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公开(公告)号：CN105648419B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610038377.5
申请日：2016-01-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明涉及一种降低六方氮化硼二维薄膜厚度的方法。目前六方氮化硼原子层薄膜的可通过化学气相沉积法生长，但六方氮化硼原子层薄膜生长质量不高，比如单晶晶畴尺寸小，薄膜表层有分散的氮化硼颗粒物或连续的颗粒膜，这些都影响到氮化硼薄膜的性能与应用。本方法通过化学气相沉积法首先合成氮化硼薄膜，然后在不同气氛中对薄膜进行热处理去除表层中的颗粒物，获得薄膜厚度降低后的高质量六方氮化硼二维薄膜，这种方法对于降低氮化硼薄膜厚度与提高薄膜质量是有益的。
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公开(公告)号：CN106835074A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710043653.1
申请日：2017-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种氮化硼刻蚀的方法；本发明采用压印法以表面有图案的聚二甲基硅氧烷(PDMS)模板为印章，将氧化石墨烯溶液转印到氮化硼薄膜表面，然后在硫化钼蒸气中在一定温度下保温一定时间，在氮化硼表面刻蚀出图案，完成PDMS表面的图案向氮化硼表面的转移。本发明通过二硫化钼蒸气催化分解氮化硼，降低了氮化硼光刻条件，方法简单、方便和可操作性强。
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公开(公告)号：CN106495138A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610902677.3
申请日：2016-10-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明涉及一种切割石墨烯薄膜的方法。目前石墨烯刻蚀方法在石墨烯刻蚀过程中往往会因刻蚀参数的控制不当降低石墨烯的晶体质量，比如会在石墨烯中引入大量缺陷等缺点，另外刻蚀方法复杂对刻蚀设备要求高。寻找新型简便的石墨烯刻蚀方法来减少刻蚀过程中产生的缺陷和提高刻蚀的可控性具有重要的意义。本专利将铜基石墨烯预先氧化，在石墨烯与基底铜两者之间形成铜的氧化物中间层，再利用稀盐酸溶解去除氧化铜中间层，实现对铜基底上生长的石墨烯的可控性刻蚀。专利中通过用盐酸去除铜的氧化层再借助机械外力去除石墨烯，减少了刻蚀过程中缺陷的引入和金属颗粒等杂质，提高了刻蚀的可控性，方法简单和操作方便。
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公开(公告)号：CN105887043A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610285862.2
申请日：2016-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/448 , C23C16/56
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/01 , C23C16/4482 , C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种碳氧化硅薄膜的制备方法。通常方法制备的碳氧化硅呈颗粒状。本发明制备的碳氧化硅生长在金属基底表面，碳氧化硅与基底之间可以分离，分离后碳氧化硅薄膜可以转移至其它基底表面，该方法将增加碳氧化硅薄膜的应用范围。该方法制备的碳氧化硅薄膜具有机械强度好、柔韧性好、连续透明和可转移性等优点。
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公开(公告)号：CN104032279B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410202352.5
申请日：2014-05-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅薄膜的制备方法。二氧化硅薄膜一般是直接生长在目标基底表面，不具有可转移性。本发明制备的二氧化硅生长在基底表面，二氧化硅与基底之间可以分离，分离后二氧化硅薄膜可以转移至其它基底表面，该方法将增加氧化硅薄膜的应用范围。该方法制备的二氧化硅薄膜具有机械强度好、柔韧性好和可转移性等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104030675A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410202474.4
申请日：2014-05-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及氧化锌透明陶瓷的制备方法。现有技术制备的氧化锌陶瓷一般不透光，烧结过程中氧化锌晶粒长大不能获得氧化锌纳米陶瓷。本发明将金属锌与双氧水按照质量比1～5：50混合，两者发生化学反应，一定时间后生成氢氧化锌胶体，然后在10～20℃条件下蒸发去除双氧水溶液，获得氢氧化锌凝胶，氢氧化锌凝胶在60～100℃烘干10～24小时，然后260～400℃热处理1～3小时，之后自然冷却，获得氧化锌透明陶瓷。本发明制备的氧化锌陶瓷为透明纳米陶瓷，对紫外光有强烈吸收，本发明方法工艺简单。
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公开(公告)号：CN101693601A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910152889.4
申请日：2009-09-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化铜薄膜的制备方法。目前方法所用设备和工艺复杂，制备的薄膜面积尺寸小。本发明方法首先将三水合硝酸铜晶体溶于乙二醇溶剂配成硝酸铜溶液，将乙二胺液体溶于乙醇配成乙二胺溶液，然后将乙二胺溶液加入到硝酸铜溶液中至pH值为5.5～6.5，形成混合溶液；将混合溶液在20～60℃条件下保温10～20小时形成溶胶；将溶胶采用提拉法涂覆到玻璃上，在30～60℃干燥0.5～5小时，形成凝胶膜；将玻璃上的凝胶膜加热，在400～500℃条件下热处理30～60分钟，形成氧化铜薄膜。本发明方法可以大面积镀膜，所用原料、设备和合成工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN100560254C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710164855.8
申请日：2007-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种核壳结构纳米热电材料的制备方法。传统的单一结构的热电转换效率低。本发明具体步骤是：将金属A和物质B放入反应釜中，加入碱、溶剂、助剂，110～500℃下保温2～48小时，生成化合物C；将化合物C取出用去离子水或乙醇清洗干净后放入反应釜中，加入金属D和物质E和入碱、溶剂、助剂，110～500℃下保温2～48小时，生成以化合物C为核、化合物F为壳的核壳结构的复合热电材料。其中金属A和D为锑、铋、钴、铁、铅、锌中的一种；物质B和E为碲或锑。本发明方法可以制得核壳结构的复合热电材料，其中核和壳均为热电材料，相对于传统的热电材料能够提高无量纲热电优值ZT，进而提高热电转换效率。
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公开(公告)号：CN114150291B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202111490272.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法，本发明采用次磷酸钠和铜箔作为前驱物，通过在惰性气氛中加热，在铜箔表面生长磷化亚铜晶体；然后以表面生长有磷化亚铜的铜箔为源，表面生长有氧化层的硅片(SiO2/Si)为基底，采用采用化学气相沉积法(CVD)在基底表面生长磷化亚铜二维薄膜。本发明薄膜制备的重复性好、晶体结晶质量高。制备的磷化亚铜二维薄膜厚度为2‑10nm。
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公开(公告)号：CN110061135B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201910213231.3
申请日：2019-03-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可见光光电探测器的制备方法，本发明在绝缘基底上沉积由钙钛矿型晶体结构的铯铅碘和二硫化钨单分子层薄膜构成的复合材料。二硫化钨单分子层薄膜是直接带隙半导体材料，是较好的光电导材料，室温稳定性好，载流子迁移率高。二硫化钨单分子层薄膜能够提供电子传输的额外通道，提高铯铅碘的电学性能。同时二硫化钨阻隔氧气和水汽向复合材料内部扩散，降低空气和水对铯铅碘的分解，提高铯铅碘的稳定性。本发明制备的光探测器，具有性能稳定、光电响应速度快，光响应度好，光探测范围宽的优点。
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