公开(公告)号：CN109313871A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780037820.X

申请日：2017-06-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  锦博彦 ,  家根田刚士

IPC: G09F9/30 ,  G02B26/02 ,  G09F9/37 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22

Abstract: 本发明提供难以在接触孔内产生金属膜的断接的有源矩阵基板。该有源矩阵基板在玻璃基板(1)上包括：第一绝缘膜～第三绝缘膜(4、6、11)和第一金属膜～第三金属膜(5、9、12)；和将第一金属膜和第二金属膜(5、9)电连接的接触孔(CH)，上述接触孔(CH)具有分别形成在第一绝缘膜～第三绝缘膜(4、6、11)中的第一孔～第三孔(H1、H2、H3)，在第一孔(H1)的内侧，第一金属膜和第三金属膜(5、12)接触，在上述第三孔(H3)的下方的区域，第二绝缘膜(6)和氧化物半导体膜(7)重叠，在上述第一绝缘膜(4)的上方且第三孔(H3)的内侧或下方的区域，第二金属膜和第三金属膜(9、12)接触。

公开(公告)号：CN108780221A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780019232.3

申请日：2017-03-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  锦博彦 ,  中岛伸二 ,  石田和泉 ,  村重正悟

IPC: G02B26/02 ,  G09F9/30 ,  G09F9/37

Abstract: 本发明不扩大配线的线宽就使配线电阻下降，从而抑制配线延迟。包括遮光膜(102)、光透射膜(106)和第一配线层(105A)，该第一配线层为用于对像素的光的透射量进行电控制的配线的一部分，第一配线层(105A)设置在遮光膜(102)之上，光透射膜(106)以覆盖上述第一配线层的侧面的方式设置在第一配线层(105A)的上层。

公开(公告)号：CN104620389A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047510.8

申请日：2013-09-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 嶋田幸峰 ,  锦博彦 ,  纪藤贤一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/50 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/441 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置(101)包括：基板(1)；以氧化物半导体层(6)为有源层的薄膜晶体管(10)；覆盖薄膜晶体管的保护层(11)；配置在保护层(11)与基板(1)之间的金属层(9d、9t)；形成在保护层(11)上的透明导电层(13、13t)；和用于将金属层(9d、9t)与透明导电层(13、13t)电连接的连接部(20、30)，连接部(20、30)具有与氧化物半导体层(6)由相同的氧化物膜形成、且电阻比氧化物半导体层(6)低的氧化物连接层(6a、6t)，金属层(9d、9t)经氧化物连接层(6a、6t)与透明导电层(13、13t)电连接。

公开(公告)号：CN102473727B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080029375.0

申请日：2010-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田纯史 ,  森豪 ,  锦博彦 ,  近间义雅 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  中川兴史 ,  竹井美智子 ,  春本祥征 ,  原猛

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/22 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。

公开(公告)号：CN103299429A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201180063129.1

申请日：2011-12-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原猛 ,  锦博彦 ,  越智久雄 ,  会田哲也 ,  冈部达 ,  中野悠哉

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

Abstract: 有源矩阵基板(20a)包括：设置在绝缘基板(10a)上的栅极电极(25)；和设置在栅极电极(25)上，由烧制而成的SOG材料形成的平坦化膜(26)。栅极电极(25)包括以下各导电膜的层叠膜：设置在所述绝缘基板(10a)上，由铜以外的金属形成的第一导电膜(27)；设置在第一导电膜(27)上，由铜形成的第二导电膜(28)；和设置在第二导电膜(28)上，由铜以外的金属形成的第三导电膜(29)。

公开(公告)号：CN101558685B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200780044986.0

申请日：2007-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神崎庸辅 ,  锦博彦 ,  冈部达

IPC: H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01J9/221 ,  H01L27/3288 ,  H01L2251/5361 ,  H01L2251/568

Abstract: 本发明提供一种单色EL显示元件、单色EL背光源、显示装置和单色EL显示元件的制造方法。单色EL显示元件包括：基板；设置在基板上的多根信号线；多个像素电极，其分别通过连接配线与对应的上述多根信号线的一个电连接，作为整体构成矩阵，并且互相分离设置；和设置在上述多个像素电极上的单色EL层。

公开(公告)号：CN101467194B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200780022039.1

申请日：2007-02-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 斋田信介 ,  锦博彦

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1339 ,  G09F9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/133302 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253

Abstract: 显示装置及其制造方法，为提高基板和密封部件的粘结力的同时抑制基板自身的膜剥离。显示装置包括第一基板、和第一基板相对设置的第二基板、和在第一基板和第二基板之间封入显示媒体层的状态下粘结第一基板与第二基板的密封部件。并且，第一基板和第二基板的至少一个具有补强层、和比补强层强度小由一或两层以上的叠层构成的叠层构造，密封部件的至少一部分直接与补强层粘结。

公开(公告)号：CN1148603C

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN98116868.X

申请日：1998-07-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 久保真澄 ,  鸣泷阳三 ,  伴厚志 ,  岛田尚幸 ,  吉村洋二 ,  片山干雄 ,  石井裕 ,  锦博彦

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133526 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/13725 ,  G02F2001/133638 ,  G02F2001/13712

Abstract: 公开了一种液晶显示器件，它包括第一基片、第二基片和置于第一基片和第二基片之间的液晶层，其中所述第一基片包括许多栅线、与所述许多栅线交叉排列的许多源线、置于所述许多栅线和所述许多源线的交点附近的许多开关元件、以及与所述许多开关元件相连的许多象素电极，第二基片包括对置电极，由许多象素电极、对置电极、以及置于所述许多象素电极和对置电极之间的液晶层限定了许多象素区，并且所述象素区中的每一个均含有反射区和透射区。

公开(公告)号：CN1209565A

公开(公告)日：1999-03-03

申请号：CN98116868.X

申请日：1998-07-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 久保真澄 ,  鸣泷阳三 ,  伴厚志 ,  岛田尚幸 ,  吉村洋二 ,  片山干雄 ,  石井裕 ,  锦博彦

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133526 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/13725 ,  G02F2001/133638 ,  G02F2001/13712

Abstract: 公开了一种液晶显示器件,它包括第一基片、第二基片和置于第一基片和第二基片之间的液晶层,其中所述第一基片包括许多栅线、与所述许多栅线交叉排列的许多源线、置于所述许多栅线和所述许多源线的交点附近的许多开关元件、以及与所述许多开关元件相连的许多象素电极,第二基片包括对置电极,由许多象素电极、对置电极、以及置于所述许多象素电极和对置电极之间的液晶层限定了许多象素区,并且所述象素区中的每一个均含有反射区和透射区。

公开(公告)号：CN109075122B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201780023732.4

申请日：2017-05-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  锦博彦 ,  家根田刚士

IPC: H01L21/768 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供具有可靠性高的配线连接构造的有源矩阵基板、其制造方法和显示装置。第一金属配线(122)和第二金属配线(125)经由被导体化的IGZO层(124)电连接。此时，因为在第二金属配线(125)与ITO层(109)之间形成有钝化层(107)和有机绝缘膜(108)，所以第二金属配线(125)和ITO层(109)不接触而分离。由此，在第二金属配线(125)的铝层(125a)与ITO层(109)之间不会由于电蚀而发生接触不良，成为可靠性高的配线连接构造。