一种微波介质陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101863655B

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN201010197461.4

    申请日:2010-06-08

    Abstract: 本发明涉及一种微波介质陶瓷材料及其制备方法。目前频率稳定性好的低介电常数微波介质材料不多。本发明的微波介质陶瓷材料物相包括Mg2SiO4和MgCaSiO4,其成分摩尔比为MgO∶CaO∶SiO2=2×(1-x)∶2x∶1(≤0.1x≤0.6),介电常数为6.81~9.10,品质因数为17,510~24,170GHz,谐振频率温度系数为-14ppm/℃~+11ppm/℃。制备方法是:将MgO、CaO和SiO2混合研磨后烘干;然后煅烧2~4小时,再二次混合研磨成浆料,加入有PVA,经过陈腐、喷雾造粒成粉末颗粒料;将粉末颗粒料压制成圆柱体,烧结2~4小时后冷却。本发明填补了介电常数在6~10之间作为微波毫米波介质陶瓷器件温度稳定性好的介质材料的空白,且该陶瓷材料微波性能良好。

    一种低介电常数高品质微波介质陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN101429009A

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:CN200810163153.2

    申请日:2008-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种低介电常数高品质微波介质陶瓷及其制备方法,该低介电常数高品质微波介质陶瓷的化学成分组成式为Mg2(Si,Al)O4,它由MgO、SiO2和Al2O3组成,其中,MgO、SiO2和Al2O3的摩尔百分比为:MgO∶SiO2∶Al2O3=60~70∶15~35∶0~15。利用本发明提供低介电常数高品质微波介质陶瓷可做为电子线路基板、谐振器、滤波器、微波基板与微带线的核心材料使用,可以在电子线路、微波通信,卫星通信与雷达系统上具有重要应用前景和经济效益。

    一种高表面电子空穴分离效率压电催化材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118059877A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410325804.2

    申请日:2024-03-21

    Abstract: 本发明提供一种高表面电子空穴分离效率压电催化材料Bi0.5Na0.4K0.1Ti1‑xCuxO3压电材料及其制备和应用,与现有技术相比,制备的Bi0.5Na0.4K0.1Ti1‑xCuxO3材料,获得了高表面空穴‑电子分离效率,其表现为其交流阻抗谱为更小的椭圆弧尺寸。这表明该材料可通过提升吸收能量后加强电子、空穴对的分离的能力,从而对微量有机污染物的降解过程起到催化作用:在室温下,可高效降解染料等微量有机污染物。本发明在于巧妙设计催化剂材料,降低禁带带隙宽度,提升表面电子‑空穴分离效率,从而提升催化降解效率,在废水处理领域有广阔的应用前景,且该催化剂制备工艺简单,成本低,可应用于工业化生产。

    低损耗温度稳定橄榄石型微波介质陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN116589270A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310608847.7

    申请日:2023-05-29

    Abstract: 本发明提供一种低损耗温度稳定橄榄石型微波介质陶瓷及其制备方法,化学式为(1‑y)Mg2‑xGaxSi1‑xAlxO4‑yCaTiO3,其中0<x≤0.02,9%≤y≤13%。首先制备Mg2‑xGaxSi1‑xAlxO4,通过Ga3+和Al3+分别取代镁橄榄石中的部分Mg2+和Si4+位置,品质因数从203700GHz提升到236600GHz,介电常数在6.55~7.05之间,谐振频率温度系数为‑54~‑38ppm/℃;然后按照质量比加入CaTiO3,充分混合后进行烧结得到温度稳定型的微波介质复合陶瓷。本发明在降低烧结温度的同时,使陶瓷材料具有较低的介电损耗以及良好的温度稳定性,制备工艺简单,在5G/6G等毫米波通讯上作为介质陶瓷材料具有很强的实用性。

    一种5G通信用微波介质陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115650713B

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202211332728.5

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本发明提供了一种5G通信用微波介质陶瓷材料及其制备方法,涉及无线移动通讯与射频电子电路系统用电子陶瓷元器件与材料技术领域。本发明提供的微波介质陶瓷材料的配方表达式为:Mg1‑xCuxSiO3,其中0<x≤0.25。其介电常数为3.3~6.4,介电损耗为0.0001~0.003@10GHz,谐振频率温度系数为‑55~‑33ppm/℃,可应用于5G通信领域。其制备方法主要包括:配料、一次球磨、预烧、二次球磨、烘干、造粒、成型、排胶和烧结。本发明通过形成固溶体的方法,改善了MgSiO3微波介质陶瓷烧结易开裂、粉化的现象,拓宽了致密化烧结温度区间,具有重要的工业应用价值。

    一种在没有活化的碳材料多层石墨烯表面直接沉积银颗粒的方法

    公开(公告)号:CN116417198A

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202111683550.4

    申请日:2021-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种在没有活化的碳材料多层石墨烯表面直接沉积银颗粒的方法,具体方法如下:配制DMF和水的混合溶剂,加入膨胀石墨进行机械剥离获得多层石墨烯分散液;将分散液倒入不透光的聚四氟乙烯罐中,随后将硝酸银加入多层石墨烯分散液中,并加入适量的乙酸钠和葡萄糖,在30℃~50℃水浴中,磁力搅拌两个小时。随后加入适量的抗坏血酸和乙二醇,继续磁力搅拌两小时,取出样品进行离心清洗,最后在多层石墨烯表面获得均匀分布的50‑200nm直径的银颗粒。该制备方法克服了目前需要利用氧化石墨烯表面含氧官能团吸附银离子,随后通过还原方法制备银与石墨烯复合材料的方法。该方法制备的银颗粒与多层石墨烯复合材料在导电胶、导电膜、静电屏蔽、压力传感器、等领域具有潜在的应用。

    LiWVO6-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111943670B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202010607150.4

    申请日:2020-06-30

    Abstract: 本发明公开了LiWVO6‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法,该复合陶瓷的化学通式可以写成(1‑x)LiWVO6‑xK2MoO4,其中x为质量百分数(x=60,65,70,75,80,90wt%)。K2MoO4陶瓷微波性能优异,烧结温度低,在540℃左右,εr~7.5,Qf~22300GHz,但其τf值为‑70ppm/℃。最近发现一种钒酸盐LiWVO6,具有单斜结构,在700℃下高温烧结得到的介电性能为:εr~11.5,Qf~13260GHz,τf~+163.8ppm/℃。本发明通过冷烧结的方法,在200℃以下制备致密化的LiWVO6‑K2MoO4复合陶瓷,获得近零谐振频率温度系数的(1‑x)LiWVO6‑xK2MoO4基复合陶瓷微波材料。该复合陶瓷材料可广泛应用于谐振器,滤波器等微波器件。

    冷烧结辅助低温致密化Zn3B2O6微波陶瓷材料的制备方法

    公开(公告)号:CN114933468B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202210534519.2

    申请日:2022-05-17

    Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷材料制备技术领域,涉及一种冷烧结辅助低温致密化Zn3B2O6微波陶瓷材料的制备方法,将Zn3B2O6与20wt.%的不同浓度的冰醋酸水溶液混合,形成固液混合物,再采用热压方法,通过调节烧结温度,烧结时间和单轴压力实现其致密化,再通过不同退火温度进一步实现致密化。本发明相比于传统高温固相反应,该方法可以在较低温度范围内实现致密化,且制备过程简单,烧结温度更低,时间更短,节约能耗,得到的微波介质陶瓷材料性能优异,具有良好的应用前景。

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