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公开(公告)号：CN103145192A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310105217.4
申请日：2013-03-28
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G49/00 , C04B35/26 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开了一种锰、镍共掺杂铁酸铋薄膜材料的制备方法。该方法是将原料硝酸铁、硝酸铋、乙酸锰和乙酸镍按配方通式BiFe1-2xMnxNixO3(0.0125≤x≤0.05)进行称量，在80℃条件下加入冰乙酸搅拌30min，然后在室温下加入乙二醇甲醚搅拌180min配成浓度为0.1-0.2mol/L的前驱液。利用旋涂法在氧化锡铟/玻璃或铂金衬底上制备出湿膜，随后预退火，最后将薄膜退火，重复预退火-薄膜退火过程10-20次得到最终的样品。本发明的特点在于：可以有效抑制铁酸铋中杂相生成；减小晶粒尺寸和薄膜表面的方均根粗糙度；提高样品的绝缘、铁电、铁磁和光性能；生产工艺简单，重现性好，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102071467A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010545858.8
申请日：2010-11-16
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种铜掺杂控制ZnS纳米材料形貌和物相的方法。其是通过以下工艺过程实现的：以PVP作为表面活性剂，水合肼作为溶剂，分析纯的Zn(CH3COO)2·2H2O，(NH2)CS和Cu粉作为反应材料。0.3gPVP和40ml水合肼(约占内衬总体积的80％)置于清洗干净的反应釜中，放入磁子充分搅拌形成透明溶液。然后按摩尔比将分别为1∶4∶1和1∶4∶0.6将Zn(CH3COO)2·2H2O，(NH2)CS和Cu粉放入准备好的两个反应釜里，继续搅拌5～10分钟。最后将反应釜置于160℃环境中反应24h。反应结束后将反应釜自然冷却至室温，用去离子水和无水乙醇多次清洗去除过量的硫脲和其余副产物。最后在60℃的真空干燥箱中干燥6h以收集产物。所得产物即为六方结构和立方结构的ZnS纳米材料。本发明的方法简单，易于推广，适合于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN102040201A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010532909.3
申请日：2010-11-05
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种溶剂热可控制备ZnSe和ZnTe纳米材料的方法，是通过以下工艺过程实现的：将分析纯的Se源或Te源放入聚四氟乙烯内衬，加入乙醇胺溶剂使溶液体积占聚四氟乙烯内衬总体积的80％。磁搅拌数分钟，再加入分析纯的Zn源，磁搅拌均匀后密封反应釜，置于200℃烘箱中反应24小时，反应完成后清洗得到产物。本发明成功地用简单溶剂热方法在温和的条件下，通过改变Se源或Te源，首次在同一体系中一步可控合成具有闪锌矿或纤锌矿结构的ZnSe和ZnTe纳米材料。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀性好，可控性好，对环境危害小，易于推广且适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN101328615B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810072867.2
申请日：2008-04-28
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发制备II-VI族半导体化合物CdTe纳米结构的方法。通过使用金属Bi粉末做催化剂，以CdTe粉末为原料，在真空度为2×10-2×10-3Pa的真空环境下，热蒸发原料，在衬底上催化生长纳米结构的CdTe薄膜。该方法操作简单易行，无需载气，具有沉积面积大、形貌较均匀、适用于多种衬底的特点。
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公开(公告)号：CN101851781A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010137608.0
申请日：2010-04-01
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助化学气相沉积法生长III-V族半导体化合物AlN单晶纳米带和纳米分支结构的方法，是通过以下工艺过程实现的：将0.2g纯度为99.99％的Al粉放入陶瓷舟中，并将经过用酒精和去离子水超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置于源的正上方5mm处，将陶瓷舟置于管式炉的正中央区域。密闭好容器后开始抽真空，当刚玉管系统真空度达到1×10-2帕时将流量为200cm3/min(sccm)的氩气通入系统中。接着，对系统进行加热，当炉温达到1400℃时通入流量为30sccm的氨气，保持一小时。最后，停止加热系统当温度下降至800℃时关掉氨气，在氩气的保护气氛下自然冷却到室温。本发明制备出的纳米带和纳米分支结构为单晶态的AlN。本发明所得的氮化铝纳米带和纳米分支结构具有形貌较均匀、沉积面积较大的特点；本发明不使用任何催化剂，方法简单，易于推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101328615A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810072867.2
