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公开(公告)号：CN101916782A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010251137.6
申请日：2010-08-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/10 , H01L29/43 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于快速开关技术领域，具体为一种使用铁电材料的凹陷沟道型晶体管及其制造方法。本发明中，源极为窄禁带宽度，栅介质为铁电材料与氧化硅或高k材料叠层。一方面，窄禁带宽度的源极材料，使得晶体管的驱动电流上升；另一方面，凹陷型沟道的使用，抑制了漏电流的增加；同时，铁电材料的栅介质使得亚阈值电压摆幅变得更小，提高了器件的开关速度。进一步地，本发明还公开了所述半导体场效应晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN101901813A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010231342.6
申请日：2010-07-20
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/10
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种垂直结构的半导体存储器及其制造方法。本发明的存储器是垂直沟道型双金属浮栅存储器，它包括至少一个衬底区、一个漏区、一个源区、两个浮栅区和一个控制栅极，所述存储器的浮栅区用于存储电荷。本发明还公开了上述双金属浮栅存储器的制造方法。本发明采用垂直的沟道结构，在增大栅长的情况下不会占用更多的芯片面积，有利于芯片往高度集成的方向发展；用简化的方法制造出面积较小的双位存储单元，可以在相同面积的硅衬底上制造出更多的存储器单元，从而实现高密度存储。
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公开(公告)号：CN101834210A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010162446.6
申请日：2010-04-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种凹陷沟道的PNPN场效应晶体管。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏电流的同时增大了驱动电流。同时，本发明还公开了上述PNPN场效应晶体管的制造方法。采用本发明的PNPN场效应晶体管的隧穿结更加陡直，而且可以增加源端横向电场，减小隧穿势垒，改善传统MOS晶体管的类双极型晶体管的漏电流，减小芯片功耗。
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公开(公告)号：CN101814503A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010141734.3
申请日：2010-04-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/12 , H01L21/8238 , H01L21/84 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种互补栅控PNPN场效应晶体管及其制备方法。该晶体管由源极为窄禁带宽度的凹陷沟道的N型栅控PNPN场效应晶体管和P型栅控PNPN场效应晶体管组成。所述晶体管的凹陷沟道使其漏电流得到了抑制，同时，该晶体管采用了窄禁带宽度材料，其驱动电流也得到了提升。本发明还公开了上述晶体管的制造方法。本发明所提出的晶体管具有低漏电流、高驱动电流、低功耗、集成度高等优点。
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公开(公告)号：CN101800236A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010105581.7
申请日：2010-02-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , H01L45/00
Abstract: 本发明属于非挥发性半导体存储器技术领域，具体公开了一种半导体存储器结构。该半导体存储器结构包括至少一个半导体衬底，一个用于存储信息的存储单元和一个隧穿晶体管结构，所述隧穿晶体管用于对所述半导体存储器进行比如擦写操作和读操作的控制。本发明还公开了一种使用自对准工艺来制造所述半导体存储器结构的方法，而且，在制作隧穿晶体管的栅极掩膜版时，只需在字线终端做字线的接触点，该制造方法简化了半导体存储器的制造工艺，并使制程更加稳定，非常适用于存储器芯片的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101789433A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010105582.1
申请日：2010-02-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/108 , H01L27/12 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/8242 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/10864 , H01L27/10823 , H01L27/1087 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种动态随机存储器的阵列结构及其制备方法。该动态随机存储器的阵列结构利用竖直MOS场效应晶体管作为动态随机存储器的阵列器件，并用金属硅化物埋层作为连接连续多个竖直MOS场效应晶体管阵列器件的埋层位线。所述的竖直MOS场效应晶体管阵列器件含有埋层金属双栅结构，并且所述的埋层金属双栅结构同时作为该动态随机存储器的阵列结构的埋层字线。本发明所公开的动态随机存储器的阵列结构可以提高动态随机存储器的集成密度、降低埋层位线的电阻率，还可以增强阵列器件的存储性能。同时，本发明还提出了一种动态随机存储器的阵列结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN101777660A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010105579.X
申请日：2010-02-04
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02E60/527 , Y02P70/56
Abstract: 本发明属于再生能源技术领域，具体公开了一种微生物燃料电池。该微生物燃料电池包括一个腔体以及包含在所述腔体内依次排列的阴极、质子交换膜、阳极和多孔膜。该微生物燃料电池利用微生物对血糖的催化进行分解，在分解过程中产生二氧化碳和水，并且通过微生物转移氧化还原反应中的电子，从而实现化学能向电能的转变，同时，该微生物燃料电池可以制作微型电池，使其能够安置在人体体内，利用人体自身产生的化学物质进行发电。本发明具有成本低、寿命长、结构简单和作为体内电子装置供电设备无需更换供电电池的优点。
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公开(公告)号：CN101777580A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910247547.0
申请日：2009-12-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括一个源极、一个漏极、一个栅极、以及一个衬底。所述半导体器件的沟道向衬底内凹陷，使其漏电流降低的同时驱动电流上升。本发明还公开了上述半导体器件的制造方法。本发明制造的半导体器件具有低漏电流、高驱动电流、集成度高等优点，采用本发明的集成电路的静态功耗可以得到降低，集成度也可以得到提高。
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公开(公告)号：CN101764156A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910200624.7
申请日：2009-12-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L27/088
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种使用窄禁带宽度材料源极的隧穿场效应晶体管(TFET)及其制备方法。该隧穿场效应晶体管的源极采用窄禁带宽度材料，并采用U形沟道结构。由于该TFET采用了窄禁带宽度材料，其驱动电流得到提升，同时，由于该TFET采用了U形沟道，它的漏电流也得到抑制。本发明制造的TFET具有低漏电流、高驱动电流、集成度高等优点，采用本发明的集成电路的静态功耗可以得到降低，集成度也可以得到提高。
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公开(公告)号：CN101692460A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910197206.7
申请日：2009-10-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/43 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于微电子材料领域，具体公开了一种禁带宽度连续可调的高介电常数(高k)薄膜材料及其制备方法。本发明所述的禁带宽度连续可调的高k薄膜材料组成通式为(Nb2O5)x(Al2O3)1-x，其中x为摩尔分数，0＜x＜1，通过控制x的值来调节(Nb2O5)x(Al2O3)1-x薄膜中Nb2O5和Al2O3的含量，可以实现其禁带宽度在3.4～8.8eV范围内连续可调。该高k薄膜材料采用原子层淀积的方法来制备。本发明的优点在于该薄膜利用了Nb2O5和Al2O3的协同作用，弥补了Al2O3介电常数较低的缺陷，同时将Al2O3热稳定好的特点融入到薄膜当中，使其具有高介电常数和良好的热稳定性的特点。
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