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公开(公告)号：CN104946151B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201510147698.4
申请日：2015-03-31
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/30 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法。所述芯片接合薄膜在通过对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆处于可沿预分割线容易地分割的状态后，通过施加拉伸张力来分割半导体晶圆而得到半导体芯片时，在预分割线以外的部位，可抑制半导体晶圆中产生裂纹、破损。所述芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为80％以上。
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公开(公告)号：CN104946149B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201510145546.0
申请日：2015-03-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J161/06 , H01L21/683
Abstract: 带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供在低温状态下运送时能够抑制产生裂纹、伤痕、并且能够抑制切割片与芯片接合膜剥离的带有切割片的芯片接合膜。一种带有切割片的芯片接合膜，其为在切割片上设置有芯片接合膜的带有切割片的芯片接合膜，其特征在于，所述芯片接合膜在0℃下的损失弹性模量为20MPa以上且500MPa以下。
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公开(公告)号：CN104946146B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201510141488.4
申请日：2015-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J7/29 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J163/00 , H01L21/683
Abstract: 芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供能够容易地确认半导体芯片的碎片的芯片接合膜。一种芯片接合膜，其特征在于，将热固化前在波长400nm下的透光率设为T1(％)，并将在120℃下加热1小时后在波长400nm下的透光率设为T2(％)时，T1为80％以上，T1与T2之差(T1‑T2)为20％以下。
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公开(公告)号：CN104946151A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510147698.4
申请日：2015-03-31
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/683 , H01L21/78
CPC classification number: H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2924/00011 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/01005 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法。所述芯片接合薄膜在通过对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆处于可沿预分割线容易地分割的状态后，通过施加拉伸张力来分割半导体晶圆而得到半导体芯片时，在预分割线以外的部位，可抑制半导体晶圆中产生裂纹、破损。所述芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为80％以上。
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公开(公告)号：CN104946149A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510145546.0
申请日：2015-03-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J161/06 , H01L21/683
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供在低温状态下运送时能够抑制产生裂纹、伤痕、并且能够抑制切割片与芯片接合膜剥离的带有切割片的芯片接合膜。一种带有切割片的芯片接合膜，其为在切割片上设置有芯片接合膜的带有切割片的芯片接合膜，其特征在于，所述芯片接合膜在0℃下的损失弹性模量为20MPa以上且500MPa以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103794530A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310499530.0
申请日：2013-10-22
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及带隔片的切割/芯片接合薄膜。本发明提供容易从隔片上剥离切割/芯片接合薄膜的带隔片的切割/芯片接合薄膜。一种带隔片的切割/芯片接合薄膜，其通过将隔片、在俯视时的外周部具有向外侧凸出的伸出片的芯片接合薄膜以及切割薄膜以该顺序层叠而得到。
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公开(公告)号：CN101911259B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200880125002.6
申请日：2008-12-16
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J133/04 , C09J163/00
CPC classification number: C09J163/00 , C08F8/30 , C08F2220/1858 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J133/066 , C09J133/08 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T428/2809 , C08F2220/281 , C08F220/18 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供切割时的半导体晶片的保持力与拾取时的剥离性的平衡特性优良的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在10～40摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在70～90摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物的聚合物而构成，并且通过在基材上成膜后在预定条件下照射紫外线而得到；所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成，并且粘贴在紫外线照射后的粘合剂层上。
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公开(公告)号：CN102311711A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110188634.0
申请日：2011-07-05
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J151/00 , C09J7/02 , H01L21/683 , H01L21/58
CPC classification number: H01L21/6836 , C08F299/00 , C09J7/38 , C09J163/00 , H01L21/67132 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/27334 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48105 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/85 , H01L2224/92147 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/2848 , Y10T428/287 , Y10T428/2878 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供活性能量射线固化型再剥离用粘合剂以及切割·贴片薄膜，该粘合剂对环境、人体的影响小、容易处理，且其能够使粘合性在活性能量射线照射前后产生很大变化，活性能量射线照射前能够显示高粘合性，活性能量射线照射后能够显示高剥离性。本发明的活性能量射线固化型再剥离用粘合剂含有活性能量射线固化型的聚合物(P)，该聚合物(P)为使含羧基聚合物(P3)与含噁唑啉基单体(m3)反应而得到的聚合物、或者为使含噁唑啉基聚合物(P4)与含羧基单体(m2)反应而得到的聚合物。
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公开(公告)号：CN101740352A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910224841.X
申请日：2009-11-26
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/68 , H01L21/304 , B28D5/00 , C09J133/08 , B32B7/12
CPC classification number: B32B7/12 , B32B3/08 , B32B5/18 , B32B7/06 , B32B15/04 , B32B23/04 , B32B25/12 , B32B25/14 , B32B27/18 , B32B27/20 , B32B27/22 , B32B27/281 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/38 , B32B27/40 , B32B29/002 , B32B2255/205 , B32B2262/101 , B32B2307/21 , B32B2307/306 , B32B2307/3065 , B32B2307/516 , B32B2307/518 , B32B2307/54 , B32B2457/14 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2205/11 , C09J2433/00 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , Y10T428/249971 , Y10T428/249984 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明涉及切割模片接合膜和生产半导体器件的工艺。本发明涉及一种切割模片接合膜，其包括具有在基材上设置的压敏粘合剂层的切割膜；和在压敏粘合剂层上设置的模片接合膜，其中，所述切割膜的压敏粘合剂层具有包含发泡剂的热膨胀性压敏粘合剂层和活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的层压结构，其依次层压在所述基材上，和其中模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。另外，本发明提供一种生产半导体器件的方法，包括采用上述切割模片接合膜。
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公开(公告)号：CN101645427A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910161129.X
申请日：2009-08-04
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/48 , H01L21/78 , H01L21/50 , C09J133/04
CPC classification number: H01L21/6835 , C08F220/18 , C08F220/34 , C08F2220/1808 , C08F2220/1833 , C08F2220/281 , C09J7/20 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/85 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/3025 , Y10T428/31511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供切割时的半导体晶片的保持力与拾取时的剥离性的平衡特性优良的切割/芯片接合薄膜。本发明涉及一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类粘合剂形成，所述丙烯酸类粘合剂由丙烯酸类聚合物和相对于所述丙烯酸类聚合物100重量份的比例在10～60重量份的范围内的分子内具有2个以上自由基反应性碳碳双键的化合物构成，所述丙烯酸类聚合物由丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯100摩尔％的比例在10～40摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体100摩尔％的比例在70～90摩尔％范围内的分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成，并且层压在所述粘合剂层上。
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