申请日：2008-04-28
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发制备Ⅱ－Ⅵ族半导体化合物CdTe纳米结构的方法。通过使用金属Bi粉末做催化剂，以CdTe粉末为原料，在真空度为2×10－2－2×10－3Pa的真空环境下，热蒸发原料，在衬底上催化生长纳米结构的CdTe薄膜。该方法操作简单易行，无需载气，具有沉积面积大、形貌较均匀、适用于多种衬底的特点。
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公开(公告)号：CN104005079B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410257322.4
申请日：2014-06-11
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明的目的在于通过在水溶液里添加低沸点的有机溶剂在100℃以下来提供压强，来进一步降低合成纯相BiFeO3的最低温度。本发明的特点是：在知道压强是合成纯相BiFeO3的决定因素后，而水作为溶剂，由于其沸点为100℃限制了进一步降低合成纯相的BiFeO3温度。首次通过添加低沸点的有机溶剂乙醇在90℃下合成了纯相BiFeO3。首次通过添加有机溶剂甲醇在80℃下合成了纯相BiFeO3。
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公开(公告)号：CN103145192B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310105217.4
申请日：2013-03-28
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G49/00 , C04B35/26 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开了一种锰、镍共掺杂铁酸铋薄膜材料的制备方法。该方法是将原料硝酸铁、硝酸铋、乙酸锰和乙酸镍按配方通式BiFe1-2xMnxNixO3(0.0125≤x≤0.05)进行称量，在80℃条件下加入冰乙酸搅拌30min，然后在室温下加入乙二醇甲醚搅拌180min配成浓度为0.1-0.2mol/L的前驱液。利用旋涂法在氧化锡铟/玻璃或铂金衬底上制备出湿膜，随后预退火，最后将薄膜退火，重复预退火-薄膜退火过程10-20次得到最终的样品。本发明的特点在于：可以有效抑制铁酸铋中杂相生成；减小晶粒尺寸和薄膜表面的方均根粗糙度；提高样品的绝缘、铁电、铁磁和光性能；生产工艺简单，重现性好，成本低廉。
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公开(公告)号：CN103204681A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310165324.6
申请日：2013-05-08
Applicant: 新疆大学
IPC: C04B35/58
Abstract: 本发明公开了Si掺杂GaN稀磁半导体粉体的制备方法，属于半导体材料及其制备的技术领域。采用高纯Ga2O3粉作为Ga源、高纯Si粉或SiO粉作为Si源、高纯NH3气作为N源。将Ga2O3粉和Si粉或SiO粉充分混合均匀。然后将混合好的粉末置于陶瓷舟中，并将陶瓷舟置于水平管式炉中间，然后对管式炉抽真空。最后通入Ar气，进行加热。当温度达到1050℃时，通入的Ar气被替换为250sccm的NH3气并保温3小时后停止加热，在Ar气环境下自然冷却到室温。最后在陶瓷舟中得到淡黄色的粉末。经HF、HNO3和HCI混合溶液清洗后烘干，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，对环境危害小，易于推广。
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公开(公告)号：CN102659174A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210133129.0
申请日：2012-05-03
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种两步法制备氮化镓/硫化锌纳米异质结的方法，是通过以下工艺过程实现的：将装有一定量氧化镓（纯度为质量百分比99.999%）粉末的陶瓷舟置于长度为100cm的水平刚玉管式炉正中间，在距陶瓷舟20cm-25cm处放置镀金衬底，密闭管式炉抽真空到2×10-2-10-3Pa，Ar气保护下加热水平管式炉到900-1080oC后，通入200sccm的NH3气反应两小时，Ar气保护下自然冷却到室温，在衬底上得到淡黄色的产物。然后将沉积有淡黄色产物的衬底置于真空热蒸发装置上，沉积有淡黄色的产物的一面正对硫化锌源（纯度为质量百分比99.995%），源与衬底距离在1-2厘米，加热电流在100-180A，最后在衬底上产物变为深黄色。本发明所制备的为氮化镓/硫化锌纳米异质结，其特点是：用两步法制备了具有两种不同的异质结构，即纳米线状的核壳结构和糖葫芦状的异质结构。
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