公开(公告)号：CN1243071C

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN02123007.2

申请日：1999-12-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 内田刚 ,  星野铁哉 ,  寺崎裕树 ,  上方康雄 ,  小山直之 ,  本间喜夫 ,  近藤诚一

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/04 ,  C09G1/02 ,  C09K13/00 ,  C23F3/00 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明可以提供一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、该保护膜形成剂助剂和水的金属研磨液，其制造方法及使用其的研磨方法。而且作为这种金属研磨液的制备材料，本发明还可以提供一种含有氧化金属溶解剂、保护膜形成剂和该保护膜形成剂助剂的金属研磨液材料。

公开(公告)号：CN1203529C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN00811731.4

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: H01L21/304 ,  C23F1/18 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH低于3，氧化剂浓度为0.01-3重量%，或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。

公开(公告)号：CN1966548B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200610141890.3

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: C08J5/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH低于3，氧化剂浓度为0.01-3重％，或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。

公开(公告)号：CN101792655A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200910209364.X

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用研磨剂，其特征是，含有导体的氧化剂、对金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH在3以下，上述氧化剂的浓度为0.01-3重量％，钽与铜或铜合金的研磨速度比Ta/Cu大于1，氮化钽与铜或铜合金的研磨速度比TaN/Cu大于1。

公开(公告)号：CN100372073C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN03812783.0

申请日：2003-05-29

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  安西创 ,  寺崎裕树

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量%。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。

公开(公告)号：CN1943017A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580010955.4

申请日：2005-04-12

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 野村丰 ,  寺崎裕树 ,  小野裕 ,  上方康雄

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

Abstract: 一种金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法，能够以高Cu研磨速度实现高平坦化，并减少研磨后残留在被研磨面的研磨粒子。该金属用研磨液包含研磨粒子及化学成分，由所述化学成分形成在作为该金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属上的反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位的电荷与所述研磨粒子的表面电位的电荷符号相同。

公开(公告)号：CN1659688A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03812783.0

申请日：2003-05-29

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  安西创 ,  寺崎裕树

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。

公开(公告)号：CN1392215A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN02123007.2

申请日：1999-12-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 内田刚 ,  星野铁哉 ,  寺崎裕树 ,  上方康雄 ,  小山直之 ,  本间喜夫 ,  近藤诚一

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/04 ,  C09G1/02 ,  C09K13/00 ,  C23F3/00 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明可以提供一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、该保护膜形成剂助剂和水的金属研磨液，其制造方法及使用其的研磨方法。而且作为这种金属研磨液的制备材料，本发明还可以提供一种含有氧化金属溶解剂、保护膜形成剂和该保护膜形成剂助剂的金属研磨液材料。

公开(公告)号：CN1371528A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN00811731.4

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂,含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水,pH低于3,氧化剂浓度为0.01－3重量%,或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。