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公开(公告)号：CN1806331A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016261.7
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092 , H03H19/00 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66787 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092
Abstract: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜，以形成MOS晶体管。上述准备的P沟道和n沟道MOS晶体管并联，以配置开关电容电路的开关。以这种方式，开关电容电路可表现出更小的漏泄电流和更小的DC偏置。
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公开(公告)号：CN1806319A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016271.0
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/82385 , H01L29/045
Abstract: 公开了在半导体衬底中形成的一种MIS三极管，它包括：半导体衬底(702，910)，该半导体衬底具有其表面相对于衬底的主表面具有至少两个不同晶面(704，910B)的突出部；栅绝缘膜(708，920B)，覆盖至少一部分构成所述突出部的表面的各个晶面；栅电极(706，930B)，经所述栅绝缘膜形成在各个晶面上；以及相同电导率类型的扩散区(710a，710b，910c，910d)，它们形成在突出部中面对各个晶面以及栅绝缘电极的两侧上。通过具有这种结构，MIS晶体管能够具有增加的沟道宽度的同时，抑制装置面积的增加。
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公开(公告)号：CN1806332A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016270.6
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092 , H03F3/34 , H03F3/45 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L29/66795 , H03F3/343 , H03F3/45183 , H03F2200/372
Abstract: 高度为HB宽度为WB的长方体突出部分(21)形成在硅衬底上，并且栅氧化膜形成在突出部分(21)的部分上表面和侧壁面上。源极和漏极形成在栅电极(26)的两个对侧上，从而形成MOS晶体管。此MOS晶体管用来配置直流放大器。直流放大器具有包括MOS晶体管(61，62)的差动放大器电路。这样，直流放大器能够呈现更大的增益。
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公开(公告)号：CN1806385A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016313.0
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
CPC classification number: H01L21/82385 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/785 , H03F1/26 , H03F2200/372 , H03G1/0029 , H03G1/007
Abstract: 一种低噪声放大器，其具有用于将噪声抑制在低电平并放大输入信号的MIS晶体管。MIS晶体管包括：半导体衬底，其具有作为主表面的第一晶体表面；半导体结构，其是作为半导体衬底的一部分形成；以及相同导电型扩散区。半导体结构具有：一对侧壁面，其是由不同于第一晶体表面的第二晶体表面限定；顶面，其是由不同于第二晶体表面的第三晶体表面限定；栅极绝缘膜，其以均匀的厚度覆盖主表面、侧壁面和顶面；以及栅电极，其使用插入的栅极绝缘膜连续覆盖主表面、侧壁面和顶面。使用插入的栅极绝缘膜在一端和另一端上形成扩散区，并且沿主表面、侧壁面和顶面连续扩展该扩散区。这种结构急剧降低了低噪声放大器输出信号的1/f噪声和信号失真，从而不需要用于补偿降低的电路，并减小了尺寸。
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公开(公告)号：CN1806333A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016314.5
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092 , H03D7/14 , H04B1/30 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1033 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L29/045 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D2200/0033 , H03D2200/0047
Abstract: 利用CMOS晶体管(800)配置混频电路，CMOS晶体管包括p沟道MOS晶体管(840A)和n沟道MOS晶体管(840B)，每个晶体管包括具有至少两个晶面的半导体衬底(810A，810)，并且还包括形成在半导体衬底上的至少两个晶面上的栅绝缘层(820A)，其中沿栅绝缘层形成在半导体衬底中的沟道的沟道宽度由分别在所述至少两个晶面上形成的沟道的各个沟道宽度的总和表示。这种配置能够降低由于晶体管元件的电气特性变化引起的晶体管元件中出现的1/f的噪声、输出信号中出现的DC偏置、以及由于沟道长度调制效应引起的信号畸变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1806330A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016259.X
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092 , H03G11/00 , H03K5/00 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H03G1/0029 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L29/66795 , H03G1/0023 , H03G7/00 , H03K5/08
Abstract: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜。在栅电极(26)的两个对边上形成源极和漏极，从而形成MOS晶体管。包括MOS晶体管(61，62)的差动放大器电路用于配置限幅电路。以这种方式，限幅电路可表现出更大的增益。
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公开(公告)号：CN1802749A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200480016071.5
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092 , H03D7/14 , H04B1/30 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜。在栅电极(26)的两个对边上形成源极和漏极，从而形成MOS晶体管。该MOS晶体管用于配置直接转换的频率转换电路和接收电路。以这种方式，可降低直接转换接收的频率转换电路中I和Q信号的误差。
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公开(公告)号：CN1679259A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03819945.9
申请日：2003-08-21
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社
IPC: H04H5/00
CPC classification number: H04H40/72 , H04B1/1676
Abstract: 一种立体声解调器电路，包含至少一个噪声控制部分，当RSSI(接收电场强度)处于一个预定范围内时根据该RSSI实施一种噪声控制。该立体声解调器电路包含一个A/D变换器部分，将对应于该RSSI的信号进行A/D变换；并包含一个控制信号产生部分，当A/D变换中所得到信号的电平处于上述预定范围内时根据该信号的电平产生一个控制信号用于在噪声控制部分中进行噪声控制。控制信号产生部分包含一个偏移部分，使得从上述A/D变换中得到的信号在数字上偏移一个预定值，并按对应于噪声控制精度等级的比特数目截除一些低位比特。控制信号产生部分根据由该偏移部分得到的信号输出控制信号。
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公开(公告)号：CN1663132A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03814209.0
申请日：2003-06-05
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社
Abstract: FM/AM切换开关(31)选择FM检波信号或AM检波信号。电容(4)是为了从FM检波信号中滤除直流分量而设置的。低截止频率切换开关(33)通过控制信号从电阻Ra～Rc中选择被指示的电阻。由电容(4)及低截止频率开关(33)所选择的电阻构成高通滤波器。AM检波信号的低频分量通过该高通滤波器进行衰减。该高通滤波器的截止频率通过电阻的选择进行调整。
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公开(公告)号：CN1620762A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02828298.1
申请日：2002-12-10
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社
Inventor： 宫城弘
CPC classification number: H03H19/00 , H03H11/26 , H03H19/004 , H03K5/1252
Abstract: 一种整体模制在半导体衬底上的噪声滤波电路，用于提高滤去噪声分量的精度。该噪声滤波电路包括：高通滤波器，用于检测包含于输入信号中的噪声分量；脉冲发生电路，用于产生与检测到的噪声分量相匹配的脉冲信号；模拟延迟电路，用于使输入信号延迟预定时间长度并输出所述经过延迟的信号；以及输出电路，用于根据脉冲信号的输出定时滤去包含于该延迟信号中的噪声分量。模拟延迟电路(252)轮流使开关(51－56)导通，以在这些开关的相应时刻在每个电容(81－86)中保持输入信号的电压，以及使开关(61－66)导通，以在更新保持电压之前将其取出，从而使输入信号的输出定时延迟。
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