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公开(公告)号：CN114964613B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210917065.7
申请日：2022-08-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种可张紧感应膜片的电容薄膜真空计,其包括：腔体底板、外壳、感应膜片和张紧组件，所述外壳的下端与所述腔体底板连接以压紧所述感应膜片的边沿，所述感应膜片与所述腔体底板围成测量室，并与所述外壳围成参考腔，所述腔体底板与所述感应膜片的接触处设置有第一环槽，所述张紧组件设置在所述参考腔内，所述张紧组件用于把所述感应膜片覆盖所述第一环槽的部分压入所述第一环槽以张紧所述感应膜片，且所述张紧组件把所述感应膜片压入所述第一环槽的压入深度可调；可对感应膜片进行多次张紧，提高真空计的测量精度和使用寿命。
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公开(公告)号：CN115219103A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202211145367.3
申请日：2022-09-20
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，该制作方法包括以下步骤:制作芯轴组件，芯轴组件包括由上到下依次连接的固定电极、上支撑板、感应电极、膜片和下支撑板，感应电极与膜片在周向上凸出于上支撑板与下支撑板，上支撑板的上表面安装有上支撑杆，下支撑板的下表面安装有下支撑杆；利用气相沉积反应在芯轴组件外生成外壳；冷却芯轴组件以及外壳，并拆除上支撑杆和下支撑杆；向外壳内通入氧化气体并加热氧化以消除上支撑板和下支撑板，通过将电容薄膜真空计传感器外壳一体式加工成型，减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力，从而保证陶瓷薄膜硅的性能。
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公开(公告)号：CN114662424B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210548370.3
申请日：2022-05-20
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/28 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及数据模拟分析技术领域，具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量；根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型；根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型；根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟；该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟，且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点。
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公开(公告)号：CN114720048A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210648150.8
申请日：2022-06-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计及NEG薄膜制备方法，一种电容薄膜真空计包括：壳体，具有一容置腔；电容膜片，将容置腔分隔为测量室和参考腔；连接口，与测量室连通；固定电极，设在参考腔中并与电容膜片平行，形成电容器；还包括：NEG薄膜，NEG薄膜镀在参考腔的内壁，用于吸收参考腔内部的残余气体。通过在参考腔的内壁镀一层NEG薄膜，提高NEG薄膜的吸气效率，能够很好地保持参考腔的真空度，从而提高电容薄膜真空计的测量精度。通过NEG薄膜制备方法对参考腔的内壁进行NEG薄膜镀膜，从而获得镀有NEG薄膜的参考腔。
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公开(公告)号：CN114717539A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210514782.5
申请日：2022-05-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/48 , C23C16/44 , G01N23/20058
Abstract: 本申请涉及薄膜监测技术领域，公开了一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体，所述MOCVD反应腔的侧面开设有第一安装孔和第二安装孔，所述第一安装孔用于连接所述电子枪结构，所述第二安装孔用于连接所述荧光屏结构；所述电子枪结构和所述第一安装孔的连接处、所述荧光屏结构和所述第二安装孔的连接处均设置有阀板闸，两个所述阀板闸分别用于控制所述MOCVD反应腔和所述电子枪结构之间的连通和隔绝、所述MOCVD反应腔和所述荧光屏结构之间的连通和隔绝；本发明具有监测效果好和隔热效果好的有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114662424A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210548370.3
申请日：2022-05-20
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/28 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及数据模拟分析技术领域，具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量；根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型；根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型；根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟；该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟，且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点。
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公开(公告)号：CN114323355B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210251300.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了用于电容薄膜规的压力测量系统、方法及电容薄膜规，其包括：膜片；陶瓷基体,设置在膜片一侧；固定电极组，设置在陶瓷基体靠近膜片的端面上，用于根据其与膜片的距离生成测量电容信息；多个形变检测电极，设置在陶瓷基体上，且圆周阵列在固定电极组外侧，分别用于根据其与膜片的距离生成对应的检测电容信息；控制器，与固定电极组和形变检测电极电性连接，用于获取检测电容信息，还用于根据检测电容信息检测膜片形变是否均匀，还用于在膜片形变均匀时，获取测量电容信息并根据测量电容信息计算压力值；有效地提高了用于电容薄膜规的压力测量系统测量压力的稳定性、准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN112556921A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011241981.0
申请日：2020-11-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种多接头的真空检测装置和薄膜规真空度检测方法，可通过多个接头同时连接多个待测薄膜规进行检测，检测时，若标准真空测量仪器的测得值没变化表示所有薄膜规均合格，若有变化表示其中至少一个薄膜规不合格，从而可通过对半排查的方式确定不合格薄膜规；与现有技术中只能逐个检测的方式相比，检测效率更高，操作更方便，且该多接头的真空检测装置的结构简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN117192199A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311440420.7
申请日：2023-11-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及一种微小薄膜电容信号采集方法、装置、设备及介质，该方法包括：采集微小薄膜电容的电压信号；对所述电压信号进行数字化处理，得到数字信号；通过训练完毕的校准模型对所述数字信号进行校准，得到目标数字信号；将所述目标数字信号转换成目标模拟信号，所述目标模拟信号为微小薄膜电容信号。本公开通过采集微小薄膜电容的电压信号；对电压信号进行数字化处理，得到数字信号；通过训练完毕的校准模型对所述数字信号进行校准，得到目标数字信号，在信号处理过程中有效消除薄膜电容传感器产生的误差，将目标数字信号转换成目标模拟信号，目标模拟信号为微小薄膜电容信号，提高了微小薄膜电容信号的采集精度。
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公开(公告)号：CN116500054B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310758442.1
申请日：2023-06-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种Micro‑LED的检测装置，包括：箱体、送料机构、夹盘机构；箱体的内壁上设置有测试组，测试组包括多个激光发生部和多个第一激光接收端；夹盘机构包括第一固定架、第一夹盘和多个第二激光接收端，第一夹盘和多个第二激光接收端均设置在第一固定架上，第一夹盘用于夹取晶圆，夹盘机构与送料机构连接，送料机构用于驱动第一固定架以将晶圆送至箱体内；多个激光发生部用于向晶圆提供不同角度的激光照射，每个第一激光接收端和每个第二激光接收端均用于接收至少两个激光发生部照射并由晶圆反射的反射光，从而使晶圆的整体检测效果更加准确。
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