括：除去表面由硅单晶组成的基板的表面氧化膜，由氢终止表面硅悬空键的工序；在该氢终止Si单晶基板上形成Al、Ga、In中至少选一种所组成的起始层的工序；在该起始层上形成至少含In与Sb的缓冲淀积层的工序；以高于缓冲淀积层形成起始温度的温度在该淀积层上形成至少含In与Sb的半导体薄膜的工序。本发明还包括加工上述方法所得半导体薄膜，在其上设电极的磁电变换元件制造方法。
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公开(公告)号：CN102668348B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201180004663.5
申请日：2011-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 北畠真
CPC classification number: H01L27/088 , H01L27/0727 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7806 , H01L29/7828 , H02M3/1588 , Y02B70/1466
Abstract: 本发明提供一种转换器，其具备：第1开关单元；第2开关单元，其与第1开关单元的开关动作同步地进行开关动作；和栅极驱动电路，其通过脉冲宽度调制来控制第1开关单元和第2开关单元的导通动作及截止动作，第1及第2开关单元具有：在导通动作时在正向及反向的双向导通而在截止动作时正向不导通的沟道区域；和仅在反向导通的单极型的二极管区域，栅极驱动电路使从栅极驱动电路输出用于第1开关单元的开关动作的信号的定时、与从栅极驱动电路输出用于第2开关单元的开关动作的信号的定时相一致。
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公开(公告)号：CN102273058B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201080003875.7
申请日：2010-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H02M7/53871 , B60L1/003 , B60L1/02 , B60L11/1803 , B60L15/08 , B60L2210/40 , B60L2220/14 , B60L2220/16 , B60L2220/46 , B60L2270/147 , H02M2001/008 , H02P27/08 , Y02T10/644 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7241 , Y10T307/406
Abstract: 本发明提供了一种小尺寸负载驱动系统，其在甚至具有三个三相逆变器的情况下显著减小噪声而不管控制占空比。该负载驱动系统包括三相逆变器301至303，以及第一、第二和第三控制单元401至403。该逆变器301至303被分别连接到负载211至213。第一控制单元401生成锯齿波电压并且根据该锯齿波电压控制逆变器301。第二控制单元402生成逆锯齿波电压并且根据逆锯齿波电压来控制逆变器302。第三控制单元403生成三角波电压，其具有分别等于锯齿/逆锯齿波电压的斜面并且具有相同相位或相对于锯齿/逆锯齿波电压异相半个周期，并且还根据三角波电压控制逆变器303。
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公开(公告)号：CN102171919B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201080002772.9
申请日：2010-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种由变换器、电容器及逆变器结构的电力变换装置，抑制流过电容器的脉动电流。在电容器(5)与逆变器电路(7)之间插入电流传感器(6)，检测从电容器(5)流到逆变器电路(7)的电流Iinv。频率检测部(11)对Iinv的电流波形实施高速傅立叶变换，检测具有最大振幅的频率分量的频率。另外，相位检测部(12)从Iinv的电流波形中检测具有所述最大振幅的频率分量的零交叉点。之后，载波信号控制部(13)进行控制，使用于驱动变换器电路(4)的PWM载波信号的频率及上升定时与频率检测部(11)及相位检测部(12)检测到的所述频率及所述零交叉点一致。
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公开(公告)号：CN102598265A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201180004241.8
申请日：2011-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/7391
Abstract: 本发明提供一种半导体元件，其可以经由沟道层而进行晶体管动作与二极管动作。在以源极电极(150)的电位为基准的栅极电极(165)的电位Vgs是0伏特时，借助体区域(130)的一部分与沟道层(150)之间的pn结，在沟道层(150)的至少一部分形成在整个厚度方向上被耗尽化的厚度为Dc的耗尽层，并且在体区域(130)的一部分形成距离pn结的接合面的厚度为Db的耗尽层。在将宽带隙半导体的介电常数设为εs，将绝缘膜(160)的介电常数及厚度分别设为εi及Di，将Dc与Db之和设为Ds，将二极管的启动电压的绝对值设为Vf0时，满足Ds＜Di·εs/(εi(2/Vf0-1))。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1914786B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200580003618.2
申请日：2005-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M1/08 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/095
