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公开(公告)号：CN102652330B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080056072.8
申请日：2010-12-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13458 , G02F1/136213 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1248
Abstract: 半导体装置具有：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极配线(3a)、第一绝缘膜(5)、岛状的氧化物半导体层(7a)、第二绝缘膜(9)、源极配线(13as)、漏极电极(13ad)和保护膜；和端子部，该端子部包括由与栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部(3c)、由与源极配线和漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部(13c)和在第二连接部上形成的第三连接部(19c)，第二连接部在设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一开口部(11c)内与第一连接部接触，第三连接部(19c)在设置于保护膜的第二开口部(17c)内与第二连接部接触，第二连接部(13c)覆盖第一开口部(11c)的第一绝缘膜和第二绝缘膜的端面，并且不覆盖第二开口部(17c)的保护膜(15)的端面。由此，能够高精度地控制端子部的接触孔的锥形形状。
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公开(公告)号：CN102893315B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201180022972.5
申请日：2011-02-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1345 , H01L27/12 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1244
Abstract: 一种有源矩阵基板(20a)，包括：呈矩阵状设置的多个像素电极(18a)；和多个TFT(5)，该多个TFT(5)与各像素电极(18a)分别连接且包括设置于绝缘基板(10a)的栅极电极(11a)、以覆盖栅极电极(11a)的方式设置的栅极绝缘膜(12a)、在栅极绝缘膜(12a)上以与栅极电极(11a)重叠的方式设置有沟道区域(C)的半导体层(16a)、和在栅极绝缘膜(12a)上以隔着半导体层(16a)的沟道区域(C)彼此分离的方式利用铜或铜合金设置的源极电极(15aa)和漏极电极(15b)，半导体层(16a)利用氧化物半导体以覆盖源极电极(15aa)和漏极电极(15b)的方式设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102473362B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201080029906.6
申请日：2010-03-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/00 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L29/42384
Abstract: 包括如下工序：在基板(10)上形成栅极电极(11a)和第一配线的工序；形成在与第一配线重叠的位置具有接触孔的栅极绝缘膜(12a)的工序；形成以与栅极电极(11a)重叠并且相互分离的方式分别设置的源极电极(13a)和漏极电极(13b)、以及通过栅极绝缘膜(12a)的接触孔与第一配线连接的第二配线的工序；在将氧化物半导体膜(14)和第二绝缘膜(15)依次形成之后，对该第二绝缘膜(15)进行图案化而形成层间绝缘膜(15a)的工序；和将从层间绝缘膜(15a)露出的氧化物半导体膜(14)低电阻化而形成像素电极(14b)的工序。
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公开(公告)号：CN102906804A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180024993.0
申请日：2011-02-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/127 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1262
Abstract: 各TFT（5a）包括：设置在基板（10）的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11a）重叠的方式设置有沟道区域（C）的、包括氧化物半导体的半导体层（13a）；和在半导体层（13a）上以隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（15aa）和漏极电极（15b），各辅助电容（6a）包括：与栅极电极（11a）在相同层利用相同材料设置的电容线（11b）；以覆盖电容线（11b）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；以在栅极绝缘膜（12）上与电容线（11b）重叠的方式使用氧化物半导体设置的电容中间层（13c）；和在电容中间层（13c）上设置的电容电极（15b），电容中间层（13c）具有导电性。
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公开(公告)号：CN102696112A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080058007.9
申请日：2010-08-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2001/13606 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2201/501 , H01L27/1248 , H01L27/1288
Abstract: 呈矩阵状设置的多个像素电极（P）；和分别与各像素电极（P）连接的多个TFT（5），各TFT（5）具有：设置于绝缘基板的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12a）；以在栅极绝缘膜（12a）上与栅极电极（11a）重叠的方式设置的氧化物半导体层（13a）；和以互相对峙的方式设置、且分别与氧化物半导体层（13a）连接的源极电极（17a）和漏极电极（17b），在源极电极（17a）和漏极电极（17b）与氧化物半导体层（13a）之间，以覆盖氧化物半导体层（13a）的方式设置有保护绝缘膜（14a）。
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公开(公告)号：CN102473727A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029375.0
申请日：2010-03-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/22 , G02F1/1368 , G02F2202/10 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。
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公开(公告)号：CN101606186A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200880004648.9
申请日：2008-01-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/00 , G02F1/1333 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1333 , G02F1/1303 , G02F2001/133302 , Y10T428/266
Abstract: 本发明提供显示器件的制造方法和显示器件。本发明的显示器件的制造方法的目的是提供能够以低成本容易地在基板上形成显示元件的器件制造方法和显示器件。本发明的显示器件的制造方法包括：第一步骤，准备第一基板(11)，该第一基板(11)具有预定蚀刻的第一区域(13)和设置在第一区域的周边的第二区域(14)、并且在表面形成有显示元件(12)；第二步骤，将第一基板(11)的第一区域(13)蚀刻除去；第三步骤，在第一基板(11)的显示元件形成面的相反一侧表面上形成第二基板(18)；和第四步骤，将第一基板(11)的第二区域(14)除去。
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