公开(公告)号：CN100370339C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200410031748.4

申请日：2004-03-25

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  大见忠弘

Inventor： 加藤祥文 ,  大见忠弘 ,  须川成利 ,  森本明大

IPC: G02F1/13357 ,  H05B33/00

CPC classification number: G02F1/133385 ,  G02F1/133603 ,  H01L23/38 ,  H01L27/14658 ,  H01L51/529 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种液晶显示器，包含液晶板和起背光作用的有机EL器件。有机EL器件包含起衬底作用的珀耳帖元件，及形成于珀耳帖元件上的有机EL元件。有机EL元件包含有机EL层及将有机EL层夹在中间的第一和第二电极。第一电极与作为珀耳帖元件的热吸收电极的金属层共享。第二电极由传播可见光的ITO形成。有机EL元件发射出的光从第二电极射出。结果，有机EL器件很薄且具有优越的冷却效果。

公开(公告)号：CN1291461C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN01821536.X

申请日：2001-12-27

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC: H01L21/318 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

Abstract: 一种电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法，这是以硅为衬底并包含多个晶体管或电容器的半导体器件的成膜方法，其中，氢至少预先存在于所述硅表面的一部分上，将所述硅的表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而，在所述硅气体的表面上形成一种硅化合物层，所述硅化合物层包含构成所述气体分子的至少一部分的元素。

公开(公告)号：CN1806332A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016270.6

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L27/092 ,  H03F3/34 ,  H03F3/45 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66795 ,  H03F3/343 ,  H03F3/45183 ,  H03F2200/372

Abstract: 高度为HB宽度为WB的长方体突出部分(21)形成在硅衬底上，并且栅氧化膜形成在突出部分(21)的部分上表面和侧壁面上。源极和漏极形成在栅电极(26)的两个对侧上，从而形成MOS晶体管。此MOS晶体管用来配置直流放大器。直流放大器具有包括MOS晶体管(61，62)的差动放大器电路。这样，直流放大器能够呈现更大的增益。

公开(公告)号：CN1510755A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310117790.3

申请日：2003-12-02

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/318 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，使硅表面平整，使得表面算术平均差Ra不大于0.15nm，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n－MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H2O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。

公开(公告)号：CN1502121A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN02807489.0

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  B01J19/08 ,  C23C16/511 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32339

Abstract: 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。

公开(公告)号：CN1460285A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800918.5

申请日：2002-03-28

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种微波等离子体处理装置，为了使阻抗变化缓和，通过在微波供给波导管和微波天线之间设置锥面或具有中间介电常数的部件，可抑制微波供给波导管与微波天线的连接部中的反射波的形成，提高供电效率，抑制放电，在等离子体处理装置中稳定形成等离子体。

公开(公告)号：CN1630030B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200410098703.9

申请日：2002-03-28

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/511 ,  C30B25/105 ,  H01J37/32192

Abstract: 本发明涉及使用放射线槽天线的微波等离子体处理装置，使放射线槽天线辐射面与构成处理室外壁的一部分，贴紧在与浇淋板贴紧的盖板上，在放射线槽天线上还通过设置冷却器，以便吸收于厚度方向在处理室外壁中流过的热流，从而使浇淋板的冷却效率最佳化，同时使微波激励效率最佳化。

公开(公告)号：CN100524652C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN02803238.1

申请日：2002-07-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603

Abstract: 一种基片处理装置，它具有：处理空间，设有用于支承被处理基片的支承台；氢催化部件，与所述被处理基片正对着设置在所述处理空间中，用于将氢分子分解成氢基H*；气体供给口，设置在所述处理空间内、相对于所述氢催化部件与所述被处理基片正对的一侧，用于导入至少含有氢气的处理气体；其中，将所述氢催化部件和所述支承台上的被处理基片之间的间隔，设定在所述氢基H*能够到达的距离以内。

公开(公告)号：CN101005011A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710003265.7

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H05H1/26 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，从而，与所述被处理基片表面一致的平面和所述内表面之间的间隔沿着所述微波透过窗的径向向外呈多阶梯形地减小，由此来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。

公开(公告)号：CN1806319A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016271.0

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/045

Abstract: 公开了在半导体衬底中形成的一种MIS三极管，它包括：半导体衬底(702，910)，该半导体衬底具有其表面相对于衬底的主表面具有至少两个不同晶面(704，910B)的突出部；栅绝缘膜(708，920B)，覆盖至少一部分构成所述突出部的表面的各个晶面；栅电极(706，930B)，经所述栅绝缘膜形成在各个晶面上；以及相同电导率类型的扩散区(710a，710b，910c，910d)，它们形成在突出部中面对各个晶面以及栅绝缘电极的两侧上。通过具有这种结构，MIS晶体管能够具有增加的沟道宽度的同时，抑制装置面积的增加。