公开(公告)号：CN106495138B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201610902677.3

申请日：2016-10-17

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 金圣忠 ,  赵士超 ,  翁嘉新 ,  吕燕飞

IPC: C01B32/194

Abstract: 本发明涉及一种切割石墨烯薄膜的方法。目前石墨烯刻蚀方法在石墨烯刻蚀过程中往往会因刻蚀参数的控制不当降低石墨烯的晶体质量，比如会在石墨烯中引入大量缺陷等缺点，另外刻蚀方法复杂对刻蚀设备要求高。寻找新型简便的石墨烯刻蚀方法来减少刻蚀过程中产生的缺陷和提高刻蚀的可控性具有重要的意义。本专利将铜基石墨烯预先氧化，在石墨烯与基底铜两者之间形成铜的氧化物中间层，再利用稀盐酸溶解去除氧化铜中间层，实现对铜基底上生长的石墨烯的可控性刻蚀。专利中通过用盐酸去除铜的氧化层再借助机械外力去除石墨烯，减少了刻蚀过程中缺陷的引入和金属颗粒等杂质，提高了刻蚀的可控性，方法简单和操作方便。

公开(公告)号：CN106495138A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610902677.3

申请日：2016-10-17

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 金圣忠 ,  赵士超 ,  翁嘉新 ,  吕燕飞

IPC: C01B32/194

Abstract: 本发明涉及一种切割石墨烯薄膜的方法。目前石墨烯刻蚀方法在石墨烯刻蚀过程中往往会因刻蚀参数的控制不当降低石墨烯的晶体质量，比如会在石墨烯中引入大量缺陷等缺点，另外刻蚀方法复杂对刻蚀设备要求高。寻找新型简便的石墨烯刻蚀方法来减少刻蚀过程中产生的缺陷和提高刻蚀的可控性具有重要的意义。本专利将铜基石墨烯预先氧化，在石墨烯与基底铜两者之间形成铜的氧化物中间层，再利用稀盐酸溶解去除氧化铜中间层，实现对铜基底上生长的石墨烯的可控性刻蚀。专利中通过用盐酸去除铜的氧化层再借助机械外力去除石墨烯，减少了刻蚀过程中缺陷的引入和金属颗粒等杂质，提高了刻蚀的可控性，方法简单和操作方便。