CPC classification number: H02M7/538 , H01L21/8213 , H01L21/8252 , H01L24/73 , H01L27/0605 , H01L27/0727 , H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H02M7/003 , H03K17/063 , H03K17/6871 , Y02B70/1483 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的半导体装置(29)包括：两个电平移动开关(28A、28B)，具有第一电极、第二电极、控制电极和信号输出电极，同时具有第一半导体区域，该第一半导体区域构成为：介于所述第一电极与所述信号输出电极之间、根据向所述控制电极的输入信号导通或者非导通的晶体管元件部(28a、28b)；介于所述信号输出电极与所述第二电极之间的电阻元件部(Ra、Rb)，所述第一半导体区域由宽禁带半导体构成；和二极管(23)，具有阴极侧电极、阳极侧电极和第二半导体区域，所述第二半导体区域由宽禁带半导体构成。
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公开(公告)号：CN102171919A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201080002772.9
申请日：2010-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种由变换器、电容器及逆变器结构的电力变换装置，抑制流过电容器的脉动电流。在电容器(5)与逆变器电路(7)之间插入电流传感器(6)，检测从电容器(5)流到逆变器电路(7)的电流Iinv。频率检测部(11)对Iinv的电流波形实施高速傅立叶变换，检测具有最大振幅的频率分量的频率。另外，相位检测部(12)从Iinv的电流波形中检测具有所述最大振幅的频率分量的零交叉点。之后，载波信号控制部(13)进行控制，使用于驱动变换器电路(4)的PWM载波信号的频率及上升定时与频率检测部(11)及相位检测部(12)检测到的所述频率及所述零交叉点一致。
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公开(公告)号：CN101484990B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200780025461.2
申请日：2007-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 北畠真
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L23/3672 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/15312 , H01L2924/19041 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块及半导体模块的制造方法。半导体模块(10)包括冷却介质(1)、电子部件(2)、半导体元件(3)及热导性薄片部件(4)。热导性薄片部件(4)覆盖半导体元件(3)的一部分，具有下部(4b)和侧部(4c)。下部(4b)与冷却介质(1)的安装面(11a)接触。侧部(4c)从下部(4b)延伸，覆盖半导体元件(3)的第1侧面(3c)。电子部件(2)配置在从热导性薄片部件(4)的侧部(4c)来看与半导体元件(3)相反的一侧。
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公开(公告)号：CN101484990A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780025461.2
申请日：2007-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 北畠真
CPC classification number: H01L23/3672 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/15312 , H01L2924/19041 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块及半导体模块的制造方法。半导体模块(10)包括冷却介质(1)、电子部件(2)、半导体元件(3)及热导性薄片部件(4)。热导性薄片部件(4)覆盖半导体元件(3)的一部分，具有下部(4b)和侧部(4c)。下部(4b)与冷却介质(1)的安装面(11a)接触。侧部(4c)从下部(4b)延伸，覆盖半导体元件(3)的第1侧面(3c)。电子部件(2)配置在从热导性薄片部件(4)的侧部(4c)来看与半导体元件(3)相反的一侧。
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公开(公告)号：CN1260776C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02148065.6
申请日：2002-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/302
CPC classification number: H01L29/365 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02584 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/0445 , H01L29/0657 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供了一种具有平坦界面和上表面的半导体薄膜的生长方法和具有优异特性的半导体元件。该方法是在纵向薄膜生长装置内设置对上表面进行了平坦化处理的SiC主体衬底(11)，在惰性气体环境中加热。接着，在衬底温度1200℃～1600℃之间，供给流量1mL/min的原料气体。接着，在1600℃的温度下，把稀释气体变为氢气，供给Si和碳的原料气体，和间歇地供给氮，据此在SiC主体衬底(11)之上层叠SiC薄膜。这样，能形成上表面以及内部的界面的台阶高度的平均值被平坦化为30nm以下的δ掺杂层的层叠结构，所以使用它，能实现耐耐压高、移动度大的半导体元件。
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